Литература

1. Лачин В.И., Савёлов Н.С. Электроника: Учебное пособие. — Ростов н/Д: изд - во «Феникс», 2000. — 448 с.

2.Скаржепа ВА. Электроника и микросхемотехника. Киев. Высшая школа, 1989.

3.Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронов. Методические указания к лабораторным работам по электронным приборам. Сост: В.И. Лачин, А.К. Малина, Н.Г. Кононенко, Т.П. Кононенко Новочеркасск: НГТУ, 1998. — 27 с.

4. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М. Энергия, 1977.

5.Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники. Т.1. Москва. Мир, 1983, 1993.

6.Полупроводниковые приборы. Транзисторы: Справочник. Москва. Радио и связь, 1990.

7.Основы промышленной электроники. /под ред. АМ. Герасимова/ Москва. Высшая школа,1986.

8.Полупроводниковые приборы. Диоды. Справочник. Москва. Радио и связь, 1990.

9. Оптоэлектронные приборы. Справочник. Москва. Радио и связь, 1990.

Глава 2: «биполярныи транзистор»

(в дальнейшем БТ)

По данной теме нужно изучить следующие вопросы:

1) принцип работы транзистора, параметры и аналитическая связь между ними;

2) особенности трех основных схем включения транзистора: ОЭ*, ОБ*, ОК*; инверсное включение транзистора в схеме ОЭ - ОЭ_1.

3) семейство статических входных и выходных вольт - амперных характеристик (ВАХ), определение по ним внутренних параметров и построение характеристик управления.

4) линейные схемы замещения транзистора для трёх схем включения. Модель Эберса – Молла.

* Примечание

Принятые в тексте данной главы сокращения:

Транзистор, включенный по схеме:

а) с общим эмиттером (ОЭ), б) с общим эмиттером — инверсное включение (ОЭ_I),

в) с общей базой(ОБ), г) с общим коллектором (ОК); вольт — амперные характеристики (ВАХ).

Контрольные задания по данной теме

1. Выписать из справочной литературы [6] для указанного в задании типа транзистора (номер задания соответствует Вашему шифру) следующие основные параметры.

-Тип структуры: р-n-р или n-р-n.

-Материал: Gе или Si.

-Практическое применение.

- Предельные эксплуатационные данные:

U_{кб_мак} - постоянное напряжение коллектор - база, В;

U_{кэ_мак} - постоянное напряжение коллектор - эмиттер, В;

U_{эб_мак} - постоянное напряжение эмиттер - база, В;

I_{k_мак} - постоянный ток коллектора, А;

Р_{k_мак} - постоянная рассеиваемая мощность, Вт.

- Электрические параметры:

(ниже приведен перечень основных электрических параметров, приводимых в справочной литературе; в скобках указан режим измерения - номинльные значения токов и напряжений, при которых эти параметры измерялись:

U_кэ - постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В, (U_кб - постоянное напряжение коллектор-база, В);

I_k - постоянный ток коллектора, мА;

I_б - постоянный ток базы , мА.

- Статические параметры:

U_{кэ_нас} - напряжение коллектор-эмиттер насыщения, В (при I_k =соnst);

U_{бэ_нас} - напряжение база-эмиттер насыщения, В (при I_б = соnst);

Параметры линейной модели транзистора при медленно изменяющемся входном сигнале:

h_21Э - статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ (при U_кэ = соnst, I_k = соnst);

h_11Э (h_11б) - входное сопротивление в схеме ОЭ(ОБ),Ом (при U_кэ (U_кб)= соnst:, I_б (I_э)= соnst);

h_22Э (h_22б) - выходная проводимость в схеме ОЭ(ОБ),мксм (при U_кэ (U_кб)= соnst, I_k = соnst);

I_kбо - обратный ток коллектора, мкA (при U_кб = соnst).

Биполярный транзистор

- динамические параметры

Fh_21Э (Fh_21б) - предельная частота коэффициента передачи в схеме ОЭ (ОБ), МГц

параметры модели транзистора, определяющие его работу при переменном входном сигнале:

С_k - ёмкость коллекторного перехода, пФ (при U_кб = соnst );

С_э - ёмкость эмиттерного перехода, пФ (при U_бэ = соnst);

_{_k}- постоянная времени цепи обратной связи, пс (при I_k(I_э) = соnst);

t_{_рас} - время рассасывания носителей заряда, нс (при I_k (I_э)= соnst, I_б = соnst).

Зарисовать из справочника [6] график зависимости h_21Э=f(I_э).

2. Ответить на вопрос из перечня приведенных ниже контрольных вопросов по данной теме (номер вопроса соответствует Вашему шифру).

При ответе пользоваться литературой и методическими указаниями [1, 3].