- •Методические указания
- •2.2. Задание №2
- •Методические указания по выполнению второго задания
- •3. Вопросы к домашнему заданию
- •4. Лабораторные задания и Методические указания по их выполнению
- •4.1. Задание № 1
- •4.2. Задание №2
- •5. Указания по оформлению отчета
- •6. Контрольные вопросы к лабораторным заданиям
- •Библиографический список
- •1.3. Указания по технике безопасности
- •2. Домашние задания и методические указания по их выполнению
- •2.1. Задание №1
- •2.2. Задание №2
- •3. Вопросы к домашнему заданию
- •4. Лабораторные задания и Методические указания по их выполнению
- •4.1. Задание №1
- •4.2. Задание №2
- •5. Указания по оформлению отчета
- •6. Контрольные вопросы к лабораторным заданиям
- •Библиографический список
- •2.2. Задание №2 Изучить конструкцию и материалы элементов разводки в мдп-имс
- •3. Вопросы к домашнему заданию
- •4. Лабораторные задания и Методические указания по их выполнению
- •Задание №1
- •5. Указания по оформлению отчета
- •6. Контрольные вопросы к лабораторным заданиям
- •Библиографический список
- •1.3. Указания по технике безопасности
- •2. Домашние задания и методические указания по их выполнению
- •2.1. Задание №1
- •3. Вопросы к домашнему заданию
- •4. Лабораторные задания и методические указания по их выполнению
- •4.1. Задание №1
- •5. Указания по оформлению отчета
- •6. Контрольные вопросы к лабораторным заданиям
- •Библиографический список
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
3. Вопросы к домашнему заданию
1. Что представляет собой МДПТ? На каких принципах основано его действие?
2. В чем заключаются преимущества и недостатки МДПТ по сравнению с биполярным транзистором?
3. Опишите конструкцию МДПТ.
4. Какие виды МДПТ Вы знаете?
5. Приведите конструкцию и топологию МДПТ со встроенным каналом.
6. Приведите конструкцию и топологию МДПТ с индуцированным каналом.
7. В качестве каких элементов могут служить МДПТ в МДП-ИМС? Какие преимущества это дает?
8. Какие материалы используются в МДП-ИМС в качестве элементов коммутации? Какими методами они формируются?
9. Приведите основные характеристики шин разводки на основе алюминия и ППК.
10. Какие преимущества и ограничения имеет разводка с применением ППК?
11. Что характерно для разводки на основе пленок тугоплавких металлов и их силицидов? Какими методами получают такую разводку?
12. Какие параметры имеет разводка из силицида молибдена MoSi2? Какими преимуществами она обладает по сравнению с ППК?
13. Какие требования возникают при создании коммутации в БИС?
14. Каким требованиям должны удовлетворять диэлектрические пленки, разделяющие слои разводки?
15. Какие материалы применяют в качестве межслойных диэлектриков? Какими методами их получают?
4. Лабораторные задания и Методические указания по их выполнению
Задание №1
Провести топологическое проектирование МДП-транзистора в САПР Cadence Virtuoso (рис. 5). Для топологического проектирования МДП-транзистора необходимо знать его геометрические характеристики: длину и ширину. Рассмотрим 1 вариант задания. Согласно заданию нужно спроектировать МДП-транзистор p-типа с длинной канала L = 1 микрон, ширина W = 5.3 микрон (рис. 6).
Рис. 5. Топология транзистора в САПР Cadence Virtuoso
Запускаем САПР Cadence Virtuoso, далее в библиотеке VGTU (Library Manager) создаем новую ячейку (File→New Cell). Далее слоем oxide создаем основу транзистора, рисуем прямоугольник с шириной (W) 5.3 мкм.
Рис. 6. Длинна (L) и ширина (W) транзистора, где затвор (а) и слой oxide (б)
После необходимо произвести определение типа проводимости транзистора, в данном случае у нас p-проводимость, необходимо слой oxide перекрыть слоем Pimp.
Если транзистор n-проводимости, то слой oxide перекрывают слоем Nimp. Слой Nipm или Pimp должен быть больше слоя oxide на 0.5 мкн.
После создания слоя диффузии и определения проводимости, создаем область затвора, с длинной (L) 1 микрон. Затвор состоит из поликремния (poly) (Рис. 7,а).
Для транзистор p-типа необходимо сделать карман (слой nwell), т.к. подложка интегральных микросхем имеет проводимость p-типа. Слойn nwell должен окружать слой oxide на расстояние 1 мкн.
В завершение топологического проектирования транзистора создаются контакты к затвору, стоку и истоку. При проектирование важно использовать функцию Ruler. Для этого в меню Tools необходимо выбрать Create Ruler.
Варианты лабораторного задания представлены в таблице
Номер варианта |
Тип проводимости транзистора |
Длинна, микрон |
Ширина, мирон |
1 |
p |
1 |
4.3 |
2 |
n |
1 |
3 |
3 |
p |
2 |
6 |
4 |
n |
2 |
4 |
5 |
p |
1.5 |
8 |
6 |
n |
2 |
11 |