Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Программа-Карпов.doc
Скачиваний:
1
Добавлен:
20.11.2019
Размер:
74.24 Кб
Скачать
  1. Условия реализации программы учебной дисциплины

3.1. Требования к материально-техническому обеспечению

Реализация программы учебной дисциплины предполагает наличие лабораторий:

- лаборатории измерений ЦКБ (к. 531 корпус 1 «Г» , к. 202 корпус 1 «А»);

- лаборатории сборки МФПУ ЦКБ (к. 531 корпус 1 «Г», к. 282 корпус 1 «В»);

- лаборатория технологических процессов фотолитографии ЦКБ (к. 533 корпус 1 «Г»).

- лаборатории изготовления и сборки узлов вакуумных криостатов ЦКБ (к. 282 корпус 1 «В», к. 531 корпус 1 «Г»);

- лаборатория сборки газовых криогенных машин (к. 309 корпус 1 «В»)

- лаборатория стыковки ФПУ с ГКМ (к. 282 корпус 1 «В»)

Оборудование рабочих мест лабораторий:

- установки для измерения фотоэлектрических параметров ФП и ФПУ;

- установка для измерения вольтамперных характеристик диодов МФЧЭ;

- рабочие места для сборки и для испытаний гибридных сборок;

- рабочие места для сборки и испытаний узлов вакуумных криостатов;

- установки заполнения и проверки герметичности стыковки ФПУ с ГКМ;

- стенды для измерения пороговых характеристик МФПУ.

3.2. Информационное обеспечение обучения

Основные источники:

  1. Электронный конспект лекций.

  2. Зиновьев В.Г., Карпов В.В. Приборы ИК-техники и оптоэлектроники. Учебное пособие, ч.1, М., МИТХТ им. М.В. Ломоносова, 2005.

  3. Курбатов Л.Н. Оптоэлектроника видимого и ИК- диапазонов спектра, М., МФТИ, 1999

  4. Бараночников М.Л. Приемники инфракрасного излучения. М., 1985.

  5. Фотоприемники видимого и ИК диапазонов, под ред. Киеса, М., Радио и связь, 1985Р.

  6. Анисимова И.Д., Викулин И.М., Заитов Ф.А., Курмашев Ш.Д. Полупроводниковые приемники: ультрафиолетовый, видимый и ближний инфракрасный диапазоны спектра. М., Радио и связь, 1984

  7. А. Рогальский. Инфракрасные детекторы. Новосибирск, «НАУКА», 2003.

  8. А.М. Филачев, И.И. Таубкин, М.А. Тришенков. Твердотельная фотоэлектроника (Физические основы), М., ФИЗМАТКНИГА, 2005.

  9. А.М. Филачев, И.И. Таубкин, М.А. Тришенков. Твердотельная фотоэлектроника (Фотодиоды), М., ФИЗМАТКНИГА, 2011.

  10. Гуляев А.М., Карпов В.В., Мирошникова И.Н. Расчет параметров фотоприемников. Уч. пос. М, МЭИ, 1997

Дополнительные источники:

  1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М., Мир, 1984.

  2. Амброзяк А. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов. М., Советское радио, 1970

  3. В.В. Козелкин, И.Ф. Усольцев. Основы инфракрасной техники, М., МАШИНОСТРОЕНИЕ, 1974.

  4. К.В. Шалимова. Физика полупроводников, М., ЭНЕРГИЯ, 1976 .

4. Итоговый контроль и оценка результатов освоения учебной дисциплины по уровням знаний и профессиональной компетенции в соответствии с п. 1.2 предусматривается в рамках выпускной квалификационной работы, включающей вопросы по основным разделам программы учебной дисциплины.