- •Методические указания
- •2.2. Задание №2
- •Методические указания по выполнению второго задания
- •3. Вопросы к домашнему заданию
- •4. Лабораторные задания и Методические указания по их выполнению
- •4.1. Задание № 1
- •4.2. Задание №2
- •5. Указания по оформлению отчета
- •6. Контрольные вопросы к лабораторным заданиям
- •Библиографический список
- •1.3. Указания по технике безопасности
- •2. Домашние задания и методические указания по их выполнению
- •2.1. Задание №1
- •2.2. Задание №2
- •3. Вопросы к домашнему заданию
- •4. Лабораторные задания и Методические указания по их выполнению
- •4.1. Задание №1
- •4.2. Задание №2
- •5. Указания по оформлению отчета
- •6. Контрольные вопросы к лабораторным заданиям
- •Библиографический список
- •2.2. Задание №2 Изучить конструкцию и материалы элементов разводки в мдп-имс
- •3. Вопросы к домашнему заданию
- •4. Лабораторные задания и Методические указания по их выполнению
- •Задание №1
- •5. Указания по оформлению отчета
- •6. Контрольные вопросы к лабораторным заданиям
- •Библиографический список
- •1.3. Указания по технике безопасности
- •2. Домашние задания и методические указания по их выполнению
- •2.1. Задание №1
- •3. Вопросы к домашнему заданию
- •4. Лабораторные задания и методические указания по их выполнению
- •4.1. Задание №1
- •5. Указания по оформлению отчета
- •6. Контрольные вопросы к лабораторным заданиям
- •Библиографический список
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
2.2. Задание №2
Ознакомиться с конструкцией, технологией изготовления и параметрами ионно-легированных резисторов и резисторов на основе пленок поликремния (ППК). В заготовку отчета занести конструкцию и топологию этих резисторов.
Методические указания по выполнению второго задания
Для выполнения задания следует изучить материал /1, с.261-263; 3, с.68-69/.
В последнее время все большее распространение получают ионно-легированные резисторы, которые в отличие от ДР получаются не диффузией, а локальной ионной имплантацией примеси.
Структура ионно-легированного резистора такая же, как ДР (рис. 3), но глубина имплантированного р-слоя значительно меньше глубины базового слоя и составляет всего 0,2-0,3 мкм. Кроме того, ионная имплантация позволяет обеспечить сколь угодно малую концентрацию примеси в слое. Оба фактора способствуют получению высоких удельных сопротивлений слоя – до 10-20 кОм/□. При этом номиналы сопротивлений могут составлять сотни килоом. ТКС меньше, чем у ДР, и лежит в пределах 3-5%/°С, а разброс сопротивлений не превышает ± (5-10)%.
Рис. 3. Ионно-легированный резистор
Поскольку толщина имплантированного слоя мала, к нему трудно осуществить омические контакты. Поэтому по краям резистивного слоя на этапе базовой диффузии осуществляют узкие диффузионные р-слои, к которым омический контакт осуществляется обычным способом.
В совмещенных микросхемах поверх слоя защитного диэлектрика могут быть сформированы тонкопленочные резисторы. По сравнению с полупроводниковыми они имеют следующие преимущества: более высокие значения граничной частоты, меньшие значения паразитных параметров, более высокая точность изготовления, низкий ТКС. Высокоомные резисторы могут быть получены на основе ППК. Нелигированные пленки поликристаллического кремния могут давать удельное сопротивление 10 Ом/□, но номиналы сформированных на их основе резисторов обычно невоспроизводимы. Удельное сопротивление ППК можно уменьшить легированием, однако оно в сильной степени зависит от уровня их легирования и размера зерна поликремния. Таким образом, резисторы из поликремния пригодны только для схем, где допустим высокий разброс сопротивлений.
Температурный коэффициент этих резисторов довольно высок, И в отличие от ионно-легированных резисторов может быть отрицательным. Резисторы на основе ППК позволяют получать высокоомные нагрузки на очень малой площади (по сравнению с резисторами, получаемыми ионной имплантацией). Эти резисторы технологически очень удобны для схем с поликремниевыми электродами транзисторов.
3. Вопросы к домашнему заданию
1. Какие резисторы называют полупроводниковыми интегральными резисторами? Назовите их типы.
2. Приведите конструкции и топологии диффузионных резисторов.
3. Какова технология изготовления диффузионных резисторов? Назовите их основные параметры.
4. Что такое пинч-резисторы? В каких случаях они используются и как формируются?
5. Приведите конструкцию, топологию и параметры пинч-резисторов.
6. Назовите недостатки пинч-резисторов.
7. По какой технологии получают ионно-легированные резисторы? В чем заключаются их особенности?
8. Каковы конструкция, топология и характеристики ионно-легированных резисторов?
9. Что представляют собой резисторы на основе ППК? Каковы их особенности?
10. В чем заключаются недостатки ППК-резисторов и где целесообразно их применять?