Вопрос №49 Блочная память с чередованием адресов по циклической схеме.

В основе схемы лежит чередование адресов, которое заключается в распределении адресов между банками памяти. В каждом такте на шине адреса может присутствовать адрес только одной ячейки, поэтому параллельное обращение к нескольким банкам невозможно, однако может быть организовано со сдвигом на один такт. Адрес ячейки запоминается индивидуально в своем регистре адреса и дальнейшие операции по доступу к ячейке в каждом банке протекают независимо. При большом количестве банков время доступа к ОП сокращается в К-раз, где К – количество банков, но при условии что ячейки относятся к разным банкам. Если запросы следуют к одному и тому же банку, то каждый следующий запрос должен ожидать завершения обслуживания предыдущего. То есть возможны конфликты по доступу, что является не эффективным.

Вопрос №50 Блочно-циклическая схема расслоения.

Адрес ячейки разб-ся на 3 части:

Старшие 2 бита определяют номер банка.

Следующая группа разрядов указывает на ячейку в модуле.

Младшие выбирают модуль в банке.

Способы расслоения памяти хорошо работают в рамках одной задачи то есть при использовании локальной памяти в многопроцессорных системах с общей памятью где запросы на доступ к памяти независимы используется несколько контроллеров памяти, что позволяет отдельным банкам работать совершенно автономно, при этом чем больше число банков, тем меньше вероятность последующего обращения к одному и тому же банку памяти.

Пример: В суперкомпьютере NEC SX3 память состоит из 128 банков.

Вопрос №51 Постоянные запоминающие устройства.

Микросхемы ПЗУ так же построены по принципу матричной структуры, где в узлах расположены перемычки в виде проводников, полупроводниковых диодов или транзисторов, которые одним выводом подключены к адресной линии, а другим к разрядной линии считывания. В такой матрице наличие перемычки означает 1 а отсутствие 0.

В некоторых типах ПЗУ Эл. Расположена на перемычке исполняет роль конденсатора, когда заряженное состояние – 1, разряженное – 0.

Основной режим ПЗУ считывание информации.

Запись информации выполняется путем программирования или программой. Современные ПЗУ выполняются в виде полупроводниковых микросхем: программ при изготовлении однократно программируемые после изготовления многократно программируемые.

Однократно программируемые.

Такие ПЗУ называются масочными. В ходе производственного процесса выполняется подключение или не подключение запоминающих Эл. К разрядной линии считывания (1 или 0). В качестве перемычки – транзистор. Перепрограммирование не допускается. Используется для хранения фиксированной информации (РОН или ПЗУ).

«+» - дешевые, высокая скорость считывания.

Многократно программируемые. Типа PROM. Первые были на базе плавких предохранителей. В исходной микросхеме во всех узлах адресные линии были соединены с разрядными. Занесение информации выполнялось эл-ки путем пережигания перемычек.. В последующих моделях использовалось 2 диода включающихся на встречу. В процессе программирования перемычка удалялась путем электрического пробоя одного из диодов.

«+»программирование по желанию.

«-»большой процент брака, так как при неправильном использовании программатора не обеспечивается надежность микросхем.

Вопрос №52 EPROM, стираемая программное ПЗУ, EEPROM электрически стираемая программное ПЗУ, flash – память.

EPROM. Запись информации производится электрическими сигналами, но перед ее началом содержимое ячеек должно быть стерто и использованием ультрафиолетового излучения. Процесс стирания может выполняться многократно. Данные хранятся на мор транзисторах играющих роль конденсаторов с очень малой утечкой заряда. Заряженный=0, разряженный=1.

EEPROM, запись и стирание производится по байтам при этом стирание этап записи. Стирание занимает 100 микросекунд на байт, запись более длительная, специальный программатор не требуется. Программатор реализуется средствами самой микросхемы. Микросхемы могут быть с последовательным и параллельным доступом. При последовательном доступе адреса, данные команды передаются по 1 проводу с синхронно тактовыми импульсами на проводе.

«+» малые габариты, минимальное число линий ввода/вывода.

«-»большое время доступа: 24с xxx, 25c xxx, 93c xxx.

Параллельный доступ(28с xxx).

«+» удобнее в эксплуатации.

«-» меньшая плотность, более дорогие.