- •53 Отчетная научно-техническая
- •Влияние условий термической обработки на механические свойства гранулированных нанокомпозитов Cox(Al2o3)100-X
- •Закономерности образования, стабильность и атомная структура некристаллических сплавов сИстемы Hf-w
- •1 Кафедра физики твердого тела
- •2Кафедра материаловедения и физики металлов
- •3Кафедра высшей математики и физико-математического моделирования
- •Анализ структуры новой бессвинцовой керамики NaBiNbScO6
- •Получение твёрдого раствора Na(X-1)BixNb(X-1)ScxO3
- •Влияние температуры и концентрации фаз компонентов на обратный магнитоэлектрический эффект в слоистых композитах tdf – pzt
- •Механические свойства наноструктурных покрытий Coх(Al2o3)100-х, Coх(SiO2)100-х, и Coх(CaF2)100-X
- •Получение аналога углеродной однонаправленной ленты
- •Технология получения препрега на основе углеродной ленты уол-300р
- •Инверсный магнитоэлектрический эффект в двухслойных композитах Tb0,12Dy0,2Fe0,68 – PbZr0,53Ti0,47o3
- •Механические испытания образцов полимерных композиционных материалов
- •Влияние условий получения на анизотропию нанокомпозитов (CoNbTa)X(SiO2)100-X
- •Исследование анизотропии гранулированных нанокомпозитов Cox(CaF)100-X
- •Кафедра физики твёрдого тела
- •Технология получения тонких плёнок Nb2o5
- •Исследование частотной зависимости импеданса в многослойных гетерогенных структурах на основе композита (Co40Fe40b20)33,9(SiO2)66,1
- •Ориентационная зависимость магнитомеханического эффекта в сверхпроводниках 2 рода
- •Проведение входного контроля качества препрегов при производстве композиционных углеродных материалов
- •Влияние внешнего смещающего электрического поля на пьезоэлектрические свойства смешанного кристалла k0,81(nh4)0,19h2po4
- •Термоэдс полупроводниковой керамики на основе оксидов металлов со структурой перовскита
- •Разработка блока первичного концентрирования криптона и ксенона для воздухоразделительной установки КжАжАр-1,6
- •Промышленные методы ожижения водорода
- •Методы получения массивных втсп
- •Модернизация блока адсорбционной очистки кубовой жидкости от углеводородов для установки разделения воздуха кта-12-3
- •Уменьшение энергозатрат воздухоразделительной установки КжАжАр-1,6 путем введения предварительного охлаждения воздуха
- •Модернизация воздухоразделительной установки КжАжАр-1.6 для сокращения флегмового питания верхней колонны с целью повышения экономичности процесса ректификации
- •Электрические и сенсорные свойства пленок In35.5y4.2o60,3-Sn29Si4,3o66,7
- •Влияние теплового экрана на распределение температуры в криостате
- •Структура и электрические свойства композита (Co41Fe39b20)X(In35,5y4,2o60,3)100-X
- •Динамика электрического сопротивления нанокомпозитов Cox(Al2On)100-X под действием электрического поля
- •Магниторезистивные и термоэлектрические свойства тонких пленок Fex(Al2On)100-X
- •Электромеханические свойства дигИдрофосфата калия
- •Расчет плоского симметричного волновода в рамках волновой модели
- •Промышленные методы ожижения водорода
- •Исследование диэлектрических потерь при фазовом переходе в кристалле молибдата тербия
- •Исследование магнитных свойств композитов и многослойных структур с включениями оксида меди
- •53 Отчетная научно-техническая
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
Электромеханические свойства дигИдрофосфата калия
Л.Н. Коротков, Д.В. Лиховая, аспирант, Р.С. Аль Кхазаали, студент группы ПФм-121,
А.С. Кобзев, студент гр. МТЭ(ТФ)-081
Кафедра физики твердого тела
Дигидрофосфат калия (KH2PO4) – известный сегнетоэлектрик, обладающий пьезоэлектрическим эффектом, как в параэлектрической (42m, 142d), так и сегнетоэлектрической (mm2, Fdd2) фазах. Электромеханические свойства кристаллов KH2PO4 выше температуры Кюри (ТС) хорошо изучены, вместе с тем данные, относящиеся к его пьезоактивности при температурах, лежащих ниже ТС, практически не обсуждаются в литературе.
В связи с этим целью настоящей работы стало изучение электромеханических свойств монокристалла KH2PO4 в широком интервале температур, включающем, как параэлектрическую, так и сегнетоэлектрическую фазы.
Для исследования были изготовлены образцы, представляющие собой прямоугольные пластины 45◦ - z среза с размерами 8х2х0,8 мм3. На поверхности, перпендикулярные тетрагональной оси z, напыляли серебряные электроды.
Образцы помещали в криостат, где температура изменялась от 90 до 300 K и контролировалась с погрешностью не более 0,5 К. Пьезоэлектрические свойства кристалла изучали методом резонанса-антирезонанса. Необходимые для расчета значения диэлектрической проницаемости получали с помощью измерителя иммитанса Е7-20 на частоте 10 кГц.
Результаты эксперимента показали, что температурные зависимости компоненты упругой податливости S66, диэлектрической проницаемости 33 и пьезоэлектрического модуля d36 проходят через максимум в окрестностях TC. Обнаружено, что наблюдаемые в условиях эксперимента зависимости демонстрируют качественно одинаковое поведение в широкой области температур, прилегающей к TC. Данное обстоятельство указывает на значительный вклад электромеханической связи в диэлектрический и упругий отклики исследуемого кристалла.
Установлено, что в параэлектрической фазе температурные зависимости 33, S66, d36, подчиняются закону Кюри – Вейсса:
ε33 = 03+C3/(T - 3),
d36 = d0 + D/(T - d),
SE66 - SD66 = S/(T - S),
где and С3 – константа, а 3 – температура Кюри – Вейсса, 03 – температурно независимая составляющая диэлектрической проницаемости; D и d – постоянная и температура Кюри – Вейсса для пьезоэлектрического модуля и d0 температурно независимая составляющая часть d36; S и S постоянная и температура Кюри – Вейсса для упругой податливости электрически свободного образца (S66E); SD66 - упругая податливость электрически зажатого образца.
УДК 534.7
Расчет плоского симметричного волновода в рамках волновой модели
Д.С. Дикарев, студент группы МТЭ-081, О.И. Сысоев
Кафедра физики твердого тела
Выполнен расчет симметричного плоского волновода в структуре GaAs-GaxAl1-xAs, при х=0,1, x=0,2, x=0,3 для толщин 0,1-10 мкм волноводного слоя волновой модели. Графоаналитическим методом решено дисперсионное уравнение и рассчитаны константы распространения четных мод для всех значений параметра x. Рассмотрено условие отсечки мод и установлено, что для симметричных волноводов основная мода существует при любых толщинах волноводного слоя.
|
|
Рис. 1 Графоаналитическое решение дисперсионного уравнения для четных TE-мод волновода с x=0.3 толщинами 0,1-2мкм. |
Рис. 2 Зависимость коэффициента оптического ограничения от толщины волновода при x=0,1, x=0,2, x=0,3. |
Получено выражение и выполнены расчеты коэффициента оптического ограничения для четных ТE-мод, представляющего собой долю энергии моды, переносимой в пределах волноводного слоя.
(1)
где – горизонтальная составляющая константы распространения, γ – вертикальная составляющая константы распространения, d - толщина волновода Исследована зависимость коэффициента ограничения для четных ТЕ-мод в зависимости от параметра x и толщины волновода. Для построения каждой из кривых рассчитывались параметры χ и γ для основной моды в зависимости от толщины волноводного слоя. Результаты представлены на рисунке 2. χ2=n22k02-β2 (2) γ2=β2- n12k02 (3)
где k0 – волновой вектор, β – постоянная распространения, n1, n2 – показатели преломления. Из графиков рисунка 2 видно, что при заданных значениях толщины волноводного слоя, коэффициент оптического ограничения оказывается наибольшим для волноводной структуры с параметром x=0,3. Структуры, из числа исследованных, с меньшим содержанием Al обладают большим коэффициентом оптического ограничения.
Литература
1. Лазеры на гетероструктурах. Кейси Х., Паниш М. т.1 – М: Мир, 1981 2. Введение в теорию оптических волноводов. Адамс М. – М: Мир, 1984
УДК 621.315.57: 537.312.62