- •Тема 1.1.4.: Микросхемы ттл. Общие положения, разновидности имс ттл. Имс с открытым коллектором с тремя выходными состояниями.
- •Основные положения.
- •2. Диодный логический элемент или (дизъюнктор, схема сборки).
- •3. Диодный логический элемент и (конъюнктор, схема совпадения).
- •4 . Транзисторный элемент не (инвертор).
- •5. Логический элемент и-не в интегральном исполнении (дтл).
- •6. Логический элемент и-не в интегральном исполнении (ттл).
- •6 .1. С резистором в коллекторе.
- •6.2. С открытым коллектором.
- •6.3. С тремя состояниями.
- •Основные положения.
- •2. Логические элементы кмоп.
- •2.1. Инвертор.
- •2.2. Логический элемент и-не.
- •2.3. Логический элемент или-не.
- •5. Основные положения, логический элемент эсл.
- •3. Особенности кмоп ис.
- •4. Основные серии ис кмоп-структур.
- •6. Особенности эсл ис.
- •Тема 1.1.6.: Сравнительная характеристика разных типов имс
- •Классификация интегральных микросхем.
- •Сравнительная характеристика разных типов имс
- •Тема 1.2.1: Таблица истинности комбинационных цифровых устройств (кцу). Минимизация, ее задачи.
- •Синтез комбинационных цифровых устройств.
- •Минимизация с помощью диаграмм Вейча (карт Карно).
- •Тема 1.2.2.: Построение кцу в базисах и, или, не; и-не, или-не.
- •1. Построение кцу в базисе и, или, не
- •2. Построение кцу в базисе и-не.
- •Построение кцу в базисе или-не
Тема 1.1.4.: Микросхемы ттл. Общие положения, разновидности имс ттл. Имс с открытым коллектором с тремя выходными состояниями.
1. Основные положения.
2. Диодный логический элемент ИЛИ.
3. Диодный логический элемент И.
4. Транзисторный элемент НЕ (инвертор).
5. Логический элемент И-НЕ в интегральном исполнении (ДТЛ).
6. Логический элемент И-НЕ в интегральном исполнении (ТТЛ).
6.1. С резистором в коллекторе.
6.2. С открытым коллектором
6.3. С тремя состояниями
Основные положения.
Ц ифровые интегральные схемы могут быть построены по-разному, на в их основе, как правило, лежат схемы, выполняющие функцию И-НЕ либо ИЛИ-НЕ. Поэтому интегральные суммы содержат обычно схемы И либо ИЛИ, выполненные на резисторах, диодах или транзисторах, и транзисторные инверторы. Транзисторный инвертор может быть простейшим – на одном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером, или сложным – многотранзисторным с каскадным включением транзисторов в выходном каскаде.
Uд 0,70,8 В
2. Диодный логический элемент или (дизъюнктор, схема сборки).
Элемент ИЛИ на диодах имеет два и более входов и один выход. Может работать и при потенциальном, и при импульсном представлении логического сигнала.
П ри подаче 1 (положительного потенциала +Е) хотя бы на один из входов (х1=1) отпирается диод Д1 и выход схемы оказывается соединенным со входом, поэтому на выходе появится высокий потенциал, близкий к +Е, т.е. 1. Остальные диоды при этом закрыты.
Подача 1 на любой другой вход или сразу на все входы приведет к отпиранию соответствующих диодов и на выходе будет 1.
3. Диодный логический элемент и (конъюнктор, схема совпадения).
Логический элемент И имеет один выход и два или более входа.
Если хотя бы на одном из входов действует 0 (х1=0), то диод Д1 открыт и выход схемы соединен через этот диод со входом х1, т.е. на выходе сигнал будет близок к 0. Только если на все входы х1, х2, … хn одновременно подаются сигналы логической 1, все диоды оказываются закрытыми и напряжение на выходе становится равным +Е, т.е. 1.
4 . Транзисторный элемент не (инвертор).
Элемент выполняет операцию НЕ только при потенциальной форме представления логических величин.
Если на входе элемента действует сигнал 0, то транзистор VT заперт отрицательным –Еб, а на выходе (коллекторе) действует большое положительное напряжение +Е (порядка 10 В), соответствующее логической 1.
При подаче на вход 1 VT откроется и на выходе схемы будет действовать напряжение, близкое к 0. При использовании в схеме кремниевого транзистора типа n-p-n не требуется специального источника базового смещения Еб. Это объясняется тем, что порог отпирания этих транзисторов довольно высок Uпор=0,5÷0,7В.
5. Логический элемент и-не в интегральном исполнении (дтл).
Н аиболее распростра-ненный базис при синтезе логических схем. Представляет собой сочетание диодной логической схемы И и транзисторного ключа – инвертора. Связь между схемами И и НЕ осуществляется через Дсм1 и Дсм2, которые обеспечивают уровень напряжения смещения на базе VT.
При подаче 0 на любой из входов соответствующие диоды открываются и на выходе схемы И в точке А будет действовать потенциал, близкий к 0, VT будет закрыт, а на выходе схемы напряжение будет близко к +Ек.