- •2) Движение электрона в тормозящем электрическом поле.
- •3) Движение электрона в поперечном электрическом поле.
- •4) Движение электрона в магнитных полях.
- •5) Зонная энергетическая диаграмма.
- •1) Собственная проводимость полупроводников
- •2) Примесная проводимость полупроводников
- •3) Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках
- •2) Примесная проводимость проводников.
- •3) Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках.
- •1) Образование электронно-дырочного перехода
- •2) Прямое и обратное включение p-n перехода
- •3) Свойства p-n перехода
- •2) Прямое и обратное включение p-n перехода.
- •1) Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов
- •2) Конструкция полупроводниковых диодов
- •3) Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводни- ковых диодов
- •3) Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов.
- •1) Общая характеристика выпрямительных диодов
- •2) Включение выпрямительных диодов в схемах выпрямителей
- •2) Варикапы.
- •1) Импульсные диоды
- •2) Диоды вч
- •3) Свч диоды
- •1) Классификация и маркировка транзисторов
- •2) Устройство биполярных транзисторов
- •3) Принцип действия биполярных транзисторов
- •3) Схема включения с общим коллектором.
- •1) Статические характеристики транзистора по схеме об
- •2) Статические характеристики транзистора по схеме оэ
- •2) Статические характеристики транзистора по схеме оэ
- •Iкбо Iб1
- •2) Определение h-параметров по статическим характеристикам
- •1) Температурное свойство транзисторов
- •2) Частотное свойство транзисторов
- •3) Фототранзисторы
- •2) Основные параметры тиристоров.
- •Iо Iвкл
- •3) Тринисторы.
- •4) Понятие о симисторах.
- •Выпрямление переменного тока.
- •Выпрямители переменного тока.
- •Сглаживающие фильтры.
2) Основные параметры тиристоров.
Напряжение включения (Uвкл) – это напряжение, при котором ток через динистор на- чинает сильно возрастать.
Ток включения (Iвкл) – это ток, соответствующий напряжению включения.
Ток выключения (Iвыкл) – это минимальный ток через тиристор, при котором он остаётся ещё во включённом состоянии.
Остаточное напряжение (Uост) – это минимальное напряжение на тиристоре во вклю- чённом состоянии.
I
Iвыкл
Iо Iвкл
Uост
Рис. 111
Uвкл U
Ток утечки (Io) – это ток через тиристор в выключенном состоянии при заданном напряжении на аноде.
Максимально допустимое обратное напряжение (Uобр.max). Максимально допустимое прямое напряжение (Uпр.max).
Время включения (tвкл) – это время, за которое напряжение на тиристоре уменьшится до 0,1 напряжения включения.
Время включения (tвыкл) – это время, за которое тиристор переходит из включённого в выключенное состояние.
3) Тринисторы.
А +
p
Iупр +
Еу
Евн
n
К
-
I
Iупр2>Iупр1
Iупр1>0
Iупр=0
0
U
Рис. 112
Рис. 113
Тринисторы можно включать при напряжениях, меньших напряжения включения динистора. Для этого достаточно на одну из баз подать дополнительное напряжение таким образом, что- бы создаваемое им поле совпадало по направлению с полем анода на коллекторном переходе. Можно подать ток управления на вторую базу, но для этого на управляющий электрод необхо- димо подавать напряжение отрицательной полярности относительно анода, и поэтому разли- чают тринисторы с управлением по катоду и с управлением по аноду.
На рисунках 114 – 119 изображены условные графические обозначения (УГО) рассматривае- мых в данной теме приборов. На рисунке 114 – УГО динистора, на 115 – тринистора с управ-
лением по катоду, на 116 – тринистора с управлением по аноду, на 117 – неуправляемого си- мистора, на 118 – симистора с управлением по аноду, и на 119, соответственно, симистора с управлением по катоду.
А К К А
А К
Рис. 114
Рис. 115
У.Э.
Рис. 116
У.Э.
Рис. 117 Рис. 118 Рис. 119
Маркировка расшифровывается так:
КН102Б – кремниевый динистор; КУ202А – кремниевый тринистор. Первая буква «К» обозна- чает материал кремний. Вторая – тип прибора – динистор или тринистор. Третья группа – трёхзначный цифровой код, и четвёртая группа, расшифровываются так же, как и все рассмот- ренные ранее полупроводниковые приборы.