- •Воронежский государственный технический университет
- •Введение
- •SimPowerSystems
- •Соединители (Connectors)
- •Электрические источники (Electrical Sources)
- •A c Current Source
- •Элементы (Elements)
- •Initial positive-sequence voltage Vo
- •Inputs and Outputs
- •Initial state
- •M utual Inductance
- •P arallel rlc Branch
- •P arallel rlc Load
- •Inductive reactive power ql
- •Pi Section Line
- •Inductance per unit length
- •Saturable Transformer
- •S eries rlc Branch
- •S eries rlc Load
- •T hree-Phase Transformer (Two Windings)
- •T hree-Phase Transformer (Three Windings)
- •Zigzag Phase-Shifting Transformer
- •Машины (Machines)
- •Asynchronous Machine Модель динамики трехфазной асинхронной машины.
- •Magnetizing inductance
- •Initial conditions - начальные условия
- •Viscous friction coefficient Bm (n.M.S)
- •Initial speed (rad/s)
- •Excitation System
- •Initial conditions
- •G eneric Power System Stabilizer
- •Initial input:
- •H ydraulic Turbine and Governor
- •Initial mechanical power
- •M ultiband Power System Stabilizer
- •Intermediate frequency band: [fi ki]
- •Intermediate frequency gains: [ki1 ki2 ki]
- •Intermediate frequency time constants:
- •P ermanent Magnet Synchronous Machine
- •Inductances
- •S implified Synchronous Machine
- •Internal impedance
- •Initial conditions
- •Initial conditions
- •Initial conditions, Simulate saturation, Saturation
- •Измерения (Measurement)
- •Current Measurement
- •I mpedance Measurement
- •M ultimeter
- •T hree-Phase V-I Measurement
- •Voltage measurement
- •Voltages in p.U.
- •V oltage Measurement
- •Силовая электроника (Power Electronics) Diode
- •Inductance Lon
- •Initial current Ic
- •Inductance Lon
- •Initial current Ic
- •I deal Switch
- •Internal Resistance Ron
- •Initial state
- •Inductance Lon
- •Initial current Ic
- •M osfet
- •Inductance Lon
- •Internal diode resistance Rd
- •Initial current Ic
- •Three Level Bridge
- •Internal resistance Ron (ohms)
- •T hyristor
- •Inductance Lon
- •Initial current Ic
- •U niversal Bridge
- •Discrete System
- •Графический интерфейс пользователя для анализа цепей и систем (Powergui)
- •Initial states Setting
- •Impedance vs Frequency Measurements
- •Оглавление
- •394026 Воронеж, Московский просп.,14
Inductance Lon
В нутренняя индуктивность Lon, в Генри. Inductance Lon не может быть установлена 0
Forward voltage Vf
Прямое напряжение IGBT прибора, в Вольтах.
Current 10% fall time
Время затухания тока Tf, в секундах.
Current tail time
Оставшееся время затухания тока, в секундах.
Initial current Ic
Начальный электрический ток Ic.
Вы можете определить начальный электрический ток, текущий в IGBT. Обычно устанавливается нулевым, чтобы начать моделирование с выключенного транзистора.
Вы можете определить начальный электрический ток Ic, соответствующий специфическому состоянию цепи. В таком случае все части линейной схемы должны быть установлены соответственно – сложная задача. Поэтому, этот вариант полезен только с простыми цепями.
Snubber resistance Rs
Сопротивление демпфирующего устройства, в Омах. Установите Snubber resistance Rs в inf чтобы не использовать демпфирующее устройство.
Snubber capacitance Cs
Емкость демпфирующего устройства, в Фарадах. Установите Snubber capacitance Cs 0, чтобы не использовать демпфирующее устройство в модели или inf, чтобы получить демпфирующее резистивное устройство.
Входы и выходы
Первое вход и вывод - IGBT выводы, связанны соответственно с коллектором (c) и эмиттером (e). Второй вход (g) - логический сигнал Simulink. Второй вывод - Simulink вектор измерений [Ic, Vce] возвращение.
Предположения и недостатки
Элемент IGBT осуществляет макромодель реального IGBT прибора и не принимает во внимание размеры прибора или сложные физические процессы.
IGBT смоделирован как нелинейный элемент, соединявший с линейной схемой, как показано ниже.
П оэтому, чтобы избегать алгебраического цикла, IGBT индуктивность Lon не может быть нулевой. Каждый IGBT прибавляет дополнительное состояние к электрической модели цепи. Поскольку IGBT смоделирован как источник тока, то не может быть связан последовательно с индуктивностью, источником тока или разомкнутой цепью, если демпфирующая цепь не используется.
Цепи, содержащие индивидуальные элементы IGBT не могут быть дискретизированы. Однако дискретность разрешается для мостиков IGBT/Diodes, имитируемых с элементами универсального моста.
Вы должны использовать жесткий алгоритм интегрирования, чтобы имитировать цепи, содержащие IGBTs. Ode23tb или Ode15s с заданными по умолчанию параметрами обычно дают лучшее быстродействие моделирования.
ПРИМЕР
Следующий пример иллюстрирует использование элемент IGBT в преобразователе постоянного тока. IGBT включается и выключается на частоте 10 кГц, чтобы перенести энергию от источника постоянного тока к нагрузке (дистанционное управление). Среднее выходное напряжение (VR) является функцией рабочего цикла ( ) коммутатора IGBT:
Этот пример в файле psbigbtconv.mdl.
Выполните моделирование и наблюдайте ток индуктивности (IL), IGBT ток коллектора (IЕC), диодный ток (ID), IGBT напряжение эмиттера коллектора прибора (VСЕ) и напряжение нагрузки (VR).