- •Загальні методичні вказівки до лабораторних робіт
- •Методика опрацювання результатів лабораторних досліджень
- •Лабораторна робота № 1 дослідження питомих об’ємного та поверхневого опорів твердих діелектриків
- •1.1 Основні теоретичні відомості
- •1.2 Опис лабораторного обладнання
- •1.3 Послідовність виконання роботи
- •1.3.1 Вимірювання об'ємного опору
- •1.3.2 Вимірювання поверхневого опору
- •1.4 Опрацювання результатів вимірювань
- •1.5 Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 2 дослідження поляризації діелектриків та діелектричних втрат при високих частотах резонансним методом
- •2.1 Основні теоретичні відомості
- •2.2 Опис лабораторного обладнання
- •3.3 Послідовність виконання роботи
- •3.3.1 Налаштування куметра е9-4
- •3.3.2 Вимірювання ємності та добротності
- •2.4 Опрацювання результатів вимірювань
- •2.5 Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 3 дослідження діелектричних втрат та визначення діелектричної проникності електроізоляційних матеріалів при високій напрузі промислової частоти
- •3.1 Основні теоретичні відомості
- •3.2 Опис лабораторної установки
- •3.3 Послідовність виконання роботи
- •3.4 Опрацювання результатів вимірювань
- •3.5 Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 4 дослідження поляризації сегнетоелектриків
- •4.1 Основні теоретичні відомості
- •4.2 Опис лабораторного обладнання
- •4.3 Послідовність виконання роботи
- •4.3.1 Визначення масштабів горизонтального та вертикального відхилень променя осцилографа
- •4.3.2 Визначення характеристик сегнетоелектрика
- •4.3.3 Визначення температури точки Кюрі сегнетоелектричного конденсатора
- •4.4 Опрацювання результатів вимірювань
- •4.5 Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 5 визначення електричної міцності діелектриків
- •5.1 Основні теоретичні відомості
- •Опис лабораторної установки
- •5.2.1 Вимоги до зразків матеріалів та електродів
- •5.3 Послідовність виконання роботи
- •5.3.1 Дослідження пробою газоподібних діелектриків
- •5.3.2 Дослідження пробою рідких діелектриків
- •5.3.3 Дослідження пробою твердих діелектриків
- •5.4 Опрацювання результатів вимірювань
- •5.5 Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 6 дослідження електричних властивостей провідникових матеріалів
- •6.1 Основні теоретичні відомості
- •6.2 Опис лабораторної установки
- •Амперметра – вольтметра
- •6.3 Послідовність виконання роботи
- •6.4 Опрацювання результатів вимірювань та оформлення звіту
- •6.5 Контрольні запитання
- •Лабораторна робота №7 дослідження властивостей феромагнітних матеріалів
- •7.1 Основні теоретичні відомості
- •7.2 Опис лабораторної установки
- •7.3 Послідовність виконання роботи
- •7.4 Опрацювання результатів вимірювань та офорлення звіту
- •7.5 Контрольні запитання
- •Лабораторна робота № 8 визначення магнітної проникності та втрат в феритах
- •8.1 Основні теоретичні відомості
- •8.2 Опис лабораторної установки
- •8.3 Послідовність виконання роботи
- •8.4 Опрацювання результатів вимірювань
- •8.5 Контрольні запитання
4.2 Опис лабораторного обладнання
Принципова електрична схема лабораторної установки для дослідження сегнетоелектриків наведена на рисунку 4.2. Установка складається з наступних елементів та приладів: ЛАТР – автотрансформатор для регулювання напруги; – змінний резистор, який регулює напругу на пластинах горизонтального відхилення; – змінний резистор, який регулює напругу на пластинах вертикального відхилення; мкФ – фазозсуваючий конденсатор; пФ – зразковий конденсатор; – досліджуваний сегнетоелектрик; – електронагрівач; В1, В2 – вимикачі, які замикають відповідно вертикальні і горизонтальні пластини; В3 – перемикач зразкового конденсатора і досліджуваного сегнетоелектрика; В4 – вимикач електронагрівача.
4.3 Послідовність виконання роботи
4.3.1 Визначення масштабів горизонтального та вертикального відхилень променя осцилографа
Ввімкнути осцилограф, дати йому прогрітися не менше 10 хвилин.
Вимикачем В1 замкнути вхід вертикального відхилення променя осцилографа.
Рисунок 4.2 – Електрична схема лабораторної установки для дослідження сегнетоелектриків
Перемикач В3 перемкнути в положення .
Ввімкнувши живлення, автотрансформатором ЛАТР встановити на конденсаторі напругу рівну 100 В.
Ручкою потенціометра R1 розгорнути зображення осцилографа так, щоб відхилення променя від центру екрана склало 40-50 мм.
Вимикач B1 розімкнути, а вимикачем В2 замкнути вхід горизонтального відхилення променя осцилографа.
Ручкою "Підсилення" вертикального входу осцилографа розгорнути зображення так, щоб відхилення променя від центру екрана складало 5-6 мм. Результати записати в таблицю 4.1.
4.3.2 Визначення характеристик сегнетоелектрика
1 Перемикач В3 перемкнути в положення .
2 Вимикачі В1 та В2 розімкнути, увімкнути живлення.
3 З допомогою автотрансформатора ЛАТР змінювати напругу від 10 В до 100 В (через 10 В) і вимірювати:
відстань від центру екрана до точки перетину петлі з горизонтальною віссю ( );
відстань від центру екрана до точки перетину з вертикальною віссю ( );
абсцису вершини петлі гістерезису ( );
ординату вершини петлі гістерезису ( ).
4 Зарисувати зображення петлі гістерезису на кальку,
5 Виміряти площу S кожної петлі гістерезису.
Результати вимірювань записати в таблицю 4.2.
4.3.3 Визначення температури точки Кюрі сегнетоелектричного конденсатора
Автотрансформатором встановити на вході схеми напругу рівну 100 В.
Ввімкнути електронагрівач вимикачем В4.
Через кожні 10 °С вимірювати координати вершини петлі гістерезису.
Результати вимірювань записати в таблицю 4.3.
Таблиця 4.1 – Визначення масштабних коефіцієнтів осцилографа
U, B |
X, мм |
Y, мм |
С0, Ф |
С01, Ф |
u, B/мм |
q, Кл/мм |
|
|
|
|
|
|
|
Таблиця 4.2 – Результати дослідження петель гістерезису сегнетоелектрика
U, B |
Xm, мм |
Ym, мм |
XС, мм |
Yr, мм |
S, мм2 |
|
|
|
|
|
|
Таблиця 4.3 – Результати дослідження точки К’юрі
Т, 0С |
Xm, мм |
Ym, мм |
|
|
|