Порядок выполнения работы

Измерительная схема для снятия статических характеристик транзистора типа р-n-р в схеме с общим эмиттером представлена на рис.4. Потенциометры R₁ (слева) и R₂(справа) служат для плавного изменения напряжения U_Б и U_К соответственно от нуля до некоторого максимального значения.

Упражнение 1. Снятие входной характеристики транзистора – зависимости I_Б от U_Б при постоянном U_К = const.

1. Зарисовать в тетрадь таблицу 1 для записи результатов измерений.

2. Включить макет в сеть и установить потенциометром R₂ напряжение между коллектором и эмиттером U_К, равное нулю: U_К = 0 В.

I_Б5 > I_Б4> I_Б3> I_Б2> I_Б1

I_K, mA

-U_KЭ, B

I_K1

I_K2

I_K'

I_K''

I_K0

U_KЭ1

U_KЭ2

U_KЭ3

U_K

I_Б1

I_Б=0

I_Б2

I_Б3

I_Б4

I_Б5

p-n-p

a

0

I_Б

I_Б2

I_Б1

U_Б

U_Б1

0

-U_Б, mB

U_Б2

б

Рис. 5

3. Изменяя с помощью потенциометра R₁ напряжение между эмиттером и базой U_Б от 0 до 200 мВ через 20 мВ, измерять каждый раз соответствующую силу тока базы I_Б. Значение U_К при измерениях поддерживать постоянным потенциометром R₂. Результаты измерений заносить в таблицу 1:

Таблица 1

UБ, мВ	IБ, мкА
	при UК = 0 В	при UК = 6 В
0
20
и так далее через 20 мВ до 200 мВ
200

4. Установить потенциометром R₂ напряжение U_К= 6 В и повторить все измерения, указанные в п.3.

5. Отключить макет от сети.

6. Построить графики зависимости I_Б = f(U_Б) при двух постоянных значениях напряжения U_К (0 и 6 В) в одних координатных осях.

Упражнение 2. Снятие выходной характеристики транзистора - зависимости I_К от U_К при постоянном токе

I_Б =const.

1. Зарисовать в тетрадь таблицу 2 для записи результатов измерений.

2. Включить макет в сеть и установить потенциометром R₂ напряжение U_К= 9В и потенциометром R₁ силу току базы I_Б = 200 мкА.

Таблица 2

UК, В	IК, мА
	IБ = 200 мкА.	IБ = … мкА.
9
6
3
1
0

3. Уменьшая напряжение U_К от 9 В до 0 (согласно таблице 2), измерять каждый раз соответствующую силу тока коллектора. Силу тока базы I_Б поддерживать при измерениях постоянной потенциометром R₁. Результаты измерений заносить в таблицу 2.

4. Установить другое значение силы тока базы I_Б (по указанию преподавателя) и повторить все измерения, указанные в пункте 3.

5. Отключить макет от сети.

6. Построить графики зависимости I_К = f(U_К) при двух постоянных значениях силы тока базы I_Б (в одних координатных осях).

Упражнение 3. Расчет статических параметров транзистора.

1. По одной из входных характеристик вычислить входное сопротивление R_ВХ транзистора по формуле:

Rвх = U_Б /I_Б при Uк = .... В.

2. По одной из выходных характеристик вычислить выходное сопротивление Rвых транзистора по формуле:

Rвых =U_К /I_К при I_Б = .... мкА.

3. Используя две выходные характеристики для некоторого значения Uк = .... В вычислить коэффициент усиления по току  в схеме с общим эмиттером по формуле:

 = I_К /I_Б при U_К = .... В.

153