13. Схема включения транзистора с ок, характеристики, основные параметры.

I _ВХ=I_Б; U_ВХ=U_БК; I_ВЫХ =I_Э; U_ВЫХ=R_Н.

Входная ВАХ

Если на входе “минус”, то на выходе – “минус”. Если “плюс”, то на выходе тоже “плюс”

K_U=1, т.к. при малых U_БЭ U_ВХ≈U_ВЫХ.

14. Т-образные эквивалентные схемы транзисторов. Сравнение схем включения транзисторов.

Транзистор с общей базой, коллектором или эмиттером может быть представлен в виде активного четырехполюсника, при анализе работы которого рассматривают Т – образные схемы замещения. В этих схемах сопротивления соответствующих областей представляют в виде резисторов R_Э R_Б R_К,

R_Б=1÷10 Ом; R_Э=100 Ом; R_К=10000 Ом;

Усилительные свойства транзистора моделируются включением в схему источника тока с соответствующим коэффициентом передачи тока: α или β

; R_ВХ=1÷10 Ом

– Коэффициент передачи α.

R_ВХ= Сотни Ом

– Коэффициент передачи β.

R_ВХ= Десятки тысяч Ом

	KI	KU	KP	RВХ
С ОБ	1	До 100	До 100	Десятки
С ОЭ	Десятки- сотни	сотни	Десятки тысяч	Десятки
С ОК	сотни	≈1	сотни	Десятки тысяч

Чаще используется схема с общим эмиттером.

15) Синтез транзистора как активного четырехполюсника, h-параметры.

При расчетах и исследованиях удобно представлять транзисторную схему, как усиливающее устройство, на выходе которого действует напряжение U₁ и течет ток I₁, а на выходе U₂,. Такую модель называют активным четырехполюсником.

Транзистор с общим эмиттером.

Если представить ля этой модели I₁ и U₂ в качестве независимых переменных, то: U₁=f(U₂, I₁); I₂=f(I₁, U₂)

Частные производные в системе называются h-параметрами

Определим физический смысл h-параметров: - входное сопротивление схемы.

- коэффициент обратной связи по напряжению; ;

- коэффициент усиления по току. - выходная проводимость

Для конкретного транзистора в зависимости от схемы включения (ОБ, ОЭ, ОК) значения его параметров меняются

, .

Значения h- параметров определяются из режимов КЗ и ХХ.

16. Расчёт h-парам-ов для сх. Транз-ра с оэ.

Сх. с ОЭ:

Приближённые значения h-пар-ов можно опр-ить графоаналитич. способом на линейных участках вх. и вых. статических хар-стик транз-ра. Для опр-ния всех h-пар-ов необходимо иметь не менее 2х хар-ик каждого семейства (вх. и вых.). Пар-ры рассчит-ся по конечным приращениям токов и напряжений вблизи рабочей точки транз-ра. В этом случае для сх. с ОЭ справедливы следующие уравнения:

где

Для опр-ния пар-ров h11 и h12 схемы с ОЭ на семействе вх. хар-тик в рабочей точке А строят треугольник АВС (из А проводят прямые, параллельные оси абсцисс и оси ординат до пересечения со второй хар-кой в точках В и С)(рис. 1). Из полученного характеристического треугольника находят все значения, необх. для опр-ния h11 и h12:

Рис. 1: семейство вх. хар-к

В рабочей точке А^/ на вых. хар-ах (рис. 2) определяют пар-ры h21 и h22:

Рис. 2: семейство вых. хар-к