- •55 Отчетная научно-техническая
- •Модернизация системы охлаждения рабочего вещества на испытательном стенде жрд оао «кбха»
- •Улучшение энергетических показателей воздухоразделительных установок путём введения предварительного охлаждения воздуха
- •Модернизация узла испарения криптоно – ксеноновой смеси воздухоразделительной установки линде оао "нлмк" с целью увеличения её производительности
- •Влияние транспортного тока на фазовый переход Bi-втсп
- •Усовершенствование воздухоразделительной установки акар – 40/35 с целью увеличения её производительности по аргону
- •Влияние температуры на магнитную проницаемость Bi – втсп
- •Модернизация холодильной установки для ооо «холодильник №4»
- •Влияние постоянного магнитного поля на сверхпроводящий переход у y-втсп
- •Гранулированный сверхпроводник в сверхмалых магнитных полях
- •Вакуум в технике низких температур
- •Технология получения пкм на основе рубленого стекломата и полиэфирного связующего методом вакуумной инфузии
- •Техническое оснащение безавтоклавного метода производства пкм
- •Электрические свойства композитов NiX(NbO)X-100
- •Создание лабораторной установки для изучения электромагнитных колебаний
- •Влияние размерного эффекта и содержания моноклинной фазы на микротвердость пленок ZrO2
- •Сравнение магнитотранспортных свойств композитных систем
- •В магниторезистивном эффекте
- •Преобразователь напряжения на основе обратного магнитоэлектрического эффекта
- •Изучение механизмов диэлектрических потерь в монокристалле триглицинсульфата
- •Термовольтаический эффект в массивных образцаx [Cu2o]90[Cu2Se]10 – [Cu2o]60[Cu2Se]40
- •Структура многослойных гетерогенных систем композит-композит
- •Термоэдс сплавов гейслера в интервале температур 80-400 к
- •Структура и электрические свойства пленок c, In2o3, ZnO, In2o3/ZnO, In2o3/c, ZnO/c
- •Влияние интерфейса на электрические и термоэлектрические свойства структуры ZnO/с
- •Диэлектрические свойства нанокомпозита титанат бария - полипропилен
- •1Кафедра физики твердого тела
- •2Кафедра физики и нанотехнологий
- •Электрофизические свойства матричных нанокомпозитов на основе кислого сульфата аммония и диоксида кремния
- •Электромеханические свойства кристалла
- •Амплитудные зависимости тангенса угла диэлектрических потерь для монокристаллического дигидрофосфата калия
- •Термическая стабильность структуры композитов Fe-AlO
- •1Кафедра физики твердого тела вгту
- •2Кафедра материаловедения и физики металлов
- •Влияние условий напыления и постконденсационной термической обработки на электрические свойства LiNbO3/Si мдп–структур
- •1Воронежский государственный технический университет
- •3Воронежский государственный университет
- •Влияние легирующих добавок на электрические свойства твердых растворов на основе теллурида висмута
- •Получение и диэлектрические свойства сегнЕтоэлектричской
- •Упрочняющие композиционные покрытия на основе кобальта с различными упрочняющими фазами
- •55 Отчетная научно-техническая
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
Изучение механизмов диэлектрических потерь в монокристалле триглицинсульфата
А. С. Шпортенко, студент гр. ТФ-131, А. А. Камынин, С. А. Гриднев
Кафедра физики твёрдого тела.
|
Рис. 1. Зависимость тангенса угла диэлектрических потерь от амплитуды электрического поля в монокристалле ТГС. |
|
Рис. 2. Зависимость tg δ(E~) в двойных логарифмических координатах. |
|
Рис. 3. Зависимость tg δ(E~) от обратного квадрата амплитуды электрического поля. |
, (1)
где A, m – некоторые величины, не зависящие от амплитуды. Дальнейшее поведение кривой tg δ(E~) может быть обусловлено лавинообразным отрывом стенок от закрепляющих дефектов и полевая зависимость потерь описывается выражением
, (2)
где k – коэффициент, не зависящий от амплитуды, , f – сила взаимодействия стенки домена с точечными дефектами, P0 – спонтанная поляризация, - средняя площадь доменной границы свободная от дефектов. Отметим, что максимум на рис. 1 согласуется с (2) и может быть связан с критическим полем полного отрыва стенки от закрепляющих дефектов, при котором последние не будут влиять на ее движение и соответственно на диэлектрические потери, что на рис. 1 характеризуется областью спада. Для проверки справедливости этих моделей в ТГС, экспериментальная зависимость tg δ(E~) перестраивалась в соответствующих координатах. Полученные результаты приведены на рис. 2 и рис. 3. Хорошо видно, что эти зависимости являются линейными при определенных значениях амплитуды электрического поля. Это подтверждает наличие описанных выше механизмов диэлектрических потерь в монокристалле ТГС. Из полученной линейной зависимости на рис. 2 был определен показатель степени в (1) m = 1,7. Из прямой на рис. 3. можно было бы оценить силу взаимодействия доменной границы с точечным дефектом, если определить тип и концентрацию точечных дефектов.
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (№13-02-97506 р_центр_а).
УДК 538.9