- •Условное обозначение, структура и характеристики выпрямительного диода.
- •2. Условное обозначение, структура и характеристики стабилитрона.
- •3. Условное обозначение, структура и характеристики биполярного транзистора.
- •4. Режимы работы биполярного транзистора. Соотношения между токами.
- •5. Условное обозначение, структура и характеристики полевого транзистора.
- •6. Принцип действия полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход.
- •7. Принцип действия полупроводниковых приборов. Переход металл- диэлектрик – полупроводник.
- •8.Принцип действия полупроводниковых приборов. Переход Шоттки.
- •16()Логические элементы цифровых устройств. Типы и характеристики логических элементов.
- •18. Типовые кцу. Полусумматор. Реализуемая функция, таблица истинности, структурная схема.
- •19.Типовые кцу. Одноразрядный сумматор. Реализуемая функция, таблица истинности, структурная схема.
- •20. Типовые кцу. Одноразрядный полусумматор. Реализуемая функция, таблица истинности, структурная схема.
- •22.Типовые кцу. Сумматор паралелльный. Реализуемая функция, структурная схема
- •Типовые кцу. Демультиплексор. Реализуемая функция, таблица истинности, структурная схема.
- •26.Типовые кцу. Преобразователи кодов. Реализуемая функция, таблица истинности структурная схема.
- •27.Триггеры. Общие понятия.
- •28.Асинхронный rs-триггер. Структура, схемное обозначение, таблица переключений, временная диаграмма работы.
- •29.Синхронный rs-триггер. Структура, схемное обозначение, таблица переключений, временная диаграмма работы.
- •30.Синхронный jk-триггер. Cхемное обозначение, таблица переключений, временная диаграмма работы.
- •31.Двухступенчатый rs-триггер. Структура, схемное обозначение.
- •33.Счетный т- триггер. Схемы построения.
- •34.Последовательностные цифровые устройства. Запоминающий регистр. Назначение, структура.
- •35.Последовательностные цифровые устройства. Регистр сдвига.. Назначение, структура.
- •41. Внешние запоминающие устройства взу. Назначение, структура, типы, характеристики.
- •42. Оперативные запоминающие устройства озу, созу, кэш. Назначение, структура, схемное обозначение.
- •43.Оперативные запоминающие устройства озу. Статические и динамические озу.
- •44. Постоянные запоминающие устройства пзу. Назначение, структура, типы.
- •45. Микропроцессоры. Основные понятия, параметры микропроцессоров.
- •46.Структура микропроцессора и основные параметры.
- •47. Регистровая структура микропроцессора.
- •48.Алу, назначение, выполняемые операции.
- •49.Операционный усилитель. Идеальный операционный усилитель. Преобразователи на операционных усилителях.
- •51.Понятие обратной связи. Усилители на операционном усилителе.
- •55.Энергетические преобразователи. Определение, классификация.
- •56.Типовые энергетические преобразователи – выпрямители.
- •57.Типовые энергетические преобразователи – стабилизаторы.
- •58. Усилительный каскад с общим эмиттером на биполярном транзисторе.
- •60.Опотоэлектр. Сис-мы Источники излучения.
- •61.Оптоэлектронные системы. Приемники излучения.
- •63.Устройства и элементы индикации. Электронно-лучевая трубка.
- •64.Устройства и элементы индикации. Жидкокристаллические индикаторы и дисплеи.
- •65. Плазменные элементы и панели
- •66.Устройства и элементы индикации. Основные тенденции развития.
Условное обозначение, структура и характеристики выпрямительного диода.
Пропускает ток при U>0
U 0- напряжение отпирания. Выпрямительными называют диоды, предназначенные для выпрямления переменного тока
2. Условное обозначение, структура и характеристики стабилитрона.
Стабилитрон- диод предназначенный
для работы в режиме электрического
пробоя
3. Условное обозначение, структура и характеристики биполярного транзистора.
Биполярный транзистор - трехэлектродный полупроводниковый прибор с двумя, расположенными на близком расстоянии параллельными pn - переходами.
транзистор состоит из трех основных областей: эмиттерной, базовой и коллекторной. К каждой из областей имеется омический контакт. Для того, чтобы транзистор обладал усилительными свойствами, толщина базовой области должна быть меньше диффузионной длины неосновных носителей заряда, т.е. большая часть носителей, инжектированных эмиттером, не должна рекомбинировать по дороге к коллектору.
Характеристики
4. Режимы работы биполярного транзистора. Соотношения между токами.
Втянутые в коллекторную область электроны образуют ток ik=αiээ Где α=0.9 …0.999 – коэф передачи тока эмиттера
(u – это к)
Активный инверсный режим можно получить поменяв точки подключения эмиттера и коллектора. При этом открыт переход «база-коллектор» , задающий ток коллектора, а эмиттера
Iэ =ik+ib: ik=βib+(1+β).
5. Условное обозначение, структура и характеристики полевого транзистора.
Принцип полевого транзистора базируется на изменении удельной электрической проводимости n/n материала
Полевой транзистор, канальный транзистор, полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. З – металл алюминий, Si – кремний, П – диэлектрик (окись кремния SiO2). 1 –проходная характеристика, 2 – выходная хар-ка.
6. Принцип действия полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход.
Электронно-дырочный переход - основной элемент биполярных приборов, pn - переход создают в кристалле изменением типа его проводимости, путем введения акцепторной и донорной примеси.
В зоне металл контакта наблюдается разность концентраций + и – зарядов . Диффузия электронов в р-слой и дырок в n-слой приводит к рекомбинации.
Приложение внешнего напряжения прямого направления снижает потенциальный барьер и приводит к возникновению тока.