- •Введение.
- •1. Глоссарий
- •2 Рабочая программа (силлабус) дисциплины
- •2.1 Данные о преподавателе Преподаватель курса: Алтайбаева Азиза Биболовна.
- •Распределение учебного времени
- •5. Краткое описание курса
- •6. Содержание курса
- •6.1 Перечень лекционных занятий
- •6.2 Перечень лабораторных занятий
- •6.3 Перечень практических занятий
- •6. 4 Примерный перечень тем курсовых работ
- •7. График выполнения и сдачи заданийСрс по дисциплине
- •8. Список рекомендуемой литературы
- •9. Политика курса:
- •10. Информация об оценке знаний
- •Шкала оценки знаний студентов
- •2.5 Краткое описание курса
- •2.6 Содержание дисциплины
- •2.6.1 Лекционные занятия
- •2.6.2 Перечень практических занятий
- •2.7. График выполнения и сдачи работ (срс).
2.6.2 Перечень практических занятий
№
|
Наименование темы |
Объемчас |
Литература |
Текущий контрольбалл |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
1 |
Исследование характеристик полупроводниковых диодов и устройств на их основе |
2 |
[18] 8-20 |
2,66 |
2 |
Исследование характеристик тиристора и управляемого выпрямителя |
2 |
[18] с.33-42 |
2,66 |
3 |
Исследование вольтамперной характеристики туннельного диода |
2 |
[18] с.20-32 |
2,66 |
4 |
Исследование характеристик биполярного транзистора |
3 |
[18] с.42-55 |
2,66 |
5 |
Исследование характеристик полевого транзистора |
3 |
[18] с.56-69 |
2,66 |
6 |
Исследование схем на основе операционного усилителя |
3 |
[18] с.70-88 |
2,66 |
|
Всего |
15 |
|
16 |
2.7. График выполнения и сдачи работ (срс).
№ п/п |
Тема |
Задания СРС |
Цель и содержание |
Рекомендуемая литература |
Форма контроля |
Сроки сдачи (неделя) |
Оценочные баллы |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
1 |
Полупро-водники |
Особенности p-n- перехода реальных полупроводников. |
Виды пробоя и емкостей p-n-перехода полупроводников. |
Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Элек-троника и МПТ-М.:ВШ, 2005. с.80-84. Лачин В.И., Савелов Н.С. Электроника: - Ростов н/Д: Феникс, 2005. с.21-29. |
Конспект. Решение задач |
1неделя |
0,8 |
2 |
Полупровод-никовые диоды |
Импульсные, СВЧ, обращенные диоды. Диоды Шоттки диоды |
Знат основные пара-метры и характерис-тики п/п-вых диодов. |
В.А. Прянишников Электроника: Полный курс лекций. СПб. КОРОНА принт, 2004. стр. 29-42 |
Конспект Решение задач |
2 неделя |
0,8 |
3,4 |
Биполярные транзисторы |
Виды и технология изготовления биполярных транзисторов. Вход-ные и выходные характеристики, коэффициент усиления, основные параметры и назначения. Динами-ческие свойства и параметры транзисторов в режиме усиления. |
Знат основные стати-ческие характерис-тики и схемы соеди-нения биполярных транзисторов.Уметь составлятьуравнения по виду соединения. |
В.А. Прянишников Электроника: Полный курс лекций. СПб. КОРОНА принт, 2004.стр.48-51 |
Конспект Решение задач |
3, 4 неделя |
1,6 |
5 |
Полевые транзисторы
|
Виды и технология изготовления полевых транзисторов. Динами-ческие свойства и характеристики полевых транзисторов. Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. |
Знат основные стати-ческие характерис-тики. Параматеры и статические характеристик для различных схем соединения. |
В.А. Прянишников Электроника: Полный курс лекций. СПб. КОРОНА принт, 2004. стр.59-61 |
Конспект Решение задач |
5 неделя |
0,8 |
6 |
МДП-транзисторы, статические характеристики и параметры. Обратно парные МДП-транзис-торы. Устройства с зарядовой связью |
Знать различия между МДП и МДЖ транзисторами. |
В.А. Прянишников Электроника: Полный курс лекций. СПб. КОРОНА принт, 2004.стр.59-61 |
Конспект Решение задач |
6 неделя |
0,8 | |
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
7 |
Тиристоры |
Виды и области иприменения тиристоров. Диодные, триодные и симметричные тиристоры. |
Знать ВАХ тиристо-ров. Знать разновид-ности тиристоров и их классификации. |
В.А. Прянишников Электроника: Полный курс лекций.СПб. КОРОНА принт, 2004. с. 67-73 |
Конспект |
7 неделя |
0,8 |
8,9 |
Оптоэлек-тронные приборы |
Световые тиристоры, состав, характеристики и параметры. Полупроводниковые лазеры. |
Прием информации с помощью фотоэлек-тронных приборов и их разновидности. |
М.В.Гальперин Электронная техника. М., Форум-ИНФРА-М. 2005 с. 53-59 |
Конспект |
8,9неделя |
1,6 |
10 |
Индика-оры |
Индикаторы. |
Виды индикаторных устройств и их применениеу. |
Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электро-ника и МПТ: - М.: ВШ, 2005. с.209-237. Забродин Ю.С. Промышленная электроника: - М.: ВШ, 1982. |
Конспект |
10 неделя |
0,8 |
11 |
ИМС-ы |
Технологические осноы микроэлектроники |
Понятие о технологических компонентах микроэлектроники. |
Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электро-ника и МПТ: - М.: ВШ, 2005. с.154-157. Забродин Ю.С. Промышленная электроника:-М.:ВШ,1982.83-87. |
Конспект |
11 неделя |
0,8 |
12 |
ИМС на МДП-тран-зисторах |
МДП-транзисторы. Полупро-водниковые резисторлар и конденсаторы. |
Знать особенности ИМС на полевых транзисторах. |
Степаненко И.П. Основы микро-электроники: - М.: «Советское радио», 1980, с. 229-239 |
Конспект Решение задач |
12 неделя |
0,8 |
13 |
Логические элементы |
Логические элементы, пара-метры и характеристики. Полупроводниковые элементы памяти. |
Понятия об опера-ционных и постоян-ных е элементах памяти. |
Бойко В.И. Схемотехника электронных систем. Цифровые устройства. - Изд-во: БХВ-СПб, 2004. с.331-427 |
Конспект |
13 неделя |
0,8 |
14 |
Опрецион-ные усилители |
Действие различных факторов на выходные параметры опреционных усилителей. |
Обяснить характеристик ОУ. |
Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электро-ника и МПТ: - М.: ВШ, 2005. с.608-614. |
Конспект |
14 недел |
0,8 |
15 |
Перспек-тивы электроники |
Будущее электроники |
Развитие электро-ники; микро- и наноэлектроники. |
Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электро-ника и МПТ: - М.: ВШ, 2005. с.680-693. |
Конспект |
15 неделя |
0,8 |