- •Оглавление
- •Введение
- •Глава 1. МИКРОПРОЦЕССОРНЫЕ СИСТЕМЫ
- •1.1. Понятие архитектуры вычислительной системы. Структура аппаратной части и назначение основных функциональных узлов
- •1.2. Базовые параметры и технические характеристики ЭВМ
- •Контрольные вопросы к главе 1
- •Глава 2. СТРУКТУРА И ФУНКЦИОНИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОРА
- •2.2. Устройство управления с программируемой логикой
- •2.3. Устройство управления с жесткой логикой
- •2.4. Слово состояния процессора
- •2.5. Микроконтроллеры
- •2.6. Особенности организации однокристальных и секционных микропроцессоров
- •2.8. Архитектура и функционирование микропроцессора
- •Контрольные вопросы к главе 2
- •Глава 3. СИСТЕМЫ КОМАНД МИКРОЭВМ
- •3.1. Язык микроопераций для описания вычислительных устройств
- •3.2. Структура и формат команд микропроцессора и МПС
- •3.3. Программирование микропроцессора
- •Контрольные вопросы к главе 3
- •Глава 4. ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ АРХИТЕКТУРЫ И АППАРАТНОГО ОБЕСПЕЧЕНИЯ ЭВС
- •4.1. Требования различных задач к вычислительным ресурсам и ограничения фон-Неймановской архитектуры
- •4.2. Распараллеливание процессов обработки информации
- •4.3. Принцип совмещения операций. Конвейерная обработка информации
- •4.4. Архитектура процессоров с сокращенным набором команд
- •4.5. Применение кэш-памяти и повышение пропускной способности
- •4.6. Транспьютеры
- •4.7. Развитие новых архитектурных принципов
- •4.8. Оценка производительности скалярного процессора
- •Контрольные вопросы к главе 4
- •Глава 5. ОПЕРАТИВНАЯ ПАМЯТЬ
- •5.1. Классификация и иерархическая структура памяти ЭВМ
- •5.2. Запоминающие элементы статических ОЗУ
- •5.3. Запоминающие элементы динамических ОЗУ
- •5.4. Структуры матриц накопителей информации
- •5.5. Структура построения БИС статических ОЗУ и модулей памяти
- •5.6. Структура построения БИС динамических ОЗУ
- •5.7. Элементная база и организация постоянных запоминающих устройств
- •Контрольные вопросы к главе 5
- •Глава 6. ВНЕШНИЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА НА МАГНИТНЫХ НОСИТЕЛЯХ
- •6.1. Принцип записи двоичной информации на магнитную поверхность
- •6.3. Методы записи цифровой информации на магнитный носитель
- •6.4. Воспроизведение информации и повышение ее достоверности
- •6.5. Накопители на гибких магнитных дисках и их контроллеры
- •6.6. Накопители на жестких магнитных дисках типа винчестер и их контроллеры
- •6.7. Накопители на сменных магнитных дисках
- •6.8. Накопители на магнитной ленте
- •Контрольные вопросы к главе 6
- •Глава 7. ОПТИЧЕСКИЕ И МАГНИТООПТИЧЕСКИЕ ВЗУ
- •7.1. Лазерные системы и их применение в устройствах внешней памяти
- •7.2. Оптические диски
- •7.3. Магнитооптические диски
- •7.4.Устройство накопителя на оптических дисках
- •Контрольные вопросы к главе 7
- •Глава 8. ВЗУ НА ЦМД-СОДЕРЖАЩИХ МАТЕРИАЛАХ
- •8.1. Принципы возникновения цилиндрических магнитных доменов
- •8.2. Организация продвижения ЦМД
- •8.4. Структура ЦМД-микросхем памяти
- •8.5. Устройство ЦМД-накопителя
- •Контрольные вопросы к главе 8
- •Глава 9. ВЗУ НА ОСНОВЕ ГОЛОГРАФИИ
- •9.1. Носители информации голографических ЗУ
- •9.2. Создание голограмм
- •9.3. Воспроизведение голограмм
- •9.4. Голографические ЗУ двоичной информации
- •Контрольные вопросы к главе 9
- •Глава 10. ОРГАНИЗАЦИЯ БЕЗАДРЕСНОЙ И ВИРТУАЛЬНОЙ ПАМЯТИ
- •10.1. Стековая память
- •10.2. Ассоциативная память
- •10.3. Виртуальная память со страничной организацией
- •10.4. Структура виртуальной памяти при сегментном распределении
- •Контрольные вопросы к главе 10
- •Глава 11. НАЗНАЧЕНИЕ ПЕРИФЕРИЙНЫХ УСТРОЙСТВ
- •11.1. Классификация периферийных устройств
- •Контрольные вопросы к главе 11
- •Глава 12. УСТРОЙСТВА АВТОМАТИЧЕСКОГО СЧИТЫВАНИЯ ТЕКСТОВ
- •12.1. Устройства автоматического ввода печатных текстов
- •12.2. Методы распознавания образов печатных знаков
- •12.3. Устройства автоматического ввода рукописных текстов
- •12.4. Средства считывания и хранения графических изображений поврежденных рукописных текстов
- •12.5. Кодирование текстов для электронных публикаций
- •Контрольные вопросы к главе 12
- •Глава 13. УСТРОЙСТВА АВТОМАТИЧЕСКОГО ВВОДА ИЗОБРАЖЕНИЙ
- •13.1. Устройства автоматического ввода одноконтурных изображений
- •13.2. Устройства автоматического ввода многоконтурных и полутоновых изображений
- •13.3. Считывание цветных изображений
- •Контрольные вопросы к главе 13
- •Глава 14. УСТРОЙСТВА ПОЛУАВТОМАТИЧЕСКОГО ВВОДА ГРАФИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ - ДИГИТАЙЗЕРЫ
- •14.1. Устройство рабочего поля планшета
- •14.2. Структурная схема дигитайзера и ее функционирование
- •Контрольные вопросы к главе 14
- •Глава 15. УСТРОЙСТВА ВВОДА - ВЫВОДА РЕЧЕВОЙ ИНФОРМАЦИИ
- •15.1. Модель речи
- •15.2. Структурная схема анализатора речи
- •15.3. Структура устройств ввода речи
- •15.4.Устройства вывода речевой информации - синтезаторы
- •Контрольные вопросы к главе 15
- •Глава 16. УСТРОЙСТВА ОТОБРАЖЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ - ДИСПЛЕИ
- •16.1. Классификация дисплеев
- •16.2. Способы формирования изображения на экране телевизионного дисплея
- •16.3. Структурная схема текстового телевизионного дисплея
- •16.4. Структурная схема графического телевизионного дисплея
- •16.5. Устройство плоских экранов
- •Контрольные вопросы к главе 16
- •Глава 17. АВТОМАТИЧЕКИЕ УСТРОЙСТВА РЕГИСТРАЦИИ ГРАФИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ - ГРАФОПОСТРОИТЕЛИ
- •17.1. Классификация и устройство графопостроителей
- •17.2. Принципы работы графопостроителя по вычерчиванию
- •17.3. Структурная схема планшетного графопостроителя
- •17.4. Структурная схема растрового графопостроителя
- •Контрольные вопросы к главе 17
- •Глава 18. АППАРАТУРА ПРИЕМА-ПЕРЕДАЧИ ИНФОРМАЦИИ
- •18.1. Обобщенная структурная схема аппаратуры передачи дискретной информации
- •18.2. Характеристики аппаратуры передачи данных
- •18.3. Принципы организации интерфейсов
- •18.4. Классификация интерфейсов
- •Контрольные вопросы к главе 18
- •Глава 19. АВТОМАТИЧЕСКИЕ УСТРОЙСТВА ВВОДА-ВЫВОДА АНАЛОГОВОЙ ИНФОРМАЦИИ В ЭВМ
- •19.1. Назначение устройств ввода-вывода аналоговой информации в ЭВМ
- •19.2. Принципы построения ЦАП и АЦП
- •19.3. Принципы построения и программирование системы ввода-вывода аналоговой информации в ЭВМ
- •Контрольные вопросы к главе 19
- •Глава 20. КАНАЛЫ ВВОДА-ВЫВОДА И АППАРАТУРА СОПРЯЖЕНИЯ
- •20.2. Организация обмена массивами данных
- •20.3. Мультиплексный канал
- •20.4. Селекторный канал
- •20.5. Устройства сопряжения - мультиплексоры передачи данных
- •Контрольные вопросы к главе 20
- •Глава 21. УСТРОЙСТВА ЗАЩИТЫ ОТ ОШИБОК В ПЕРЕДАВАЕМОЙ ИНФОРМАЦИИ
- •21.1. Причины возникновения ошибок в передаваемой информации
- •21.2. Краткая характеристика способов защиты от ошибок
- •21.3.Обнаруживающие коды - с проверкой на четность и итеративный код
- •21.4. Корректирующий код Хэмминга
- •21.5. Циклические коды
- •21.6. Циклический код Файра как средство коррекции пакетов ошибок
- •Контрольные вопросы к главе 21
- •ЗАКЛЮЧЕНИЕ
- •Приложение 2
- •Приложение 3
- •Приложение 4
- •Приложение 5
- •Приложение 6
- •Приложение 7
- •Приложение 8
- •Приложение 9
- •Приложение 10
- •Приложение 11
- •Приложение 12
- •Приложение 13
- •Приложение 14
- •Приложение 15
- •Приложение 16
- •Приложение 17
- •Приложение 18
- •Приложение 19
- •Приложение 20
- •Приложение 22
- •Приложение 23
- •Приложение 24
- •Приложение 25
- •Приложение 26
- •Предметный указатель
- •Список литературы
Глава 8. ВЗУ на ЦМД-содержащих материалах |
149 |
В электронику обрамления входят генераторы токов для создания управляющего поля, усилители-формирователи считывания, схемы адресации (буфер адреса, регистр адреса, дешифратор адреса) и контроллер. Структурная схема ЦМД-накопителя приведена на рис. 8.11.
ШД |
|
Электроника обрамления |
ШД |
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Генератор |
|
ШУ |
|
к ЦПУ |
|
Конт- |
|
Нх |
|
Накопительный |
|
ЭВМ |
|
роллер |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
блок |
||
|
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
||
|
|
ввода- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ША |
|
вывода |
|
Генератор |
|
ША |
|
|
|
|
|
Ну |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 8.11. Укрупненная структурная схема ЦМД-накопителя
Выпускаемые серийно ЦМД-накопители превосходят по своим показателям электромеханические ВЗУ на магнитных носителях, что видно из таблицы. Микросборка типа 17110- 4 производства США, предназначенная для персонального компъютера, имеет информационную емкость 0,512 Мбайт, скорость передачи данных 0,4 Мбит/с. ВЗУ на ЦМД для миниЭВМ специального применения на базе микросборки типа 117А обладает емкостью 305 Мбайт при скорости обмена 1,6 Мбит/с.
Таблица 8.1. Сравнительные характеристики НМД и ЗУ на ЦМД
Параметр |
НМД |
ЗУ на ЦМД |
Емкость, Мбайт |
8 |
8 |
Скорость обмена информацией, Мбит/с |
2,5 |
1,6 |
Среднее время доступа, мс |
50 |
6 |
Потребляемая мощность, Вт |
0,5 |
0,05 |
Наработка на отказ, ч |
20000 |
200000 |
Однако существенным недостатком ЦМД-накопителей является сильная критичность к отрицательным значениям температуры окружающей среды: в режиме запись-чтение от 0 до +70 оС, в режиме хранения от - 40 до +100 оС. Однако ВЗУ на ЦМДсодержащих материалах заняли свое место в аппаратуре специального назначения благодаря таким качествам, как энергонезависимое хранение, радиационная стойкость, отсутствие механизмов и высокая отказоустойчивость. По результатам проведенных японскими производителями испытаний ЦМД-накопителя с техническими параметрами, подобными винчестерским, на каждые 10 6 операций отмечалось всего 1-2 ошибки.
Технические характеристики некоторых выпускаемых серийно ЦМД-накопителей приведены в приложении.
Контрольные вопросы к главе 8
1. За счет чего, в основном, показатели надежности функционирования накопителей на базе ИС схем на материалах, содержащих цилиндрические магнитные домены (ЦМД) существенно выше, чем у НМН и НОД?
2.Что представляет собой ЦМД и чем он отличается от плоского магнитного домена?
3.Чему равен диаметр ЦМД теоретический и достигнутый практически?
4.Поясните, что такое ось легкого намагничивания материала.
Глава 8. ВЗУ на ЦМД-содержащих материалах |
150 |
5.Чему равна емкость кристалла ЦМД-микросхемы памяти? Сравните ее с емкостью микросхем ОЗУ.
6.Какова роль поля смещения в функционировании ЦМД-микросхемы?
7.Как устроена конструкция ЦМД-кристалла, позволяющая перемещать ЦМД?
8.Во сколько раз управляющее поле меньше поля смещения в ЦМД-микросборке памяти?
9.Перечислите шесть функциональных элементов ЦМД-микросхемы памяти.
10. Перечислите шесть типов структур ЦМД-микросхем памяти.
11. Из каких составных частей состоит конструкция ЦМД-микросборки? 12. Сколько магнитных полей взаимодействуют в ЦМД-микросборке? 13. Назовите две части накопителя на ЦМД-микросхемах.
14. Перечислите достоинства и недостатки НЦМД по сравнению с полупроводниковой памятью, НМН и НОД.
Глава 9. ВЗУ на основе голографии |
151 |
Глава 9. ВЗУ НА ОСНОВЕ ГОЛОГРАФИИ
9.1. Носители информации голографических ЗУ
Использование лазерной техники для ввода, хранения и выдачи информации в форме объемных изображений позволило создать голографические средства отображения (СО). Объемными изображениями удобно располагать при компьютерном проектировании и производстве; при моделировании сложных объектов, например, летательного аппарата, модель которого можно “прокрутить” на все 360о; при решении уравнений, описывающих трехмерные фигуры (рис.9.1); при наблюдении за поведением живых организмов, клеток, молекул; в устройствах тренажеров для имитации обстановки, максимально приближенной к реальной, при обучении летного состава навыкам пилотирования и в обучающих системах; для тиражирования качественных объемных изображений музейных ценностей; для создания стереоскопических кинофильмов а также в других специальных приложениях. Богатейшие возможности голографии еще не до конца изучены даже крупнейшими специалистами в этой области.
y
x
z
Рис. 9.1. Пример результата решения уравнения на ЭВМ в форме пространственного тела
Голография (в переводе “полное изображение”, от греческого holos - весь, полный), как метод получения объемного изображения объекта, была впервые предложена английским физиком венгерского происхождения Д.Габором в 1948 году, но воплотить ее в жизнь удалось далеко не сразу. Лишь через четверть века, после изобретения лазера, была создана и опубликована методика получения и воспроизведения голограмм, а в 1976 году в нашей стране впервые в мире был снят голографический стереофильм.
С другой стороны, дальнейший прогресс в развитии современной вычислительной техники связывают с созданием полностью оптического компьютера, в котором не только обработка информации, но и запись информации и ее считывание осуществляются с помощью лазера. В последние годы интенсивно развиваются различные направления создания
Глава 9. ВЗУ на основе голографии |
152 |
голографических ЗУ, использующих оптические методы записи и считывания информации и обеспечивающих высокое быстродействие и произвольный порядок выборки. Объем памяти голографических ЗУ практически неограничен: теоретически достижимая плотность
записи с помощью двумерных голограмм - 410 8 бит/см2, а с помощью объемных голограмм - 41012 бит/см 3 .
Центральной проблемой создания голографических ЗУ является выбор подходящего материала для создания рабочего регистрирующего слоя носителя информации. Регистрирующая среда для голографических ЗУ должна удовлетворять целому ряду требований, наиболее существенными среди которых являются:
-низкий энергетический порог записи, требующий минимальной плотности энергии записи (от 210-6 Дж/см2 для наиболее распространенных фоточувствительных материалов марки Kodak 649 до 100 Дж/см2 для нелегированного фотополимера типа РММА);
-высокая разрешающая способность;
-высокая дифракционная эффективность, определяемая той частью считывающего опорного луча, которая используется на воспроизведение изображения;
-возможность многократного использования материала для повторных циклов за- пись-считывание-стирание без существенного ухудшения качества хранимой информации (обратимость материала);
-большая продолжительность хранения информации;
-возможность хранения при отключении питания.
Некоторые из перечисленных требований могут оказаться несовместимыми в применении к конкретной регистрирующей среде.
Регистрация голограмм может быть реализована на целом ряде веществ, в которых происходят различные физические процессы при взаимодействии с лазерным излучением. Наиболее часто используются следующие материалы: аморфные полупроводники, термопластические материалы, магнитные пленки, окислы ванадия, фотохромные материалы, сегнетоэлектриические фотопроводники.
Первые голограммы создавались на обычных фотоносителях, допускавших только однократную запись. Использование серебра в фототехнике повышало стоимость записи информации. В настоящее время наиболее интенсивно исследуются и используются аморфные полупроводники, в частности, халькогенидные полупроводниковые стекла, технология изготовления которых проста и дешева. К ним относятся соединения, содержащие один или несколько халькогенов, к которым относятся сера, селен и теллур. При их взаимодействии с кремнием, германием, висмутом, мышьяком создаются разнообразные аморфные системы - халькогенидные стекла, характеризующиеся тем, что лазерное излучение влияет на их оптические, электрические и структурные параметры. Тонкие слои халькогенидных стекол в виде пленки получают напылением на подложки из слюды или окисных стекол.
9.2. Создание голограмм
Для записи информации на носитель используются процессы кристаллизации и аморфизации в слоях аморфной системы теллур - мышьяк - германий. Пленка предварительно закристаллизовывается с помощью инжекционного лазера. Запись информации происходит вследствие быстро протекающего, порядка 10 -4 с, процесса аморфизации в тех участках, куда попадает луч лазера. При этом скорость записи ограничивается лишь быстродействием лазера, а не скоростью протекания процессов в пленке.
Стирание записанной информации может осуществляться двумя способами: продвижением носителя (подложки с пленкой) под слабым лучом инжекционного лазера или нагреванием всей пленки до температуры 393 К. В таблице приведены некоторые технические характеристики лазерной системы голографического ЗУ.
Глава 9. ВЗУ на основе голографии |
|
153 |
||||
Таблица 9.1. Мощность аморфизации и кристаллизации халькогенидной пленки |
||||||
|
носителя голограмм |
|
|
|
||
Тип лазера |
|
Мощность, мВт/кв.мкм, при времени воздействия |
|
|||
|
|
кристаллизация |
аморфизация |
|
||
|
|
1 с |
|
2 мкс |
0,1 мкс |
|
Криптоновый |
|
0,05 - 0,15 |
|
0,3 - 1,0 |
1 |
|
=64,71 мкм |
|
|
|
|
|
|
Инжекционный |
|
_ |
|
0,3 - 1,0 |
2 |
|
= 86 - 90 мкм |
|
|
|
|
|
|
Длина волны излучения лазера для пленок рассматриваемой системы особой роли не играет. Частота записи информации инжекционным лазером порядка 106 бит/с. При использовании соответствующей техники достигнута плотность записи 107 бит/см2.
Ограничения, накладываемые на допустимое число обратимых циклов, носят механический характер из-за растрескивания пленки и отслоения ее от подложки. Стирание информации на отдельных участках пленки затруднительно, так как при селективном нагреве лазерным лучом происходит процесс испарения. В связи с этим разрабатываются новые принципы стирания, в том числе с использованием защитных покрытий из окисла кремния.
Рассмотрим процесс создания голограммы - голографического изображения какогонибудь объемного объекта. В обычной черно-белой фотографии на фотоносителе фиксируется только интенсивность света, отражаемого объектом, и отсутствуют сведения о фазе приходящего на носитель светового луча. В отличие от обычной фотографии на голограмме записывается интерференционная картина, образованная наложением опорного светового луча и луча, отраженного от объекта. При этом на голограмме фиксируется информация как об амплитуде, так и о фазе световых волн, отраженных от объекта.
Стереоскопичность зрения человека, то есть способность воспринимать глубину пространства и оценивать относительное расположение предметов в пространстве, объясняется тем, что изображения расположенного в трехмерном пространстве рассматриваемого объемного объекта, поступающие на сетчатку правого и левого глаза, неодинаковы, так как получены с разных точек зрения, отстоящих друг от друга на расстояние между центрами зрачков. Сочетание этих двух изображений называется стереопарой. Существуют разные способы получения объемного восприятия стереопар. На основе воспроизведения на специальном экране стереопар полученных при съемке кинокадров было создано стереокино.
В лазерных голографических установках используется одно из свойств лазерного луча - когерентность световых волн, то есть равенство фаз монохроматических волн (рис. 9.2, а). Объект освещается сканирующим лазерным лучом. Сканирование осуществляется с помощью отклоняющей системы, представляющей собой решетку вращающихся призматических полупрозрачных зеркал (рис. 9.3). Когерентные линейно поляризованные в одной плоскости волны достигают разноудаленные части объекта в разных фазах (рис. 9.2, б и 9.4). Носитель освещается опорным когерентным светом; на него также направляются и отраженные волны.
В зависимости от соотношения фаз опорных и отраженных световых волн происходит усиление в 4 раза (когда волны находятся в фазе) и ослабление в 4 раза (когда они в противофазе) интенсивности света, достигающего носитель. При других значениях разностей фаз получаются промежуточные значения величины интенсивности поступающего на носитель света. В результате на носителе образуются светлые, затемненные и темные пятна, складывающиеся в интерференционную картину, даже отдаленно не напоминающую объект и регистрируемую на рабочем слое носителя.