2.Полупроводники.

1.1 Полупроводники - вещества с более узкой запрещенной зоной, которая может быть преодолена за счет внешних энергетических воздействий, также это вещества удельное сопротивление которых при нормальной температуре лежит между удельными сопротивлениями проводников и диэлектриков.

1.2. Полупроводники — материалы, которые по своей удельной проводимости занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками и отличаются от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и различных видов излучения. Основным свойством этих материалов является увеличение электрической проводимости с ростом температуры^.

Полупроводниками являются вещества, ширина запрещённой зоны которых составляет порядка нескольких электрон-вольт (эВ). Например, алмаз можно отнести к широкозонным полупроводникам, а арсенид индия — к узкозонным. К числу полупроводников относятся многие химические элементы (германий, кремний, селен, теллур, мышьяк и другие), огромное количество сплавов и химических соединений (арсенид галлия и др.). Почти все неорганические вещества окружающего нас мира — полупроводники. Самым распространённым в природе полупроводником является кремний, составляющий около 30 % земной коры.

В зависимости от того, отдаёт ли примесной атом электрон или захватывает его, примесные атомы называют донорными или акцепторными. Характер примеси может меняться в зависимости от того, какой атом кристаллической решётки она замещает, в какую кристаллографическую плоскость встраивается.

Проводимость полупроводников сильно зависит от температуры. Вблизи абсолютного нуля температуры полупроводники имеют свойства диэлектриков.

Название параметра	Название свойства	Буквенные обозначения	Единицы измерения
1.2Удельная электропроводность	Свойство пропускать ток	ɣ	См
1.2Температурный коэффициент сопротивления	Изменение сопротивления при изменении температуры	ТКС	К^-1
1.3. Температурный коэффициент линейного расширения	Тепловое расширение	ТКЛР	К^-1
1.4.Удельная фотопроводимость	Увеличение электропроводности под воздействием электромагнитного излучения	ɣф	М^-1
1.5.Повижность носителей тока	Способность электронов и дырок в металлах и полупроводниках реагировать на внешние воздействия.	v	м^2/c
1.6.Ширина запрещенной зоны	Область энергии, отдающая полностью заполненную электронами валентную зону от незаполненной зоны проводимости.	∆w	эВ
1.7.Температура плавления	Переход твердого кристаллического тела в жидкие состояние и наоборот	Tпл	^0С

Области применения:

-Терморезисторы;

-Фоторезисторы;

-Тензорезисторы;

-Полупроводниковые устройства с p-n переходами: диоды, транзисторы, тиристоры и.т.д.;

-Датчики Холла;

-Микросхемы БИС, СБИС.;