Экспериментальная часть

Экспериментальная часть лабораторной работы предусматривает определение входных, выходных характеристик и основных параметров биполярных транзисторов, включенных по схеме с ОЭ. Схема с ОЭ является наиболее используемой в электронных приборах.

В работе используются специальный лабораторный стенд, который содержит измерительные приборы, включенные во входные и выходные цепи исследуемого биполярного транзистора, и два регулируемых источника питания (рис.7).

Рис. 7. Схема лабораторного стенда:

где V1 - вольтметр с пределами измерения 5В; V2 - вольтметр с пределами измерения 50В; А1 - амперметр с пределом измерения 100 мА; А2 - амперметр с пределом измерения 500 мА; VT – транзистор.

В стенде используются вольтметр V1, измеряющий постоянное напряжение U_БЭ, вольтметр V2, измеряющий постоянное напряжение U_ЭК, амперметры А1 и А2, измеряющие постоянный ток в цепи базы и коллектора транзистора.

Входным напряжением для схемы ОЭ является напряжение U_БЭ, которое подается с регулируемого источника U_п1 расположенного в стенде. Напряжение U_ЭК подается на схему от источника U_п2. Диапазон изменения напряжений для источника U_п1 составляет 0 - 5 В, а для источника U_п2 соответственно 0 - 15 В.

При экспериментальном определении характеристик транзистора необходимо следить, чтобы величины токов и напряжений не превышали предельных величин измерительных приборов.

1. Подать на схему напряжения U_БЭ и U_ЭК с регулируемых источников питания. Величины напряжений U_п1, U_п2 перед исследованием выставляются на минимальными.

2. Определить входные статические характеристики транзистора I_Б =f (U_БЭ) при 2-х заданных значениях коллекторного напряжения U_КЭ. Измерения для каждой ветви характеристики осуществлять не менее 10 раз. Результаты занести в таблицу 1.

Таблица 1

UКЭ1		UКЭ2
UБЭ1	IБ1	UБЭ2	IБ2

По полученным результатам построить входные характеристики транзистора.

3. Определить выходные статические характеристики транзистора I_К =f (U_КЭ) при 3-х заданных токах базы I_Б. Измерения для каждой ветви выходной характеристики осуществлять не менее 10 раз. Результаты занести в таблицу 2.

Таблица 2

IБ1		IБ2		IБ3
UКЭ1	IК1	UКЭ2	IК2	UКЭ3	IК3

По полученным результатам построить выходные характеристики транзистора.

4. По выходным и входным характеристикам найти для заданной точки Т (рис. 8) коэффициент передачи транзистора по току, определив приращения ΔI_К и ΔI_Б между точками А и Б при постоянном напряжении U_КЭ:

. (9)

5. Определив отношение приращений между точками В и Г при постоянном токе I_Б вычислить выходное сопротивление

. (10)

Рис. 8. Характеристики биполярного транзистора.

6. На входной характеристике (рис. 8) указана точка Т для того же режима, что и на выходных характеристиках. По приращениям ΔU_БЭ и ΔI_Б между точками А и Б при постоянном напряжении U_КЭ найти входное сопротивление транзистора

. (11)

7. Используя выражение (8) определить коэффициент передачи по току  транзистора для схемы включения ОБ.