3. Расчёт потребляемых мощностей:

Рассеиваемые мощности на резисторах:

Потребляемый ток при различных комбинациях на входе устройства:

3. Результаты расчёта:

Входные сигналы	U(A)	U(B)	U(C)	U(D)	U(E)	I(R1)	I(R2)	I(R3)	I(R4)	I(R5)	Iпотр.
	В	В	В	В	В	мА	мА	мкА	мА	мкА	мА
0000	0,8	0,8	0,27	0,27	3,9	0,8	0,8	0	0,1	0	1,7
1111	2,1	2,1	0,7	0,7	0,1	0,475	0,475	66,6	3,9	66,6	4,983
0111	0,8	2,1	0,27	0,7	0,1	0,8	0,475	0	3,9	66,6	5,2416

Входные сигналы	VD1	VD2	VD3	VD4	VD5	VD6	VD7	VD8	VT1	VT2	Y
0000	Открыт	Открыт	Закрыт	Закрыт	Закрыт	Открыт	Открыт	Закрыт	Отсеч.	Отсеч.	Логич 1
1111	Закрыт	Закрыт	Открыт	Открыт	Открыт	Закрыт	Закрыт	Открыт	Насыщ.	Насыщ.	Логич 0
0111	Открыт	Закрыт	Закрыт	Закрыт	Открыт	Закрыт	Закрыт	Открыт	Отсеч.	Насыщ.	Логич 0

Обозначение режимов работы транзисторов и диодов:

• Отсеч.- (режим отсечки)

• Насыщ.- (режим насыщения)

• Открыт- (диод открыт)

• Закрыт- (диод закрыт)

Вывод:

Результатом выполнения электрического расчёта базового элемента стало определение потенциалов в расчётных точках, определение режимов работы транзисторов и диодов, протекающих токов при различных входных сигналах. Мы составили таблицу истинности, а так же определили функцию, которую выполняет данное устройство. Рассчитали потребляемые мощности устройства и токи потребления схемы при различных входных сигналах.

2. Разработка топологии имс.

3.1. Выбор активных элементов.

При разработке топологии, пользуясь справочниками Гололидова и Горюнова, выбираем активные элементы – диоды и транзисторы, руководствуясь следующими принципами:

• Диоды и транзисторы должны быть бескорпусными;

• Должны быть предназначены для работы в импульсном режиме;

• Структура транзистора n-p-n;

• Коэффициент передачи тока БТ >50;

• Для диодов:

, ;

• Для транзисторов:

, ,

В качестве диодовVD1-VD8 выберем

2D910Б-1:

,

,

Диодная матрица из двух кремниевых планарных диодов с общим анодом; бескорпусная, с гибкими входами, без кристаллодержателя.

В качестве транзисторов VT1 и VT2 –КТ206Б:

,

,

,

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n маломощные , универсальные; бескорпусные, без кристалодержателя, с защищенные покрытием, с гибкими выводами.

3.2. Выбор материала для пленочных элементов:

В гибридных ИМС широко используют тонкоплёночные резисторы, которые наносят, но подложку в виде узких полосок, заканчивающихся контактными площадками.

Материал, используемый для изготовления резистивных плёнок, должен обеспечивать возможность получения широкого диапазона стабильных во времени сопротивлений, обладать низким температурным коэффициентом сопротивления и высокой коррозионной стойкостью. При напылении он должен образовывать тонкие, чёткие линии с хорошей повторяемостью их от образца к образцу.

Материал для плёночных резисторов возьмём:

Сплав РС3001 с удельным сопротивлением и удельной мощностью рассеивания . Материал для контактных площадок и проводников – золото с подслоем хрома.

Произведём необходимый расчёт:

; , где - длина и ширина резистора, - коэффициент формы.

; .

R1=R2=4000 Ом

;

Максимальная рассеиваемая мощность на резисторе:

<

R3=R5=7500 Ом

;

Максимальная рассеиваемая мощность на резисторе:

<

R4=1000 Ом

;

Максимальная рассеиваемая мощность на резисторе:

<