Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лабораторный практикум МОДЕЛПРОиПРИ.doc
Скачиваний:
11
Добавлен:
24.11.2019
Размер:
395.26 Кб
Скачать

Практическая часть:

1. Рассчитайте профили имплантированных ионов для всех трех случаев – симметричного распределения, слабой асимметрии и сильной асимметрии.

2. В соответствии со своим вариантом выберите энергию ионов (для случая сильной асимметрии) и их тип (для всех трех случаев)

Вариант 1

Вариант 2

Вариант 3

Вариант 4

Вариант 5

Вариант 6

Вариант 7

Вариант 8

E, кэВ

10

30

100

10

30

100

30

30

Тип иона

B

B

B

P

P

P

B

P

3. Значение дозы возьмите такое же, что и в предыдущей работе.

Лабораторная работа 3.

Моделирование подвижности электронов в короткоканальных

МОП-транзисторах

Цель работы: Рассчитать распределение значения подвижности электронов по области протекания электрического тока в короткоканальных МОП-транзисторах.

Теоретическая часть:

На рис. 3.1 представлена конструкция моделируемого МОП-транзистора, и в ней в правой части рисунка отмечена область моделирования. Внутри этой области в короткоканальных МОП-транзисторах протекает весь электрический ток, составляющий рабочий ток транзистора – ток стока. В длинноканальных приборах (Lch>0,7 мкм) это утверждение несправедливо, но они рассматриваться не будут.

Рис. 3.1. Конструкция моделируемого прибора и область моделирования

Величина тока стока внутри области моделирования зависит от концентрации электронов и их подвижности . Оба этих параметра являются сильно неоднородными, т.е. существенно изменяются с координатами x и y, являясь таким образом, функциями и . Точное определение этих функций возможно только с помощью кинетического моделирования электронного переноса в МОП-транзисторе на основе метода Монте-Карло. Однако для подвижности электронов предложено несколько моделей, которые позволяют во многих случаях с высокой степенью точности рассчитать распределение подвижности по области моделирования, т.е. получить функцию .

В модели подвижности в качестве базовых входят четыре параметра — температура кристалла Т, концентрация легируемой примеси в подложке (в нашем случае акцепторной) , напряженности продольной составляющей и поперечной составляющей электрического поля. За исключением температуры три остальных параметра также являются функциями координат, причем зависит только от x (величина концентрации изменяется в глубь подложки, а с изменением y не меняется), зависит только от y (с изменением x не меняется), а зависит и от x и от y.

Рассчитать распределение подвижности можно по следующим трем формулам, которые составляют так называемые модели подвижности Когей–Томаса и Ширахаты:

,

,

.

Особо следует отметить, что размерности входящих в эти формулы величин следующие: T [К], –3], и [Всм–1].

Точно определить функции и можно только с помощью численного решения уравнения Пуассона в области моделирования. Однако для многих практических случаев можно воспользоваться аналитическими приближениями. В настоящей работе это будут линейные приближения, т.е. есть линейно возрастающая с ростом функция от 0 до , а есть линейно убывающая с ростом функция от до 0. Причем величина постоянна и равна , а изменяется в области моделирования от 0 у самого истока до у самого стока для любого x. Величина вообще говоря есть функция y, т.е. линейно изменяется вдоль x, но для каждого y будет наблюдаться свое линейное изменение. Величину можно рассчитать согласно , где и есть максимальное значение концентрации легируемой примеси в подложке. С ростом y, как легко видно из двух последних формул, величина уменьшается (так как растет ).

Замечание: при расчете распределения вдоль любого x нужно иметь в виду, что величина при конкретном значении y равна для и равна 0 для . В то же время область моделирования ограничена размером , величина которого всегда меньше , а для некоторых случаев может наблюдаться и <<

. Это означает, что в действительности в области моделирования величина будет изменяться от до какого-то значения, которое будет заметно больше 0.