Нано_Лабораторная работа 3 - копия - копия
.docxФедеральное агентство связи
ФГОБУ ВПО «Сибирский государственный университет
телекоммуникаций и информатики»
Уральский технический институт связи и информатики (филиал)
Отчет Лабораторная работа №3 , по дисциплине Наноэлектроника:
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТУННЕЛЬНОГО ТОКА В ДВУХБАРЬЕРНОМ РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНОМ ДИОДЕ
Выполнил: Блинков. Е. М
Студент 2-го курса ВПО
Группы ВЕ-31б.
Руководитель: Пилипенко. Г. И.
14.12.2014г.
_________________________
Екатеринбург
2014г.
-
Цель работы:
Рассчитать распределение волновых функций электронов в арсенид галлиевой квантовой проволоке и оценить вероятность обнаружения электрона в той или иной части поперечного сечения проволоки.
-
Теоретическая часть:
На рисунке ниже схематически представлена энергетическая схема двухбарьерного резонансно-туннельного диода и показано протекание туннельного тока. Данный диод создается на основе арсенида галлия. При этом обычно области эмиттера состоит из p-GaAs, а коллектора — n-GaAs. При подаче на диод напряжения U:
Туннельный ток составляют электроны с разной энергией. Электроны с конкретной энергией Е создают туннельный ток.
-
Практическая часть:
Рассчитать для этих данных значение туннельного тока
-
Исходные данные:
-
Расчетная формула:
-
Вольт-амперная характеристика структуры