- •Диффузионные процессы в технологии изготовления полупроводниковых приборов
- •Распределение примеси при диффузии
- •3. Методы расчетов диффузионных структур
- •Определение режимов диффузии
- •Получение структур методом ионной имплантации
- •6. Физические представления об имплан-тации
- •7. Режимы ионной имплантации
- •8. Отжиг и диффузия ионно-импланти-рованных слоев
- •9. Методы расчетов ионно-имплантиро-ванных структур
- •10. Определение режимов имплантации
- •Библиографический список
- •Содержание
- •6. Физические представления об имплантации 24
- •10. Определение режимов имплантации 46
- •Библиографический список 57 диффузионные процессы в технологии изготовления полупроводниковых приборов
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
Библиографический список
1. Курносов А.И. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем / А.И. Курносов, В.В. Юдин. М.: Высшая школа, 1986. 315 с.
2. Ефимов И.Е. Микроэлектроника: учеб. пособие для вузов / И.Е. Ефимов, И.Я. Козырь, Ю.И. Горбунов. М.: Высш. шк. 1986. 464 с.
3. Пичугин И.Г. Технология полупроводниковых приборов / И.Г. Пичугин, Ю.М. Таиров. М.: Высш. шк., 1984. 289 с.
4. Чистяков Ю.Д. Физико-химические основы технологии микроэлектроники / Ю.Д. Чистяков, Ю.П. Райнова. М.: Металлургия, 1979. 279 с.
5. Черняев В.Н. Физико-химические основы технологии РЭА / В.Н. Черняев. М.: Высш. шк., 1987. 189 с.
6. Парфенов С.Д. Технология микросхем / С.Д. Парфенов. М.: Высш. шк., 1986. 305 с.
7. Коледов Л.А. Технология и конструирование микросхем, микропроцессоров и микросборок / Л.А. Коледов. М.: Радио и связь, 1989. 115 с.
8. Технология СБИС / под ред. С. Зи. М.: Мир. 1983. 98 с.
9. Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы / В.В. Пасынков, Л.К. Чиркин. М.: Высш. шк. 1987. 306 с.
10. Кремнивые планарные транзисторы. / под ред. Я.А. Федотова М.: Сов. Радио. 1973. 335 с.
11. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров / В.Н. Черняев. М.: Радио и связь. 1987. 215 с.
12. Плазменная технология в производстве СБИС. / под ред. П. Айнспурка, Д. Брауна, пер. с англ. под ред. Е.С. Машковой. М.:Мир, 1987. 321 с.
13. Риссел Х. Ионная имплантация: пер с нем. / Х. Риссел, И. Руге под ред. М.И. Гусева. М.: Наука, 1983. 342 с.
14. Валиев К.А. Физические основы субмикронной литографии / К.А. Валиев, А.В. Раков. М.:-Радио и связь, 1985. 273 с.
15. Тилл У. Интегральные схемы. Материалы. Приборы. Изготовление. Пер. с англ. / У. Тилл, Дж. Лаксон; под ред. М.В. Гальперина: М.: Мир, 1988. 264 с.
16. Сугано Т. Введение в микроэлектронику / Т. Сугано, Т. Икомо, Е. Такзиси. М.: Мир, 1989. 315 с.
17. Березин А.С. Технология и конструирование интегральных микросхем / А.С. Березин, О.Р. Мочалкина. М.: Радио и связь, 1992. 249 с.
Содержание
Введение. Получение структур методом диффузии 1
1. Распределение примеси при диффузии 1
2. Технологические приемы получения диффузионных
структур 4
3. Методы расчетов диффузионных структур 7
4. Определение режимов диффузии 16
5. Получение структур методом ионной имплантации 23
6. Физические представления об имплантации 24
7. Режимы ионной имплантации 32
8. Отжиг и диффузия ионно-имплантированных слоев 34
9. Методы расчетов ионно-имплантированных структур 39
10. Определение режимов имплантации 46
Варианты курсовых заданий для расчетов 54
Библиографический список 57 диффузионные процессы в технологии изготовления полупроводниковых приборов
МЕТОДИЧЕСКОЕ РУКОВОДСТВО
по расчетной части курсового проекта дисциплины «Технология изделий электронной техники» для студентов очной формы обучения направления 140400.62 «Техническая физика»
Составители:
Ситников Александр Викторович
Бабкина Ирина Владиславовна
В авторской редакции
Подписано к изданию 13.01.2012
Уч.-изд. л. 3,6. «С»
ФГБОУВПО «Воронежский государственный
технический университет»