1.5 Допустимые электрические и тепловые параметры

Максимально допустимые электрические и тепловые параметры – это такие параметры, которые не должны быть превышены при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность работы транзистора.

Максимально допустимые напряжения: U_КБmах; U_КЭmах, U_ЭБmах. Это такие предельные напряжения, при которых транзистор не теряет своих электрических свойств. Превышение этих напряжений не допускается, т.к. может наступить электрический пробой.

Максимально допустимая рассеиваемая мощность коллектора P_к.max - наибольшая мощность, рассеиваемая коллектором транзистора при температуре окружающей среды Тс (или корпуса Tк).

Различают три основные причины нестабильности тока коллектора при изменении температуры. Прежде всего, от температуры существенно зависит обратный ток коллекторного перехода I_КБО. Напряжение база – эмиттер с ростом температуры уменьшается. Коэффициент передачи тока базы B (h₂₁) с увеличением температуры переходов увеличивается. Все указанные факторы приводят к увеличению тока коллектора при увеличении температуры.

Превышение температуры выше допустимой может привести к пробою транзистора по току.

Частотные свойства транзисторов принято характеризовать предельной частотой коэффициента передачи тока h_2l. Это частота, на которой модуль коэффициента передачи тока уменьшается в 1,41 раза, т. е. на 3 дБ по сравнению с его значением на низкой частоте.

Граничной частотой коэффициента передачи тока базы в схеме ОЭ называют такую частоту f_гр, на которой модуль коэффициента B становится равным единице.

2. МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К ВЫПОЛНЕНИЮ РАБОТЫ

2.1 Классификация и система обозначений биполярного транзистора

Система обозначений современных типов транзисторов установлена соответствующим отраслевым стандартом [3].

Первый элемент (цифра или буква) обозначает исходный полупроводниковый материал. Второй элемент определяет подкласс транзисторов. Третий – функциональные возможности транзистора. Четвертый – порядковый номер разработки технологического типа транзистора. Пятый – обозначает дополнительные параметры транзистора в данной разработке.

Исходный материал обозначают:

Г или 1, – германий или его соединения (Ge);

К или 2, – кремний или его соединения (Si);

А или 3, – соединения галлия (арсенид галлия), (GaAr);

И или 4, – соединения индия (In).

Подкласс прибора: Т – биполярный транзистор, П – полевой транзистор.

Третий элемент отражает допустимую мощность рассеяния и граничную

8

частоту. 101 - 199, 201-299, 301-399 – транзисторы малой мощности (Р_к.доп не более 0,3 Вт) с граничной частотой не более 3 МГц, не более 30 МГц, и более 30 МГц соответственно. Аналогичная индексация для транзисторов средней мощности (Р_к.доп до 1,5 Вт) 401, 501, 601. Большой мощности (Р_к.доп более 1,5 Вт) – 701, 801, 901.

Порядковый номер разработки обозначается цифрами от 01 до 99 (в последнее время появились разработки с номерами от101 до 999)

Дополнительные параметры обозначают буквами русского алфавита. Например, транзистор КТ301А – кремниевый транзистор биполярный, высокочастотный, малой мощности, разработки 01, разновидности А.

Обозначение транзистора на принципиальных схемах нормировано и приведено на рисунке 2. Представлен биполярный транзистор типа n-p-n.

Направление стрелки эмиттера показывает положительное направление протекания тока эмиттера и коллектора.

Изображение транзистора с выводами можно поворачивать на 90 градусов. Стандарт разрешает не изображать окружность.