8.2 Потери в асинхронном двигателе. Коэффициент мощности.

Потери в а.д. делятся на постоянные и переменные. Потери характеризуют мощности. Мощность постоянных потерь не зависит от нагрузки, а переменная зависит от нее. Мощностью постоянных потерь энергии в двигателе можно считать мощность потерь в сердечнике статора на гистерезис и вихревые токи и мощность механических потерь, которая определяется экспериментально из опыта холостого хода двигателя. Мощностью переменных потерь энергии в двигателе является мощность потерь на нагревание проводников обмоток статора и ротора, она равна: Р_пр1=3r_B1I²₁; P =m₂r_B2I₂².

С увеличением нагрузки двигателя отн-ое значение реактивного тока быстро убывает, а cosφ₁ увеличивается. При холостом ходе двигателя его коэф-т мощности довольно низкий, примерно 0,2. С увеличением нагрузки он быстро возрастает и достигает максимального значения (0,7-0,9) при нагрузке, близкий к номинальной. Т.о. даже у полностью загруженного двигателя реактивный ток составляет 70-40% тока статора. Неполная загруженность а.д. является одной из причин низкого cosφ промышленных предприятий. Естественным способом его повышения явл-я полная загрузка а.д. У тихоходных двигателей cosφ существенно меньше, т.к. намагничивающий ток отн-но больше, чем у быстроходных.

9.1 Электронно-дырочный переход (эдп). Вольт-амперная характеристика (вах).

Электронно-дырочный переход (сокращенно р-n переход) представляет собой одну из разновидностей электрического перехода — слоя в полупроводнике, образующегося между двумя его областями с различными типами электропроводности, различными значениями удельной проводимости или различными материалами полупроводников с неодинаковой шириной запрещенной зоны. Электронно-дырочный переход образуется на границе двух полупроводниковых сред, обладающих различным типом электропроводностей, созданных в едином кристалле полупроводника. Следует иметь в виду, что р-n переход нельзя получить простым соприкосновением двух полупроводников с различным типом электропроводности, так как в месте соприкосновения неизбежны зазоры, загрязнения поверхностей и другие дефекты, нарушающие единую структуру кристаллической решетки.

Потоки неосновных носителей определяются скоростью тепловой генерации электронно-дырочных пар. Эти пары диффундируют к барьеру и разделяются его полем, в результате чего через Э.-д. п. течёт ток I_s (ток насыщения), который обычно мал и почти не зависит от приложенного напряжения. Т. о., зависимость тока 1 через Э.-д. п. от приложенного напряжения U (вольтамперная характеристика) обладает резко выраженной нелинейностью (рис. 2). При изменении знака напряжения ток через Э.-д. п. может меняться в 10⁵—10⁶ раз. Благодаря этому Э.-д. п. является вентильным устройством, пригодным для выпрямления переменных токов (см. Полупроводниковый диод). Зависимость сопротивления Э.-д. п. от U позволяет использовать Э.-д. п. в качестве регулируемого сопротивления (Варистора).

        

        Рис. 1. Схема p-n-перехода: чёрные кружки — электроны; светлые кружки — дырки.

        

        Рис. 2. Вольтамперная характеристика р — n-перехода: U — приложенное напряжение; I - ток через переход; Is — ток насыщения; Unp — напряжение пробоя.