Питання 11

	Вказати співвідношення між струмами в біполярних транзисторах:			а	б	в	г
	а) ;	б) ;
	в) ;	г) .

	Коефіцієнт передачі біполярного транзистора в схемі із загальною базою дорівнює  = 0,95. Розрахувати коефіцієнт передачі для цього транзистора в схемі із загальним емітером - .			а	б	в	г

	На нижче приведених графіках 1, 2 і 3 представлені ідеалізовані ВАХ трьох типів діодів. Яким типам діодів вони відповідають?			а	б	в	г
	а) 1-Шотткі, 2-германієвий, 3-кремнієвий;	б) 1-германієвий, 2-Шотткі, 3-кремнієвий;
	в) 1-кремнієвий, 2-Шотткі, 3-германієвий;	г) 1-кремнієвий, 2-германієвий, 3-Шотткі.

	Визначити рухомість електронів (у см^2/Вс) в Si n-типу , якщо питома провідність  = 3,610^-6 Ом^-1см^-1; n = 1,510^10 см^-3; e = 1,610^-19 Кл.			а	б	в	г

	При якому значенні прямої напруги (у В) прямий струм діода дорівнює зворотному струму насичення. При Т = 300 К,  2,6  10^-2 В (вважати ln 2  0,7).			а	б	в	г

	Дрейфовий струм густиною j = 10 тече через кристал Si p –типа. Питомий опір зразка = 5 Омсм. Знайти швидкість дрейфу носіїв заряду (у см/с), якщо рухомість носіїв  = 0,510^3 .			а	б	в	г

	Визначити рухливість (у м^2/Вс) електронів в Si n – типу, якщо питомий опір = 1,810^-2 Омм, а коефіцієнт Холла R = = 2,110^-3 (вважати е = 1,610^-19 Кл).			а	б	в	г

	Дрейфовий струм густиною j = 0,1 А/см^2 тече через кристал Ge n–типа. Питомий опір зразка = 5 Омсм. За який час (у с) електрони проходять в кристалі відстань 5 мкм, якщо рухомість носіїв n = 2,510^3 см^2/Вс.			а	б	в	г

	Розрахувати ширину (у Дж) забороненої зони напівпровідника, якщо максимум спектральної фоточутливості приходиться на  = 500 нм (вважати h = 6,6310^-34 Джс, с = 310^8 м/с).			а	б	в	г

	Визначити концентрацію (у м ^-3)електронів в Si n-типу, якщо коефіцієнт Холла R = 2,110^-3 (вважати е = 1,610^-19Кл).			а	б	в	г

	При напрузі U1 через діод тече відповідний струм I1. Розрахувати в загальному виді вираз для напруги U2, якщо при ній струм I2 збільшується у 2 рази .			а	б	в	г

	В нелигованому кристалі Ge концентрація атомів  4,510^28 м^-3. При кімнатній температурі один з кожних 210^9 атомів іонізований. Знайти питому провідність Ge при кімнатній температурі, якщо n = 0,39 , p = 0,19 (вважати е = 1,610^-19Кл).			а	б	в	г

	Власна концентрація носіїв заряду , рухливість електронів , а дірок . Знайти питому провідність такого напівпровідника. (вважати е = 1,610^-19Кл).			а	б	в	г

	Власна концентрація носіїв заряду , рухливість електронів , а дірок . Питомий опір напівпровідника, який був легований акцепторною домішкою складає 0,05 . (вважати е = 1,610^-19Кл). Визначити концентрацію дірок.			а	б	в	г

	Транзистор працює в режимі ключа. Значення колекторного живлення , колекторний опір , опір в колі бази . Якому значенню приблизно дорівнює колекторний струм в режимі насичення відкритого транзистора			а	б	в	г