Политехнический колледж № 39

УТВЕРЖДАЮ Зам директора по УР __________________ Стрельникова Т.А.	ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 16 Дисциплина: Электронная техника	СОГЛАСОВАНО Председатель предметной комиссии ________________ Жданова И.М.
«___» апреля 2010 г.	Группы: ВМ-25, ВМ-21	«___» апреля 2010 г.

1 Полевые транзисторы с управляемым p-n- переходом

Полевые (униполярные) транзисторы - это транзисторы, в которых ток образуется одним видом носителей заряда (ток стока создаётся только основными носителями ПП, из которого изготовлен транзистор). Недостатки БТ: малое R_вх. (несколько десятков Ом), инерционность. У ПТ (ПТ С УПРАВЛЯЕМЫМ p-n ПЕРЕХОДОМ на рисунке) входное сопротивление высокое: ПТ с управляемым p-n переходом имеют сопротивление 10⁶-10⁹ Ом, у ПТ с изолированным затвором - 10¹³-10¹⁵ Ом. Классификация: 1.ПТ с управляемым p-n переходом 2.ПТ с изолированным затвором 2.1Со встроенным каналом 2.2С индуцированным каналом. Через сопротивление нагрузки к стоку подводится положительное напряжение, называемое стоковым напряжением Е_с . Под действием стокового напряжения между стоком и истоком создается электрическое поле, которое для электронов, испускаемых истоком, является ускоряющим. Электроны, ускоряемые силой электрического поля, попадают на сток, проходя через поперечное сечение транзистора, созданное p-n – переходом. Это сечение называют каналом транзистора, поэтому полевой транзистор и называют канальным. Площадь поперечного сечения (канала), а вместе с ним и внутреннее сопротивление транзистора изменяется под действием напряжения, приложенного к затвору относительно истока. При подаче на затвор отрицательного напряжения ширина запорного слоя увеличивается в направлении канала, площадь канала уменьшается, ток уменьшается. Т.о., изменяя отрицательное напряжение на затворе, можно управлять током стока. В отличие от БТ полевой транзистор управляется входным напряжением. Выходная или стоковая характеристика п олевого транзистора с управляющим p-n – переходом:

2. Схемы смещения усилителей.

3. Задача. Во сколько раз изменится напряжение сигнала на выходе

усилителя, если его усиление возрастает до 40 дБ?

Решение: к_дб=20lg*к

Политехнический колледж № 39

УТВЕРЖДАЮ Зам директора по УР ___________________ Стрельникова Т.А.	ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЙ БИЛЕТ № 17 Дисциплина: Электронная техника	СОГЛАСОВАНО Председатель предметной комиссии _______________ Жданова И.М.
«___» апреля 2010 г.	Группы ВМ-25, ВМ-21	«___» апреля 2010 г.

1. Биполярные транзисторы (определение, структура, уго, принцип работы).

Т ранзисторы – это ПП приборы, имеющие три области и три вывода и предназначенные для усиления, генерирования электрического сигнала. Транзисторы бывают биполярные (два вида носителей заряда)и униполярные - полевые (один вид носителей заряда). БТ (биполярные транзисторы) имеют два p-n- перехода, три вывода: Э (эмиттер), К (коллектор), Б (база).

Ф изические процессы в биполярном транзисторе. При использовании транзистора в режиме усиления эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный – в обратном. Назначением эмиттерного перехода является инжекция (впрыскивание) основных носителей заряда в базовую область. При прямом смещении эмиттерного перехода количество неосновных носителей в базе вблизи него возрастает. В результате в базовой области создается диффузионный ток. Неосновные носители базы под действием ускоряющего поля втягиваются в область коллектора, что приводит к созданию в его цепи управляемого коллекторного тока. Важным параметром транзистора является коэффициент передачи тока эмиттера, который равен отношению приращения тока коллектора к приращению тока эмиттера при неизменном напряжении на коллекторном переходе. α = ΔI_k / ΔI_э ; Данный коэффициент мало отличается от единицы α = 0,95-0,99. При малых значениях обратного тока коллекторный ток I_k = α*I_{э .}Базовый ток стремятся сделать как можно малым, так как I_k = I_э - I_б . Это достигается уменьшением ширины базовой области и концентрации в ней примеси. Поскольку коллекторный ток является частью эмиттерного, а эмиттерный ток можно изменять, регулируя потенциал базы, то транзистор является прибором, для усиления и генерирования электрических колебаний. I_э=I_к+I_б I _к=α*I_э.

а ) общей базой, б) с общим эмиттером, в) с общим коллектором. Существуют 4 режима работы транзистора: 1)усилительный режим - в этом режиме эмиттерный переход смещается прямо, а коллекторный обратно. 2)Режим насыщения - оба перехода прямо смещены через транзистор проходят большие токи. 3)Режим отсечки - оба перехода обратно смещены. 4)Режим инверсирования. Схема включения БТ с общим эмиттером усиливает ток в сотни раз. Параметры БТ: r_э - внутреннее сопротивление эмиттерного перехода, r_{к -} внутреннее сопротивление коллекторного перехода, r_б - сопротивление базы. Предельно допустимые параметры транзистора: T_max =(Si)150-200⁰C, (Ge)50-100⁰C. P_{рассеиваемая транзистором max}=T_max-T_{окр.среды}/R_{при tокр.среды.}, где R - тепловое сопротивление. U_max (коллекторного перехода). Температурные свойства транзисторов. Основной причиной температурной нестабильности транзистора является зависимость обратного тока коллектора от температуры. При увеличении температуры на 10⁰С коллекторный ток увеличивается в 2 раза.