- •Приборы и устройства электроники
- •Приборы и устройства электроники
- •Введение
- •Лабораторная работа №1 пассивные элементы электроники
- •Теоретическая часть
- •Экспериментальная часть
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №2 полупроводниковый диод
- •Теоретическая часть
- •Экспериментальная часть
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №3 полупроводниковый стабилитрон
- •Теоретическая часть
- •Экспериментальная часть
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №4 биполярный транзистор
- •Теоретическая часть
- •Экспериментальная часть
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №5 полевой транзистор
- •Теоретическая часть
- •Экспериментальная часть
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №6 тиристор
- •Теоретическая часть
- •Экспериментальная часть
- •Экспериментальная часть
- •Контрольные вопросы
- •Рекомендуемая литература
- •Содержание
- •430000, Г. Саранск, ул. Большевистская, 68
- •Приборы и устройства электроники
- •430000. Г. Саранск, ул. Полежаева, 49.
Экспериментальная часть
Экспериментальная часть лабораторной работы предусматривает определение ВАХ и основных параметров диодов. Исследуется два разных типа выпрямительных диодов.
В работе используется специальный лабораторный стенд, который содержит измерительные приборы и реостат (рис. 4).
При экспериментальном определении основных характеристик диодов необходимо следить, чтобы величины токов и напряжений не превышали предельных значений измерительных приборов.
1. Собрать схему, используя лабораторный стенд (рис. 4) для определения ВАХ диода. На вход схемы подается постоянное напряжение от внешнего постоянного источника питания. К клеммам 1 и 2 подключается исследуемый диод.
Рис.4. Схема для определения параметров диода:
V - вольтметр с пределами измерения 50В; mА - миллиамперметр с пределом измерения 500 мА; Rр – реостат.
2. Определить зависимость между током и напряжением при прямом и обратном включении диода. Измерения для каждого включения проводить не менее 10 раз. Результаты измерений занести в таблицу 1.
Таблица 1.
Uпр, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iпр, mА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Uобр, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Iобр, mА |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
3. Построить вольтамперную характеристику диода.
4. Определить дифференциальное сопротивление диода при прямом и обратном включении.
5. Определить контактную разность потенциалов.
Контрольные вопросы
1. Объяснить физические процессы в р-п -переходе.
2. Дать понятие инжекции и экстракции носителей заряда.
3. Привести ВАХ диода.
4. Назвать основные параметры диода.
5. При каком пробое р-п – перехода он выходит из строя?
6. Как влияет температура на ВАХ диода?
Лабораторная работа №3 полупроводниковый стабилитрон
Цель работы: изучение устройства, принципа работы и основных параметров полупроводникового стабилитрона. Снятие вольтамперной характеристики стабилитрона. Рассмотрение схемы параметрического стабилизатора.
Теоретическая часть
Полупроводниковым стабилитроном называют электропреобразовательный прибор с одним р-п- переходом и двумя выводами из областей кристалла с различными типами проводимости, на обратной ветви вольтамперной характеристики которого имеется участок со слабой зависимостью напряжения от проходящего тока. Это вызвано тем, что при превышении обратного напряжения происходит лавинный пробой р-п- перехода. При пробое наблюдается резкое возрастание обратного тока при почти неизменном уровне обратного напряжения, что позволяет использовать стабилитроны для стабилизации постоянного напряжения.
Нормальным включением стабилитронов в цепь источника постоянного напряжения является обратное. Если обратный ток через стабилитрон не превышает некоторого значения, то состояние электрического пробоя не приводит к его выходу из строя и может воспроизводиться в течение длительного времени.
Структура стабилитрона аналогична структуре выпрямительного диода, образование р-п - перехода возникает вследствие тех же процессов. Вольтамперная характеристика стабилитрона приведена на рис. 1.
Рис. 1. Вольтамперная характеристика полупроводникового стабилитрона.
Стабилитроны характеризуются следующими основными параметрами:
1. Напряжением стабилизации Uст - напряжением на стабилитроне при прохождении заданного тока стабилизации Iст.ном (рис.1).
2. Минимальным Iст.min и максимальным Iст.max значениями постоянных токов на участие стабилизации, при которых обеспечивается заданная надежность. Превышение тока Iст.max приводит к тепловому пробою р-п - перехода и его разрушению. Напряжение стабилизации современных стабилитронов лежит в пределах 1-100 В, а значения минимального и максимального токов Iст.min = 1-10 mA, Iст.max = 50-2000 mА.
3. Дифференциальным сопротивлением стабилитрона в рабочей точке на участке стабилизации rст = dUст/dIст определяющим степень изменения напряжения стабилизации при изменении тока через стабилитрон. Обычно rст = 0,5-200 Ом.
4. Температурным коэффициентом стабилизации напряжения на участке стабилизации = (dUст/dIст *dT)100%.
Стабилитроны подразделяются на низковольтные (Uст < 5,4 В) и высоковольтные (Uст 5,4 В).
На рис. 2 приведена схема простейшего стабилизатора параметрического типа на одном стабилитроне. Если входное напряжение Uвх стабилизатора увеличивается, то это приводит к увеличению тока через стабилитрон и балластное сопротивление Rб (Rн = const).
+
Рис. 2. Схема параметрического стабилизатора.
Избыток входного напряжения выделяется на Rб, а напряжение Uвых на сопротивлении Rн равное Uст (нагрузка включается параллельно стабилитрону) остается неизменным. При изменении сопротивления Rн и неизменном входном напряжении ток, проходящий через сопротивление Rб остается постоянным, но меняется распределение токов между стабилитроном и нагрузкой, а напряжение Uвых по-прежнему сохраняется неизменным.