- •1.Базовые единицы системы си.
- •1.Основные и производные единицы измерения с-мы си.
- •Основными единицами Международной системы единиц си (si) являются:
- •Производными единицами Международной системы единиц являются:
- •3)Электронная оптика является основным инструментом в электронных мик-
- •3)Обратный термоэлектрический эффект.В спае из 2 проводников с разным ко-
- •1.Реализация единицы температурной шкалы
- •3. Магното-электр. И электро-магнитный эффекты.
- •3. Термоэлектр. И терморезистивный эффекты.
- •2.Обратный пьезо-электрический эффект.
- •1.Мех.В немех.
- •2. Электронно-лучевая оптика
- •3. Единицы температурной шкалы
- •1.Основы методов визуализации узи
- •2)Методы визуализации узв классифицируются на:
- •2) Электронно-лучевая оптика
- •3)Механические испытания материалов.
- •3. Обратный пьезо-электр. Эффект.
- •Вторичные преобразов. Механич. Воздействий в немеханические.
- •Магнитоэлектрический и электромагнитный эффект.
БИЛЕТ №1
1.Базовые единицы системы си.
В системе СИ существуют основные(базовые) единицы измерения. В основу которых положены эталоны и производные, состав. из базовых единиц: метр, килограмм, секунда, моль, кандела, ампер, кельвин.
Метр: существует 3 варианта: а)принять за основу длину математического маятника, соверщ-го колебания с Т=1с. б)одну четвертую часть экваториальной части Земли. в) одну четвертую часть меридиана, проходящего через Париж.(для этого был применён метод триангуляции- метод нахождения объекта в мировом океане, относительно неподвижной звезды. За эталон принято одна 7 млн. часть 4-ой части мериадана,измеренной в туазах(франц.мера ед.длины)).
В качестве эталона ед.массы(кг)был принят платиноиридиевый стержень около 39 мм в высоту и 39 мм в диаметре.
За основу времени(с) были приняты 6 эфемерид- расчетные орбиты, движение небесных тел.(вращение Земли вокруг оси, //-//-// вокруг Солнца,//-//-// относит. Неподвижной звезды и продолжительностью в 3 года:тропического(число солнечных средних суток),сидерического, аномалистического).
За единицу кол-ва вещества(моль) принята масса одной 12 части изотопа углерода.
За единицу силы света (кандела)было принято излучение платиновой лампы.
При создании эталона t шкалы были рассмотрены 4 вида измер.шкал: а)Цельсия, б)Фаренгейта, в)Кельвина, г)Реомюра.
За единицу силы тока ампер (А) – сила неизменяющегося тока, который при прохождении по двум параллельным проводникам бесконечной длины и ничтожно малой площади кругового поперечного сечения, расположенным в вакууме на расстоянии 1 м один от другого, вызвал бы на каждом участке проводника длиной 1 м силу взаимодействия, равную 2·10-7 Н;
2.физ.основы рентгеновской дефектоскопии.
В основе метода лежит ослабление энергии электро-магнитной волны радиоактивного излучения, проходящего по объёму контролируемого объекта.За счет поглощения энергии определ. Размеры дефекта и их плотность. Если плотность дефекта выше чем плотность осн. Материала,в этой зоне энергия излучения уменьшена.,если дефект в виде пустоты или воздушных пор, то энергия проходящей волны по сравнению с осн.материалом была выше. При рентгенодефектоскопии преимущественно применяются электромагнитные волны ɤ-излучения.В биологических исследованиях волны α- и β-излучения.
Рисунок.
1-катод с термоэлектронной эмиссией.2-электромагнитная фокусирующая линза.3-ускоряющая разность потенциалов.4-анод.5-радиоактивные эл-ты, вкраплённые в анод.7-дефекты.
За счет термоэлектронной эмиссии на поверх. катода появл. Электронное облако, кот. С помощью электромагнитной фокусирующей с-мы собираются в пучок и под действием ускоряющей разности потенциалов направляются на анод. при переходе энергии электронов к пластинкам радиоактивного материала формируется, в зависимости от передаваемой энергии, поток α-β- или ɤ-частиц,кот. Устремляются к материалу, имеющему тот же потенциал, что и анод. По вел-не ослабления энергии определяется зона дефекта и плотность.
3.обратный пьезо-электр. Эффект.
Он заключается в том, что некоторые виды сигнето-электриков, помещенные в переменные электромагнитные поля начинают упруго деформироваться в объеме кристаллической решетки, зерна, и кристалла в целом. Упругая деформация происходит за счет поляризации частиц атомной структуры кристалла в зависимости от направления линий напряженности магнитного поля. В обычном состоянии элементарные частицы, не являющиесяч узловыми атомами кристаллической решетки имеют хаотически разбросанную ориентацию. В силу энерционности структуры кристалла частота и амплитуды упругих колебаний кристалла отличается от амплитудно-частотных характеристик электрического тока, который создает магнитное поле. Частота колебаний кристалла составляет от 1 до 100 МГц (ультразвуковой диапазон). Высокая частота распространения ультразвуков. Колебаний (ультразв.волн) позволяют формировать их в виде узкого пучка, который распространяется по газообразным, жидким и твердым средам в соответствии с законами геометрической оптики,т.е. преломляется ,отражается и поглощается подобно лучу света.
Билет №2.