- •2. Строение атома. Понятие об энергетических уровнях и зонах твёрдого тела. Классификация и строение веществ в соответствии с зонной теорией твёрдого тела.
- •3. Электрофизические свойства полупроводников. Примесные полупроводники, структура, виды носителей зарядов, свойства.
- •П яти валентная примесь.
- •4. Электронно-дырочный переход его свойства.
- •5 . Поведение p-n-структуры при воздействии прямого и обратного напряжений.
- •7. Явления в структурах Ме-п/п, Ме-д/э-п/п.
- •8) Классификация, типы и свойства п/п-диодов.
- •10. Явления в pnp, npn – структурах. Принцип действия биполярного транзистора.
- •11. Схема включения транзистора с об. Характеристики, основные параметры.
- •12. Схема включения транзистора с оэ. Характеристики, основные параметры.
- •13. Схема включения транзистора с ок, характеристики, основные параметры.
- •15) Синтез транзистора как активного четырехполюсника, h-параметры.
- •16. Расчёт h-парам-ов для сх. Транз-ра с оэ.
- •17. Расчёт h-парам-ов для сх. Транз-ра с об.
- •18. Полевые транзисторы с pn-затвором: принцип действия, параметры, характеристики.
- •19. Полевые транзисторы с изолированным затвором: (мдп), принцип действия, параметры, характеристики.
- •20.Полевые транзисторы со встроенным каналом: (мдп), принцип действия, параметры, характеристики.
- •21) Полевые транзисторы с индуцированным каналом: (мдп), принцип действия, параметры, характеристики.
- •23. Тиристоры, виды, принцип действия динисторов, тиристоров, симисторов, их характеристики.
- •24) Общая характеристика транзисторных усилителей. Основные параметры и характеристики транзисторных усилителей (Ku, Rвх, Rвых, f, ачх, фчх, Кн, Кг).
- •25. Каскады унч на бт, схемы, характеристики, режимы работы.
- •26. Каскады унч на пт, схемы, характеристики, режимы работы.
- •27. Виды межкаскадной связи в усилителях. Ачх усилителя с ёмкостной связью.
- •28. Передаточная динамическая хар-ка каскада и режимы его работы.
- •29. Схемотехника выходных каскадов усилителей. Передают мощн. В цепь нагр. От источника питания. Осн. Требование: высокий кпд. Они строятся на однотактных и двухтактных схемах.
- •30. Классификация ос в усилителях. Влияние коэффициента ос на Ку усилителя при пос/V.
- •Поэтому
- •31. Классификация ос в усилителях. Влияние коэффициента ос на Ку усилителя при оос/V.
- •32. Влияние ос на характеристики усилителей (стабильность ку, rвх, rвых, полосу пропускания).
- •33. Ключевые схемы на пт и бт. Энергетика ключевой схемы.
- •34. Ключевые схемы на пт. Эмиттерный повторитель, схемотехника, особенности, пути повышения входного сопротивления эмиттерного повторителя.
- •35. Компенсационные стабилизаторы напряжения (ксн): типы, структура, принцип работы, энергетика. Ксн: схемотехника, анализ поведения схемы при изменении входного напряжения и тока нагрузки.
- •36. Оптоэлектронные элементы (оэ). Источники излучения: определения, принцип работы, режимы питания и схемы включения сид.
- •37. Оэ. Фотоприемники: основные характеристики и параметры, принцип работы. Фоторезисторы.
- •38. Оэ. Фотодиоды: режимы работы, характеристики, параметры, применение.
- •39. Оэ. Фототранзисторы: принцип работы, характеристики, применение.
- •40. Оптоэлектронные приборы. Фототиристоры: принцип работы, характеристики, применение.
- •41. Оптопары: резисторные и диодные. Схемотехнические примеры применения в технике.
- •42. Оптопары: транзисторные и тиристорные. Применение в автоматических устройствах.
- •43, 44. Применение фоточувствительных приборов в схемах усилителей и устройствах автоматики. Применение фототиристоров в устройствах автоматики.
- •Фототиристоры:
- •Этот процесс сопровождается разрядом внутри паразитного конденсатора
- •47. Структура, принцип действия и характеристики бтиз.
- •48. Эквивалентная схема, процессы переключения бтиз.
- •49. Дифференциальный каскад. Принцип работы, оос по току. Реакция каскада на воздействие синфазного сигнала, помехи и на различные варианты асинфазных сигналов, поступающих на входы дк.
- •50. Типовая схема дк. Динамическая нагрузка, термостабилизация режима работы каскада.
- •51. Основные схемы включения оу:
- •52. Усилитель с дифференциальным входом. Принцип работы, уравнения.
- •53. Влияние оос на коэффициент усиления, входные и выходные сопротивления оу. Вывод уравнения.
- •54. Частотная характеристика оу. Скорость спада чх. Частотная характеристика оу при наличии ос. Произведения коэффициента усиления на полосу пропускания.
- •Скорость спада чх
- •Частотная характеристика оу при наличии ос
- •55. Самовозбуждение оу. Критерий устойчивости оу. Скорость нарастания выходного сигнала оу.
- •Скорость изменения выходного напряжения
- •57. Схемы и основные уравнения инвертирующего и неинвертирующего сумматора. Схемы сложения-вычитания. Инвертирующий сумматор
- •Сх. Сложения/вычитания
- •58. Интегратор. Вывод уравнения. Примеры интегрирования типовых сигналов.
- •60. Дифференциатор (д). Принцип работы, уравнения, частотная характеристика. Стабилизация дифференциатора.
- •61. Методика решения дифференциальных уравнений с помощью аналоговой техники. Пример решения уравнения.
- •62. Схема логарифмического преобразователя.
- •63. Антилогарифмический усилитель. Принцип построения и реализация нелинейных зависимостей с помощью функциональных преобразователей.
- •64. Пиковый детектор.
- •Детектор напряжения ‘от пика до пика’.
- •65. Детектор нуля сигнала. Фазовый детектор.
- •66. Схема выборки-хранения.
- •67. Схема выделения модуля.
- •69.Источник тока и напряжения.
- •70. Генератор колебаний прямоугольной формы.
- •71. Генератор сигналов треугольной формы.
- •72. Генератор линейного пилообразного напряжения.
- •73. Схемотехника, и принцип работы компораторов на оу.
- •74. Схемотехника и принцип действия триггеров Шмитта
- •75. Типовые схемы измерительных усилителей.
36. Оптоэлектронные элементы (оэ). Источники излучения: определения, принцип работы, режимы питания и схемы включения сид.
Для передачи информации используются фотоны (нейтроны).
Достоинства:
1) Высокое быстродействие и емкость каналов передачи информации посредством оптического излучения;
2) Диапазон излучения в 103÷105 раз выше;
3) Высокая плотность записи информации (луч лазера распр. на площадке 1 мкм2);
4) Высокая помехозащищенность;
5) Отсутствие взаимных наводок в каналах связи;
6) Отсутствие влияния магнитных и электрических полей;
7) Отсутствие влияние источника и приемника сигнала;
8) Достаточная высокая степень независимости оптического переключения от радиационных воздействий.
Недостатки:
1) Низкая временная и температурная стабильность характеристик;
2) Сложность создания универсальных приборов;
3) Очень жесткие требования к технологии изготовления;
4) Сравнительно большая потребляемая мощность.
Оптоэлектронными приборами называют приборы излучающие, принимающие и преобразующие информацию в инфракрасном, видимом и ультрафиолетовом спектре волн, или использующие этот спектр для выполнения определенных функций.
λ=0,001÷0,38 мкм – у/ф;
λ=0,38÷0,78 мкм – видимый;
λ=0,78÷1000 мкм – и/кр;
Основная часть о/э приборов работает с λ=0,2÷20 мкм.
Состав:
1) П/п приборы, которые работают во всех трех спектрах;
2) Источники отображения информации;
3) Сканеры (считывающие устройства);
4) Излучатели и приемники оптического излучения (фотоизлучатели и фотоприемники);
Основные элементы о/э приборов:
• источник оптического излучения – прибор, который в зависимости от изменения эл-го сигнала меняет № светового потока или величину освещенности;
• фотопринимающее устройство.
Универсальным прибором является пара с фотонной связью, которая называется оптроном (оптопарой)
1 )
4-полюсник, зажимы которого электрические, а внутренняя связь – фотонная.
1. Фотоизлучатель;
2. Оптический канал;
3. Фотоприемник.
2 )
1. Приемник; прим. для преобразования и/кр изл. в видимое
2. Усилитель; или наоборот.
3. Излучатель.
Оптоэлектронные источники излучения.
Инжекционные светоизлучательные диоды (СИД).
Принцип работы СИД основан на некогерентной инжекционной электролюминесценции, т.е. излучение оптического свечения под воздействием прямого тока, возникающего в p-n переходе, смещенного в прямом направлении.
При приложении прямого напряжения частицы из одной области инжектируют в другую, где они являются неосновными. При производстве СИД эта инжекция создается преимущественно однонаправленной. Создается вполне определенная ширина запрещенной зоны(сW=1.5÷3 эВ). При переходе в p-n переходе к n-области – неустойчивое энерг. состояние проводника, при котором из зоны проводимости переходят в валентную зону (т.е. в зону, расположенную на более низком энергетическом уровне) с отдачей энергии в виде фотона. Такой процесс происходит и в об. пров-ке, но в этом случае энергия фотона отдается атомам кристаллической решетки и используется для передачи других в валентную зону. Этот процесс происходит из-за наличия в запретной зоне примесных ловушек.
При производстве СИД вводят спец. примеси – напр. Ga-As-P, Ga-As-Al, фофсид галлия,- которые уже не способны поглощать энергию фотонов, если энергия больше . Хотя часть , облад. энергией, меньшей указанного выше значения по прежнему идет на передачу с более высоких слоев в более низкие, в валентную зону. Процесс этот сопровождается отдачей энергии. С добавлением Zn и N – смещение в видимом спектре в сторону зеленого и красного света.
Р ежимы питания и основные схемы включения:
1) Постоянный ток.
ICD=(UП - UCD)/R
2) Импульсный ток.
ID=I0*
Q=T/tИ
ЗГ - задающий
генератор
3 ) Экспоненциальный.
I CD=α*I0*T/(1-e -α T )
T – полн. вр. изм.
экспоненты
tИ – пост-я вр. эксп-ты
Импульсный – экономичен, возможность передачи информации по двум каналам.
Эксп-й – позволяет линеаризировать градуировочные характеристики нелинейных приборов. Используется для реализации математических операций.
Схемы вкл.: