681.142.011.56
П-883
МИНИСТЕРСТВО ТОПЛИВА И ЭНЕРГЕТИКИ УКРАИНЫ
Севастопольский национальный университет
ядерной энергии и промышленности
С.В. Петров, Ю. М. Быковский, Б. Н. Вакаев
Сборник тестов итогового контроля по дисциплине
“ПРОМЫШЛЕННАЯ ЭЛЕКТРОНИКА”
(4 Семестр)
Севастополь
2012
681.142011.56
П -883
УДК 681.142.0116(075.8)
Петров С. В., Быковский Ю. М., Вакаев Б. Н.
П-883 Сборник тестов итогового контроля по дисциплине «Основы электроники».
Учеб. пособие для очной и заочной форм обучения.
- Севастополь: СНУЯЭи П, 2012. - _39_с: ил.
Предназначено для студентов по направлению подготовки
0507 « Электротехника и электромеханика ».
© Издание СНУЯЭиП, 2012
Оглавление
Перечень тестов итогового контроля 4
Литература 39
Перечень тестов итогового контроля
№ п/п |
Вопрос |
Ответы |
|
1 |
Сопротивление, какого резистора определяет общее сопротивление электрической цепи, состоящей из двух последовательно соединенных резисторов? |
Прав1-С большим сопротивлением 2-С меньшим сопротивлением |
|
2 |
Сопротивление, какого резистора определяет общее сопротивление электрической цепи, состоящей из двух параллельно соединенных резисторов? |
1-С большим сопротивлением Прав 2-С меньшим сопротивлением |
|
3 |
Общее сопротивление данной электрической цепи определяется как
|
Прав 1- 2- 3- |
|
4 |
Общее сопротивление данной электрической цепи определяется как
|
1- Прав 2- 3- |
|
5 |
Как на электрических схемах обозначается сопротивление резистора с R = 2,7 Ом? |
1- 2,7 2- 2,7 R 3- 2,7 к 4- 2,7 К 5- 2,7 М 6- 2,7 м |
|
6 |
Как на электрических схемах обозначается сопротивление резистора с R = 2,7 кОм? |
1- 2,7 2- 2,7 R 3- 2,7 к 4- 2,7 К 5- 2,7 М 6- 2,7 м |
|
7 |
Как на электрических схемах обозначается сопротивление резистора с R = 2,7 МОм? |
1- 2,7 2- 2,7 R 3- 2,7 к 4- 2,7 К 5- 2,7 М 6- 2,7 м |
|
8 |
Н оминальная мощность рассеивания данного резистора составляет |
1- 0,125 Вт 2- 0,25 Вт 3- 0,5 Вт |
|
9 |
Н оминальная мощность рассеивания данного резистора составляет |
1- 0,125 Вт 2- 0,25 Вт 3- 0,5 Вт |
|
10 |
Н оминальная мощность рассеивания данного резистора составляет |
1- 0,125 Вт 2- 0,25 Вт 3- 0,5 Вт |
|
11 |
Резистор, с какой номинальной мощностью рассеивания необходимо выбрать, если на нем при работе выделяется мощность 0,3 Вт? |
1- 0,125 Вт 2- 0,25 Вт 3- 0,5 Вт |
|
12 |
К акой способ включения переменного резистора здесь представлен |
1- Реостатное включение 2- Потенциометрическое включение |
|
13 |
Какой способ включения переменного резистора здесь представлен |
1- Реостатное включение 2- Потенциометрическое включение |
|
14 |
К ак определяется напряжение на выходе делителя напряжения? |
1- 2- 3- |
|
15 |
Как указываются позиционное обозначение и номиналы резисторов на принципиальных схемах? |
1- 1R 2,2 кОм 2- R2 2200 Ом 3- 4,7 к 3R 4- R8 6,8 к |
|
16 |
Каким образом указывается номинальное сопротивление на корпусе малогабаритного резистора с R = 6, 8 Ом? |
1- 68 R 2- 6,8R 3- 6R8 4- R68 |
|
17 |
Какой из резисторов является переменным? |
1 -
2- |
|
18 |
Какой из резисторов является подстроечным? |
1 -
2- |
|
19 |
Как изображается векторная диаграмма тока и напряжения для резистора? |
1 -
2-
3- |
|
20 |
Как изображается векторная диаграмма тока и напряжения для конденсатора? |
1 -
2-
3- |
|
21 |
Как изображается векторная диаграмма тока и напряжения для индуктивности? |
1 -
2-
3- |
|
22 |
Общая емкость данной электрической цепи определяется как
|
1- 2- 3- |
|
23 |
Общая емкость данной электрической цепи определяется как
|
1- 2- 3- |
|
24 |
Как определяется емкостное сопротивление конденсатора? |
1- 2- |
|
25 |
Как определяется индуктивное сопротивление индуктивности? |
1- 2- |
|
26 |
Как обозначается на электрических схемах емкость конденсатора 1 nF ? |
1- 1 2- 10 3- 100 4- 1000 |
|
27 |
Как обозначается на электрических схемах емкость конденсатора 10 nF ? |
1- 1 2- 10 3- 100 4- 1000 5- 0,01 мк 6- 1 мк |
|
28 |
Каким образом указывается номинальная емкость на корпусе малогабаритного конденсатора с С = 6, 8 мкФ? |
1- 2- 3- |
|
29 |
Емкость конденсатора определяется по формуле |
1- 2- 3- |
|
30 |
Ток, протекающий через конденсатор определяется по формуле |
1- 2- 3- |
|
31 |
К ак определяется напряжение на выходе делителя напряжения?
|
1- 2- 3-
|
|
32 |
К акая из приведенных схем является схемой замещения резистора?
|
1- А) 2- Б) 3- В)
|
|
33 |
К акая из приведенных схем является схемой замещения конденсатора?
|
1- А) 2- Б) 3- В)
|
|
34 |
К акая из приведенных схем является схемой замещения индуктивности?
|
1- А) 2- Б) 3- В)
|
|
35 |
Общая индуктивность данной электрической цепи определяется как
|
1- 2- 3- |
|
36 |
Общая индуктивность данной электрической цепи определяется как
|
1- 2- 3- |
|
37 |
Э.Д.С. самоиндукции, возникающая в катушке индуктивности, определяется по формуле |
1- 2- 3- 4- |
|
38 |
С ердечник данной катушки индуктивности выполнен из
|
1- Магнитодиэлектрика 2- Феррита |
|
39 |
С ердечник данной катушки индуктивности выполнен из
|
1- Магнитодиэлектрика 2- Феррита |
|
40 |
Электропроводность полупроводников |
1- значительно выше проводников 2- значительно ниже диэлектриков 3- занимает промежуточное место между проводниками и диэлектриками
|
|
41 |
Проводимость полупроводников сильно зависит от |
1- температуры окружающей среды 2- уровня излучения, воздействующего на полупроводники 3- не зависит от температуры и излучения 4- температуры окружающей среды и уровня излучения, воздействующего на полупроводники
|
|
42 |
При T = 0 0 K полупроводник становится |
1- диэлектриком 2- проводником |
|
43 |
Дырка – это |
1- разорванная ковалентная связь 2- восстановленная ковалентная связь |
|
44 |
Процесс генерации пар - это |
1- разрыв ковалентных связей 2- восстановление ковалентных связей |
|
45 |
Процесс рекомбинации пар - это |
1- разрыв ковалентных связей 2- восстановление ковалентных связей |
|
46 |
При одинаковой температуре электропроводность больше у |
1- проводников 2- полупроводников |
|
47 |
Собственная проводимость полупроводников играет положительную роль у |
1- диодов 2- транзисторов 3- полупроводниковых резисторов |
|
48 |
Ток дрейфа возникает в полупроводнике |
1- из-за неравновесной концентрации свободных носителей по длине полупроводника 2- из-за приложения к полупроводнику внешнего электрического поля |
|
49 |
Ток диффузии возникает в полупроводнике |
1- из-за неравновесной концентрации свободных носителей по длине полупроводника 2- из-за приложения к полупроводнику внешнего электрического поля |
|
50 |
Направление тока дрейфа в чистом полупроводнике совпадает |
1- с направлением движения дырок 2- с направлением движения электронов |
|
51 |
Сурьма (Sb) – является |
1- донорной примесью 2- акцепторной примесью |
|
52 |
Индий (In) – является |
1- донорной примесью 2- акцепторной примесью |
|
53 |
Примесь сурьмы (Sb) – создает полупродводник |
1- n – типа 2- p - типа |
|
54 |
Примесь индия (In) – создает полупродводник |
1- n – типа 2- p - типа |
|
55 |
В полупроводнике n – типа основными носителями заряда являются |
1- электроны 2- дырки |
|
56 |
В полупроводнике p – типа основными носителями заряда являются |
1- электроны 2- дырки |
|
57 |
В полупроводнике n – типа неосновными носителями заряда являются |
1- электроны 2- дырки |
|
58 |
В полупроводнике p – типа неосновными носителями заряда являются |
1- электроны 2- дырки |
|
59 |
Температура нагрева полупроводника кремния не должна превышать |
1- 80 ОС 2- 100 ОС 3- 150 ОС 4- 200 ОС |
|
60 |
p-n переход можно получить |
1- металлургическим путем 2- путем диффузии примеси из газовой среды 3- металлургическим путем и путем диффузии примеси из газовой среды 4- путем обычного соприкосновения областей p – и n - типа |
|
61 |
Ток диффузии в p-n переходе образован |
1- неосновными носителями заряда 2- основными носителями заряда |
|
62 |
Ток дрейфа в p-n переходе образован |
1- неосновными носителями заряда 2- основными носителями заряда |
|
63 |
Ток диффузии в p-n переходе совпадает |
1- с направлением движения дырок 2- с направлением движения электронов |
|
64 |
Запирающий слой p-n перехода является |
1- диэлектриком 2- проводником 3- полупроводником |
|
65 |
За счет чего в p-n переходе образуется внутреннее электрическое поле? |
1- За счет электронов 2- За счет дырок 3- За счет нескомпенсированных зарядов неподвижно закрепленных ионов примеси в запирающем слое |
|
66 |
Заряд какого знака имеют ионы примеси в запирающем слое p-n перехода со стороны p- области? |
1- минус 2- плюс |
|
67 |
Заряд какого знака имеют ионы примеси в запирающем слое p-n перехода со стороны n- области? |
1- минус 2- плюс |
|
68 |
Внутреннее электрическое поле p-n перехода |
1- способствует диффузии основных носителей заряда 2- препятствует диффузии основных носителей заряда |
|
69 |
Направление тока дрейфа p-n перехода |
1- противоположно направлению тока диффузии 2- совпадает с направлением тока диффузии |
|
70 |
От чего зависит величина тока дрейфа p-n перехода? |
1- от величины приложенного электрического поля 2- от температуры кристалла полупроводника |
|
71 |
Ток насыщения неосновных носителей p-n перехода -это |
1- ток дрейфа 2- ток диффузии |
|
72 |
Контактная разность потенциалов для кремния равна |
1- 0,3…0,4 В 2- 0,7…0,8 В |
|
73 |
Контактная разность потенциалов для германия равна |
1- 0,3…0,4 В 2- 0,7…0,8 В |
|
74 |
Зависит ли потенциальный барьер p-n перехода от контактной разности потенциалов |
1- зависит 2- не зависит |
|
75 |
Зависит ли потенциальный барьер p-n перехода от приложенного внешнего напряжения |
1- зависит 2- не зависит |
|
76 |
При прямом включении p-n перехода плюс источника питания подключен к |
1- p – области 2- n - области |
|
77 |
При обратном включении p-n перехода плюс источника питания подключен к |
1- p – области 2- n - области |
|
78 |
При прямом включении p-n перехода толщина запирающего слоя |
1- увеличивается 2- уменьшается |
|
79 |
При обратном включении p-n перехода толщина запирающего слоя |
1- увеличивается 2- уменьшается |
|
80 |
При прямом включении p-n переход считается |
1- открытым 2- закрытым |
|
81 |
При обратном включении p-n переход считается |
1- открытым 2- закрытым |
|
82 |
Величина прямого тока через p-n переход при определяется по формуле |
1- 2- 3- |
|
83 |
Величина обратного тока через p-n переход определяется по формуле |
1- 2- 3- |
|
84 |
Сопротивление закрытого p-n перехода |
1- велико 2- мало
|
|
85 |
Сопротивление открытого p-n перехода |
1- велико 2- мало |
|
86 |
Электрический пробой p-n перехода - процесс |
1- обратимый 2- необратимый |
|
87 |
Тепловой пробой p-n перехода - процесс |
1- обратимый 2- необратимый |
|
88 |
Как на принципиальных электрических схемах обозначаются диоды? |
1- VD 2- VT 3- VS 4- VK |
|
89 |
Как на принципиальных электрических схемах обозначаются транзисторы? |
1- VD 2- VT 3- VS 4- VK |
|
90 |
Как на принципиальных электрических схемах обозначаются тиристоры? |
1- VD 2- VT 3- VS 4- VK |
|
91 |
Какой из диодов является выпрямительным? |
1 -
2-
3-
4-
5-
6-
|
|
92 |
|
1 -
2-
3-
4-
5-
6-
|
|
93 |
Какой из диодов является туннельным? |
1 -
2-
3-
4-
5-
6- |
|
94 |
Какой из диодов является варикапом? |
1 -
2-
3-
4-
5-
6- |
|
95 |
Стабилитрон включается в схему |
1- прямо 2- обратно |
|
96 |
В варикапе используется емкость |
1- прямо смещенного p – n перехода 2- обратно смещенного p – n перехода |
|
97 |
На каких частотах используются плоскостные диоды |
1- на низких частотах 2- на высоких частотах |
|
98 |
На каких частотах используются точечные диоды |
1- на низких частотах 2- на высоких частотах |
|
99 |
Какой из диодов является фотодиодом? |
1 -
2-
3-
4-
5-
6-
|
|
100 |
Какой из диодов является светодиодом? |
1 -
2-
3-
4-
5-
6-
|
|
101 |
Д анный транзистор имеет структуру |
1- n – p – n 2- p – n - p |
|
102 |
Д анный транзистор имеет структуру |
1- n – p – n 2- p – n - p |
|
103 |
Концентрация примесей в эмиттере биполярного транзистора по отношению к концентрации примесей в базе |
1- меньше 2- больше |
|
104 |
Площадь коллекторного перехода биполярного транзистора по отношению к площади эмиттерного перехода |
1- меньше 2- больше |
|
105 |
Транзистор КТ 904 |
1- низкочастотный большой мощности 2- низкочастотный малой мощности 3- высокочастотный большой мощности |
|
106 |
В режиме отсечки в биполярном транзисторе |
1- Эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный – в обратном 2- Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в прямом направлении 3- Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в обратном направлении |
|
107 |
В режиме насыщения в биполярном транзисторе |
1- Эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный – в обратном 2- Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в прямом направлении 2- Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в обратном направлении |
|
108 |
В активном режиме в биполярном транзисторе |
1- Эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный – в обратном 2- Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в прямом направлении 2- Эмиттерный и коллекторный переходы смещены в обратном направлении |
|
109 |
З десь изображена схема включения биполярного транзистора с |
1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК |
|
110 |
З десь изображена схема включения биполярного транзистора с |
1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК |
|
111 |
Какая характеристика называется входной статической характеристикой биполярного транзистора? |
1- 2- 3-
|
|
112 |
Какая характеристика называется выходной статической характеристикой биполярного транзистора? |
1- 2- 3- |
|
113 |
Какая характеристика называется переходной статической характеристикой биполярного транзистора? |
1- 2- 3- |
|
114 |
В электронной аппаратуре транзисторы работают |
1- в статическом режиме 2- в динамическом режиме |
|
115 |
В точке 1 VT - |
1- закрыт полностью 2- открыт полностью 3- приоткрыт на 50% |
|
116 |
В точке 2 VT - |
1- закрыт полностью 2- открыт полностью 3- приоткрыт на50% |
|
1 17 |
В точке 3 VT - |
1--закрыт полностью 2--открыт полностью 3--приоткрыт на50% |
|
118 |
Г де на нагрузочной прямой располагается начальная рабочая точка при работе транзистора в активном режиме? |
1- в точке 1 2- в точке 2 3- в точке 3 |
|
119 |
К
VD |
1- фотогенераторный 2-фотопреобразовательный |
|
120 |
К акой режим работы фотодиода изображен? |
1- фотогенераторный 2-фотопреобразовательный |
|
121 |
Как включаются фотодиоды в фотопреобразовательном режиме? |
1- прямо 2- обратно
|
|
122 |
Какой фотоэффект используется в полупроводниковых фотоэлектронных приборах? |
1- внешний 2- внутренний |
|
123 |
Какой фотоэффект используется в электровакуумных фотоэлектронных приборах? |
1- внешний 2- внутренний |
|
124 |
Из каких полупроводников изготовлен p-n переход в светодиодах? |
1- арсенид галлия 2- кремний 3- германий |
|
125 |
Коэффициент усиления по току в схеме с ОБ |
1- 2- 3-
|
|
126 |
Коэффициент усиления по току в схеме с ОЭ |
1- 2- 3-
|
|
127 |
Коэффициент усиления по току в схеме с ОК |
1- 2- 3-
|
|
128 |
Общий коэффициент усиления по току составного транзистора |
1- 2- 3- |
|
129 |
Коэффициент усиления по току в схеме с ОК равен |
1- 3- |
|
130 |
Название оптрона определяется типом |
1- излучателя 2- фотоприемника |
|
131 |
Д анный транзистор является |
1- полевым 2- биполярным |
|
132 |
Д анный транзистор |
1- с управляющим переходом 2- МОП - типа |
|
133 |
Д анный транзистор имеет |
1- p - канал 2- n - канал |
|
134 |
Д анный транзистор имеет |
1- p - канал 2- n - канал |
|
135 |
В каком режиме коэффициент усиления по току у биполярного транзистора больше |
1- В статическом 2- В динамическом |
|
136 |
В динамическом режиме транзистор работает |
1- с нагрузкой 2- без нагрузки |
|
137 |
В статическом режиме транзистор работает |
1- с нагрузкой 2- без нагрузки |
|
138 |
Какая из схем включенеия биполярных транзисторов имеет коэффициент усиления по току меньше единицы? |
1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК |
|
139 |
Какая из схем включенеия биполярных транзисторов имеет коэффициент усиления по напряжению меньше единицы? |
1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК |
|
140 |
Условие передачи наибольшей мощности от источника сигнала в нагрузку |
1- r = RН 2- r < RН 3- r > RН |
|
141 |
Переворачивает ли схема с ОБ фазу сигнала |
1- да 2- нет |
|
142 |
Переворачивает ли схема с ОК фазу сигнала |
1- да 2- нет |
|
143 |
Переворачивает ли схема с ОЭ фазу сигнала |
1- да 2- нет |
|
144 |
Входное сопротивление схемы с ОБ RВХОБ |
1- мало 2- велико |
|
145 |
Выходное сопротивление схемы с ОБ RВЫХОБ |
1- мало 2- велико |
|
146 |
Входное сопротивление схемы с ОК RВХОК |
1- мало 2- велико |
|
147 |
Выходное сопротивление схемы с ОК RВЫХОК |
1- мало 2- велико |
|
148 |
Усилитель УНЧ работает в диапазоне частот до |
1- 20 кГц 2- 200 кГц 3- 20 МГц |
|
149 |
Полоса пропускания УНЧ - диапазон частот, в котором коэффициент усиления изменяется не более, чем на |
1- 3 дБ 2- 20 дБ 3- 30 дБ 4- 100 дБ |
|
150 |
В режиме какого класса работают выходные каскады УНЧ |
1- А 2- В 3- С 4- АВ |
|
151 |
В режиме какого класса работают входные каскады УНЧ |
1- А 2- В 3- С 4- АВ |
|
152 |
Какие межкаскадные связи присутствуют в УНЧ |
1- Гальванические 2- Трансформаторные 3- Резистивно-емкостные 4- Трансформаторные и резистивно-емкостные |
|
153 |
Что называется амплитудно-частотной характеристикой усилителя? |
1- 2- 3- 4- 5- |
|
154 |
Что называется амплитудной характеристикой усилителя? |
1- 2- 3- 4- 5- |
|
155 |
Какими элементами схемы усилителя обусловлен завал амплитудно-частотной характеристики усилителя в области низких частот? |
1- Резисторами 2- Конденсаторами 3- Транзисторами |
|
156 |
Какими элементами схемы усилителя обусловлен завал амплитудно-частотной характеристики усилителя в области верхних частот? |
1- Резисторами 2- Конденсаторами 3- Транзисторами |
|
158 |
Коэффициент усиления по напряжению первого каскада УНЧ равен , второго каскада - . Чему равен общий коэффициент усиления? |
1- 110 2- 1000 |
|
159 |
Коэффициент усиления по напряжению первого каскада УНЧ равен дБ, второго каскада - дБ. Чему равен общий коэффициент усиления? |
1- 110 дБ 2- 1000 дБ |
|
160 |
Как влияет отрицательная обратная связь на коэффициент усиления усилителя? |
1- Не влияет 2- Увеличивает 3- Уменьшает |
|
161 |
Усилитель состоит из двух каскадов, коэффициенты усиления которых К1 = 10, К2 = 20. Последний каскад охвачен отрицательной обратной связью с β = 0,2. Определить общий коэффициент усиления. |
1- 200 2- 30 3- 40 |
|
162 |
О пределите тип смещения транзистора в данной схеме |
1- Фиксированным напряжением 2- Фиксированным током |
|
163 |
О пределите тип усилительного каскада |
1- С общим эмиттером 2- С общим коллектором 3- С общей базой |
|
164 |
К аково назначение резистора RK в данной схеме? |
1- Для уменьшения частотных искажений 2- Для выделения переменной составляющей выходного сигнала 3- Для работы усилительного каскада в динамическом режиме |
|
165 |
О пределите назначение резистора RБ в данной схеме |
1- Для уменьшения частотных искажений 2- Для выделения переменной составляющей выходного сигнала 3- Для работы усилительного каскада в динамическом режиме 4- Для задания тока базы, определяющего положение начальной рабочей точки на входных и выходных характеристиках транзистора
|
|
166 |
Определите назначение конденсатора С2 в данной схеме |
1- Для уменьшения частотных искажений 2- Для выделения переменной составляющей выходного сигнала 3- Для работы усилительного каскада в динамическом режиме 4- Для задания тока базы, определяющего положение начальной рабочей точки на входных и выходных характеристиках транзистора |
|
167 |
К ак влияет увеличение сопротивления RБ на положение начальной рабочей точки на нагрузочной прямой? |
1- Начальная рабочая точка на нагрузочной прямой смещается вниз 2- Начальная рабочая точка на нагрузочной прямой смещается вверх
|
|
168 |
О пределите тип смещения транзистора в данной схеме |
1- Фиксированным напряжением 2- Фиксированным током |
|
169 |
Н апряжение смещения в данной схеме определяется величиной сопротивления |
1- Резистора R1 2- Резистора R2 3- Резисторов R1 и R2 |
|
170 |
Определите назначение резистора RЭ в данной схеме |
1- Для уменьшения частотных искажений 2- Для выделения переменной составляющей выходного сигнала 3- Для работы усилительного каскада в динамическом режиме 4- Для температурной стабилизации усилительного каскада |
|
171 |
О пределите назначение конденсатора СЭ в данной схеме |
1- Для уменьшения частотных искажений 2- Для выделения переменной составляющей выходного сигнала 3- Для работы усилительного каскада в динамическом режиме 4- Для температурной стабилизации усилительного каскада 5- Для исключения уменьшения коэффициента усиления каскада за счет резистора RЭ
|
|
172 |
Работа усилительного каскада в режиме класса А отличается от работы в других классах |
1-Небольшим значением к.п.д. и значительными искажениями сигнала 2-Небольшим значением к.п.д. и незначительными искажениями сигнала 3- Большим значением к.п.д. и значительными искажениями сигнала 4- Большим значением к.п.д. и незначительными искажениями сигнала |
|
173 |
Работа усилительного каскада в режиме класса В отличается от работы в других классах |
1-Небольшим значением к.п.д. и значительными искажениями сигнала 2-Небольшим значением к.п.д. и незначительными искажениями сигнала 3-Большим значением к.п.д. и значительными искажениями сигнала 4-Большим значением к.п.д. и незначительными искажениями сигнала |
|
174 |
Какая из схем включения биполярных транзисторов переворачивает фазу сигнала на 1800? |
1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК |
|
175 |
Какая из схем включения биполярных транзисторов называется эмиттерным повторителем? |
1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК |
|
176 |
Какая из схем включения биполярных транзисторов обладает максимальным коэффициентом усиления по мощности? |
1- ОЭ 2- ОБ 3- ОК |
|
177 |
Как определяется коэффициент усиления каскада, охваченного отрицательной обратной связью? |
1- 2- 3- 4- |
|
178 |
Как переводится значение коэффициента усиления по напряжению из относительных единиц в дБ? |
1- 2- 3- |
|
179 |
Как влияет увеличение сопротивления RK резистора на коэффициент усиления по напряжению в схеме усилительного каскада с ОЭ? |
1- Увеличивает 2- Уменьшает |
|
180 |
Можно ли построить выпрямитель без силового трансформатора?
|
1 Можно при синусоидальном напряжении питания 2 Нельзя из-за опасности пробоя диодов 3 Нельзя, если форма напряжения не синусоидальная 4 Можно в любом случае |
|
181 |
Можно ли построить выпрямительную схему без вентилей (диодов)? |
1 Можно на резисторах 2 Можно на конденсаторах 3 Можно на катушках индуктивности 4 Можно на транзисторах 5 Нельзя |
|
182 |
Как изменится напряжение стабилизации на выходе ПСН при изменении входного напряжения ? |
1 Не изменится 2 Возрастет при возрастании UВХ 3 Уменьшится при возрастании UВХ 4 Сначала возрастет до UСР, а потом уменьшится |
|
183 |
Как изменится ток, протекающий через стабилитрон в ПСН, если RБ = 200 Ом, а входное напряжение изменилось на 2 В ? |
1 Ток через стабилитрон не изменится 2 При возрастании UВХ стабилитрон прикроется и ток уменьшится на 10 мА 3 При возрастании UВХ стабилитрон приоткроется и ток возрастет на 10 мА |
|
184 |
Как изменится напряжение стабилизации на выходе ПСН при возрастании температуры ? |
1 UСТ уменьшится 2 UСТ увеличится 3 UСТ не изменится |
|
185 |
Определить ток стабилитрона IСТ, если входной ток IВХ = 50 мА, а ток в нагрузке IН =30 мА. |
1 IСТ= 80 мА 2 IСТ= 20 мА 3 IСТ= 40 мА 4 IСТ= 60 мА 5 IСТ= 150 мА |
|
186 |
Сопротивление резистора RБАЛ= 200 Ом. Как изменится ток стабилитрона IСТ(при UCТ=const), если входное напряжение UВХ возрастет на величину UВХ=2B ?
|
1 Ток стабилитрона IСТ не изменится 2 Ток стабилитрона IСТ уменьшится на величину 10 мА 3 Ток стабилитрона IСТ возрастет на величину 10 мА 4 Ток стабилитрона IСТ уменьшится на величину 20 мА 5 Ток стабилитрона IСТ возрастет на величину 20 мА
|
|
187 |
Для чего в параметрическом стабилизаторе напряжения используется резистор RБ ?
|
1 Для защиты стабилитрона от пробоя 2 Для ограничения тока стабилитрона 3 Для уменьшения температуры стабилитрона 4 Для гашения избыточного напряжения UВХ 5 Для задания напряжения стабилизации |
|
188 |
Что произойдет со стабилитроном, если закоротить резистор RН?
|
1 Ничего не произойдет 2 Он выйдет из строя 3 Увеличится его нагрев 4 Уменьшится его нагрев
|
|
189 |
Как отреагирует делитель напряжения на одинаковых резисторах RБ и RН, если параллельно RН включить стабилитрон с UСТ > UВХ/2 при указанной полярности UВХ?
|
1 Никак не отреагирует 2 UВЫХ на RН увеличится 3 UВЫХ на RН уменьшится 4 Возрастет ток через RН 5 Уменьшится ток через RН
|
|
190 |
Как отреагирует делитель напряжения на одинаковых резисторах RБ и RН, если параллельно RН включить стабилитрон с UСТ < UВХ/2 при указанной полярности UВХ?
|
1 Никак не отреагирует 2 UВЫХ на RН увеличится 3 UВЫХ на RН уменьшится 4 Возрастет ток через RН 5 Уменьшится ток через RБ
|
|
191 |
Если ток через диод выпрямительной схемы превышает IVD ДОП, то необходимо: |
1 Включить несколько VD последовательно 2 Включить несколько VD параллельно 3 Зашунтировать VD резистором с R < RПР VD 4 Зашунтировать VD резистором с R < RОБР VD |
|
192 |
Если обратное напряжение на диоде выпрямительной схемы превышает UVD ОБРДОП, то необходимо: |
1 Включить несколько VD параллельно 2 Включить несколько VD последовательно 3 Зашунтировать VD резистором с R < RПР VD 4 Зашунтировать VD резистором с R < RОБР VD |
|
193 |
В каких цепях наиболее эффективно работают емкостные фильтры? |
1 Не имеет значения 2 В цепях с низкоомной нагрузкой 3 В цепях с высокоомной нагрузкой 4 В цепях переменного тока 5 В цепях постоянного тока |
|
194 |
В каких цепях наиболее эффективно работают индуктивные фильтры? |
1 Не имеет значения 2 В цепях с низкоомной нагрузкой 3 В цепях с высокоомной нагрузкой 4 В цепях переменного тока 5 В цепях постоянного тока |
|
195 |
Какое минимальное число простейших каскадов RC – фильтров должно входить в цепь положительной обратной связи RC – генератора с одним каскадом усиления, выполненный по схеме с общим эмиттером |
1 1 2 2 3 3 |
|
196 |
Что такое “относительная нестабильность частоты”? |
1 fГЕН – fЗАД 2 (fГЕН + fЗАД) / 2 3 (fГЕН – fЗАД) / fЗАД 4 (fГЕН + fЗАД) / fГЕН |
|
197 |
Какими свойствами обладает кварцевый резонатор в диапазоне частот между последовательным и параллельным резонансами? |
1 Емкостными 2 Индуктивными 3 Резистивными 4 Температурной стабильностью |
|
198 |
Как создаются условия баланса фаз в однокаскадных RC генераторах?
|
1 С помощью диодных схем 2 С помощью RC делителей напряжения 3 С помощью RC фазовращателей 4 С помощью RC усилителей |
|
199 |
Как создаются условия баланса фаз в двухкаскадных RC генераторах? |
1 С помощью RC делителей напряжения 2 С помощью RC фазовращателей 3 С помощью RC полосовых фильтров 4 С помощью RC лестничных фильтров |
|
200 |
Чем ограничивается амплитуда колебаний в генераторе LC типа? |
1 Напряжением источника питания 2 Нелинейностью амплитудной характеристики транзистора 3 Температурным режимом транзистора 4 Возможностью пробоя p-n переходов |
|
201 |
Какое назначение двойного Т-образного фильтра в схеме усилителя?
|
1 2Т-фильтр служит для подавления сигнала ООС на определенной частоте 2 2Т-фильтр служит для выделения сигнала ООС на определенной частоте 3 2Т-фильтр переворачивает фазу сигнала с выхода ЭУ на его входе 4 2Т-фильтр служит для выделения постоянной составляющей на выходе ЭУ
|
|
202 |
В генераторе RC типа нет колебательного контура. Каким же образом возникают колебания? |
1 За счет переходных процессов в транзисторе 2 За счет избирательности фазосдвигающей цепочки 3 За счет действия ПОС в переходном процессе 4 За счет тепловых флуктуаций в транзисторе
|
|
203 |
Какой из приведенных ниже сигналов я вляется радиоимпульсом? |
1 Сигнал а) 2 Сигнал б) 3 Сигнал в) 4 Все сигналы радиоимпульсы 5 Здесь нет радиоимпульсов
|
|
204 |
Какое определение радиоимпульса правильное? |
1 Это импульсы, используемые в радиовещании 2 Это кратковременно действующее ВЧ колебание, не имеющее постоянной составляющей 3 Это кратковременно действующее ВЧ колебание, имеющее постоянную составляющую 4 Это двухполярные прямоугольные колебания |
|
205 |
Какой из приведенных ниже сигналов является видеоимпульсом?
|
1 Сигнал а) 2 Сигнал б) 3 Сигнал в) 4 Сигнал г) 5 Здесь нет видеоимпульсов 6 Все сигналы видеоимпульсы
|
|
206 |
Дайте определение видеоимпульса |
1 Это кратковременно действующее U или I, возрастающее от некоторого уровня до максимума и спадающее затем до исходного уровня 2 Это импульсы, используемые в видеотехнике 3 Это кратковременное действующее U или I, возрастающее от некоторого уровня до максимума и спадающее затем до нулевого уровня 4 Это кратковременное отклонение I или U от некоторого установившегося значения
|
|
207 |
Чем объяснить отличие формы реального прямоугольного импульса от идеального?
|
1 Это вызвано внутренним сопротивлением источника питания 2 Эти обусловлено наличием обратной связи в усилительных элементах 3 Эти обусловлено наличием паразитных емкостей и индуктивностей в элементах схемы 4 Это связано с динамическими возможностями осциллографа
|
|
208 |
Чем в основном определяется длительность фронтов прямоугольного импульса?
|
1 Длительностью переходных процессов в усилительных элементах схемы 2 Длительностью переходных процессов в пассивных элементах схемы 3 Наличием внутреннего сопротивления источника питания
|
|
209 |
Как определяется крутизна фронта прямоугольного импульса? |
1 2 3 4 |
|
210 |
Как определяется коэффициент заполнения последовательности прямоугольных импульсов? |
1 2 3 4 |
|
211 |
Что такое среднее значение импульсной последовательности? |
1 Это величина постоянной составляющей напряжения импульсной последовательности 2 Это среднее значение амплитуды импульсов 3 Это среднее арифметическое амплитуды двух смежных импульсов 4 Это значение напряжения за половину периода импульсной последовательности |
|
212 |
Как определяется среднее значение напряжения импульсной последовательности? |
1 2 3 4 UСР = Um / 2 5 UСР = UmtИ / 2 |
|
213 |
Какой процесс называется переходным процессом? |
1 Процесс перехода электрической цепи от одного установившегося режимак другому 2 Процесс изменения U или I во времени 3 Процесс изменения физических свойств элементов цепи. |
|
214 |
Чем отличаются процессы разряда и перезаряда конденсатора в RC цепи? |
1 Перезаряд происходит без внешнего источника. 2 Разряд происходит под действием внешнего источника 3 Разряд происходит без внешнего источника 4 Отличия нет |
|
215 |
Как изменяется напряжение на конденсаторе UC в RC цепи при подключении к ней скачком внешнего напряжения UВХ?
|
1 2 3 4
|
|
216 |
В каком диапазоне будет находиться напряжение на конденсаторе в RC цепи через время t =3 при подключении к ней скачком внешнего напряжения UВХ ?
|
1 (80 … 100) % от UВХ 2 (60 … 80) % от UВХ 3 (40 … 60) % от UВХ 4 (20 … 40) % от UВХ 5 (0 … 20) % от UВХ |
|
217 |
Какой параметр отличает транзисторный ключ от идеального ключа в разомкнутом состоянии? |
1 Ток IЭ 2 Ток IЭБ 3 Сопротивление БЭ перехода 4 Ток IКБО 5 Ток IК |
|
218 |
Какой параметр отличает транзисторный ключ от идеального ключа в замкнутом состоянии? |
1 Ток IБ 2 Напряжение UКБ 3 Напряжение UБЭ 4 Напряжение UКЭ 5 Ток IКБО |
|
219 |
Ч то изменится на выходе 2 при увеличении емкости конденсатора С1? |
1 Длительность импульса 2 Длительность паузы 3 Ничего не изменится 4 Увеличится длительность фронта 5 Уменьшится длительность фронта |
|
220 |
Ч то изменится на выходе 2 при увеличении сопротивления резистора RК 2? |
1 Длительность импульса 2 Длительность паузы 3 Ничего не изменится 4 Увеличится длительность фронта 5 Уменьшится длительность фронта
|
|
221 |
Ч то изменится на выходе 2 при увеличении сопротивления резистора RБ 2? |
1 Длительность импульса 2 Длительность паузы 3 Ничего не изменится 4 Увеличится длительность фронта 5 Уменьшится длительность фронта |
|
222 |
Стабильность частоты мультивибратора выше: |
1 На высоких частотах 2 Нв средних частотах 3 На низких частотах 4 Всегда постоянка |
|
223 |
От чего зависит стабильность частоты мультивибратора? |
1 От времени заряда конденсаторов 2 От времени разряда конденсаторов до 0 3 От времени перезаряда конденсаторов от +Ек до –Ек 4 От величины резисторов RК |
|
224 |
Ждущим называется мультивибратор, который с приходом управляющего импульса |
1 Начинает генерировать 2 Прекращает генерировать 3 Формирует одиночный импульс 4 формирует два разнополярных импульса
|
|
225 |
Какие причины не позволяют получить на выходе мультивибратора последовательность импульсов с большой скважностью? |
1 Низкая частота переключения VT 2 Инерционность конденсатора 3 Большое время заряда конденсатора 4 Быстрый разряд конденсатора |
|
226 |
В каком устройстве используется пилообразное напряжение?
|
1 в блокинг-генераторе 2 в мультивибраторе 3 в осциллографе 4 в ждущем мультивибраторе 5 в инверторе |
|
227 |
Какое из напряжений является амплитудным значением пилообразного напряжения?
|
1 1 2 2 3 Оба амплитудные 4 Здесь нет амплитудных |
|
228 |
С каких выводов устройства снимается выходной сигнал?
|
1 2 3 |
|
229 |
Какое назначение резистора RБ в данной схеме?
|
1 Переводит транзистор в класс А 2 Открывает транзистор до насыщения 3 Закрывает транзистор до отсечки 4 ВЧ коррекция ИУ 5 НЧ коррекция ИУ |
|
230 |
Рабочий ход на выходе простейшего ГПН формируется, когда транзистор |
1 Открыт 2 Закрыт 3 Открывается 4 Закрывается |
|
231 |
Как влияет длительность входного импульса tВХ на линейность выходного напряжения ГПН?
|
1 Линейность выходного напряжения выше, если длительность входного импульса tВХ мала 2 Линейность выходного напряжения выше, если длительность входного импульса tВХ велика 3 Время tВХ не влияет на линейность UВЫХ ГПН
|
|
232 |
Что характеризует коэффициент нелинейности ГПН? |
1 Отклонение UВЫХ ГПН от прямой линии 2 Крутизну UВЫХ 3 Относительное изменение скорости нарастания UВЫХ во время рабочего хода 4 Изменение тока заряда конденсатора |