- •1.Тонкие линзы.
- •2.Оптические системы.
- •3.Фотометрия.
- •7.Волновое число. Волновой вектор.
- •15. Понятие о гологpафии.
- •24. Закон Брюстера.
- •26.Закон Малюса.
- •27. Двойное лучепреломление.
- •37. Фотоны.
- •41. Опытное обоснование корпускулярно-волнового дуализма свойств вещества.
- •46. Уpавнение Шpедингеpа для стационаpных состояний.
- •54.Формула Бальмера.
- •55. Главное квантовое число.
- •56. Орбитальное квантовое число.
- •57. Магнитные квантовое числа.
- •64. Уpовень Феpми.
- •67. Сверхпроводимость.
- •68. Валентная зона и зона проводимости.
- •69. Заполнение зон в металлах, диэлектpиках и полупpоводниках.
- •70. Собственная проводимость.
- •73. Квазичастицы электроны проводимости и дырки.
- •76. Люминесценция.
- •81. Дефект массы и энергия связи ядра.
- •82. Строение атомных ядеp.
- •86. Понятие об ядерной энергетике.
- •90. Взаимная превращаемость элементарных частиц.
- •91. Сильные, электромагнитные, слабые и гравитационные взаимодействия.
- •92. Понятие об основных проблемах современной физики.
- •4.Волновые процессы.
- •5.Уравнение плоской синусоидальной волны.
- •6.Фазовая скоpость, длина волны.
- •8.Отражение плоской волны от границы двух диэлектриков.
- •9.Преломление плоской волны на границе двух диэлектриков..
- •10.Когерентность и монохроматичность световых волн.
- •11.Способы получения когеpентных источников в оптике.
- •14.Кольца Ньютона.
- •16. Принцип Гюйгенса – Френеля.
- •17 .Метод зон Френеля.
- •18.Метод векторных диаграмм.
- •19.Дифpакция Фpенеля на круглом отверстии и диске.
- •20.Дифpакция Фpаунгофеpа на одной щели.
- •21.Дифpакция Фpаунгофеpа на дифракционной решетке.
- •22.Поляpизация.
- •23.Поляризация света при отражении.
- •25.Естественный и поляризованный свет. Естественный и поляризованный свет.
- •28. Тепловое излучение.
- •29. Закон Кирхгофа.
- •30.Закон Стефана-Больцмана.
- •31.Закон смещения Вина.
- •33. Квантовая гипотеза и формула Планка.
- •34. Внешний фотоэффект.
- •35.Законы Столетова для фотоэффекта.
- •36.Уравнение Эйнштейна для фотоэффекта.
- •38.Масса фотона.
- •40.Гипотеза де Бройля.
- •39.Энергия и импульс фотона.
- •42 Соотношение неопpеделенностей.
- •45.Стационаpные состояния.
- •49 Квантование энергии и импульса частицы.
- •51.Постулаты Боpа.
- •52.Атом водорода.
- •53.Спектpы водоpодоподобных атомов.
- •58.Опыт Штерна и Герлаха.
- •59.Спин электрона.
- •60.Пpинцип Паули.
- •62.Число электpонных состояний в проводнике.
- •71.Пpимесная проводимость полупроводников.
- •78.Пpинцип работы квантового генеpатоpа.
- •79.Заряд, размер и масса атомного ядра.
- •83.Ядеpные реакции и законы сохранения.
- •84.Радиоактивные пpевpащения атомных ядер.
- •88.Элементарные частицы.
- •89.Классификция элементарных частиц.
- •72.Эффективная масса электрона в кристалле.
- •75.Эффективная масса электрона в кристалле.
- •80.Массовое и зарядовое число.
- •85.Цепная реакция ядерного деления.
- •43.Задание состояния микpочастицы.
- •44.Волновая функция и ее статистический смысл.
- •48.Частица в одномеpной бесконечно глубокой пpямоугольной потенциальной яме.
- •61. Распределение электронов в атоме по состояниям.
- •63. Распределение электронов проводимости в металле по энергиям при абсолютном нуле температуры.
- •65. Влияние температуры на распределение электронов.
- •Тонкие линзы.
70. Собственная проводимость.
Полупроводники, в которых свободные электроны и «дырки» появляются в процессе ионизации атомов, из которых построен весь кристалл, называют полупроводниками с собственной проводимостью. В полупроводниках с собственной проводимостью концентрация свободных электронов равняется концентрации «дырок».
Проводимость связана с подвижностью частиц следующим соотношением:
где ρ удельное сопротивление, μn — подвижность электронов, μp — подвижность дырок, Nn,p — их концентрация, q — элементарный электрический заряд (1,602×10−19 Кл). Для собственного полупроводника концентрации носителей совпадают, и формула принимает вид:
73. Квазичастицы электроны проводимости и дырки.
Квазичасти́ца — квант коллективного колебания или возмущения многочастичной системы, обладающий определённой энергией и, как правило, импульсом (например, фонон). Между квазичастицами и обычными элементарными частицами существует ряд сходств и отличий. Во многих теориях поля (в частности, в конформной теории поля) не делают вообще никаких различий между частицами и квазичастицами. истема электронов и дырок в полупроводниках есть система отрицательных и положительных зарядов, т. е. плазма. Главным источником квазичастиц — электронов (в зоне проводимости) и дырок (в валентной зоне) являются примеси. О зонном происхождении квазичастиц свидетельствуют эффективные массы, они различны у электрона и у дырки (и, конечно, различны в разных полупроводниках). Эффективные массы полупроводниковых квазичастиц, как правило, на порядок меньше, чем эффективные массы электронов металла. Можно также говорить об эффективном заряде полупроводниковых квазичастиц, который меньше заряда электрона, это является следствием экранирующего действия кристаллической решетки. Электрон и дырка в полупроводнике могут образовать связанное состояние — такой аналог атома водорода называется экситоном Ваннье-Мотта, при этом его радиус в сотни раз превышает характерное межатомное расстояние кристаллической матрицы, в которой он образуется. Наблюдаются даже аналоги водородных молекул —биэкситоны. При определенных условиях электронно-дырочная плазма может конденсироваться и образуется электронно-дырочная жидкость. Капли этой жидкости можно даже «гонять» из одного места полупроводникового кристалла в другое (например, с помощью давления). Это все наблюдаемые в эксперименте эффекты, так что описание полупроводника с помощью квазичастиц вполне надежно и весьма наглядно.
76. Люминесценция.
Люминесценция — нетепловое свечение вещества, происходящее после поглощения им энергии возбуждения. Впервые люминесценция была описана в XVIII веке.
Первоначально явление люминесценции использовалось при изготовлении светящихся красок и световых составов на основе так называемых фосфоров, для нанесения на шкалы приборов, предназначенных для использования в темноте. Особого внимания в СССР люминесценция не привлекала вплоть до 1948 года, когда советский учёный С. И. Вавилов на сессии Верховного совета предложил начать изготовление экономичных люминесцентных ламп и использовать люминесценцию в анализе химических веществ. В быту явление люминесценции используется чаще всего в люминесцентных лампах «дневного света» и электронно-лучевых трубках кинескопов. На использовании явления люминесценции основано явление усиления света, экспериментально подтверждённое работами В. А.Фабриканта и лежащее в основе научно-технического направления квантовой электроники, конкретно находящее своё применение в усилителях света и генераторах стимулированного излучения (лазерах).