- •55 Отчетная научно-техническая
- •Модернизация системы охлаждения рабочего вещества на испытательном стенде жрд оао «кбха»
- •Улучшение энергетических показателей воздухоразделительных установок путём введения предварительного охлаждения воздуха
- •Модернизация узла испарения криптоно – ксеноновой смеси воздухоразделительной установки линде оао "нлмк" с целью увеличения её производительности
- •Влияние транспортного тока на фазовый переход Bi-втсп
- •Усовершенствование воздухоразделительной установки акар – 40/35 с целью увеличения её производительности по аргону
- •Влияние температуры на магнитную проницаемость Bi – втсп
- •Модернизация холодильной установки для ооо «холодильник №4»
- •Влияние постоянного магнитного поля на сверхпроводящий переход у y-втсп
- •Гранулированный сверхпроводник в сверхмалых магнитных полях
- •Вакуум в технике низких температур
- •Технология получения пкм на основе рубленого стекломата и полиэфирного связующего методом вакуумной инфузии
- •Техническое оснащение безавтоклавного метода производства пкм
- •Электрические свойства композитов NiX(NbO)X-100
- •Создание лабораторной установки для изучения электромагнитных колебаний
- •Влияние размерного эффекта и содержания моноклинной фазы на микротвердость пленок ZrO2
- •Сравнение магнитотранспортных свойств композитных систем
- •В магниторезистивном эффекте
- •Преобразователь напряжения на основе обратного магнитоэлектрического эффекта
- •Изучение механизмов диэлектрических потерь в монокристалле триглицинсульфата
- •Термовольтаический эффект в массивных образцаx [Cu2o]90[Cu2Se]10 – [Cu2o]60[Cu2Se]40
- •Структура многослойных гетерогенных систем композит-композит
- •Термоэдс сплавов гейслера в интервале температур 80-400 к
- •Структура и электрические свойства пленок c, In2o3, ZnO, In2o3/ZnO, In2o3/c, ZnO/c
- •Влияние интерфейса на электрические и термоэлектрические свойства структуры ZnO/с
- •Диэлектрические свойства нанокомпозита титанат бария - полипропилен
- •1Кафедра физики твердого тела
- •2Кафедра физики и нанотехнологий
- •Электрофизические свойства матричных нанокомпозитов на основе кислого сульфата аммония и диоксида кремния
- •Электромеханические свойства кристалла
- •Амплитудные зависимости тангенса угла диэлектрических потерь для монокристаллического дигидрофосфата калия
- •Термическая стабильность структуры композитов Fe-AlO
- •1Кафедра физики твердого тела вгту
- •2Кафедра материаловедения и физики металлов
- •Влияние условий напыления и постконденсационной термической обработки на электрические свойства LiNbO3/Si мдп–структур
- •1Воронежский государственный технический университет
- •3Воронежский государственный университет
- •Влияние легирующих добавок на электрические свойства твердых растворов на основе теллурида висмута
- •Получение и диэлектрические свойства сегнЕтоэлектричской
- •Упрочняющие композиционные покрытия на основе кобальта с различными упрочняющими фазами
- •55 Отчетная научно-техническая
- •394026 Воронеж, Московский просп., 14
Электромеханические свойства кристалла
K0,7(NH4)0,3H2PO4
Л.С. Стекленева, студент гр. ТФ-111, Д.В. Лиховая, Л.Н. Коротков
Кафедра физики твердого тела
В последние годы объектами пристального внимания исследователей стали слабоупорядоченные сегнетоэлектрики и, так называемые, структурные стекла. К таковым относятся некоторые составы твердых растворов дигидрофосфата калия-аммония, в частности, монокристалл K0,7(NH4)0,3H2PO4, претерпевающий при низких температурах переход в состояние дипольного (структурного) стекла. Диэлектрические свойства этого кристалла, а также его продольные электромеханические свойства уже изучены в широком интервале температур.
Целью данной работы явилось экспериментальное исследование «поперечных» электромеханических свойств кристалла K0,7(NH4)0,3H2PO4.
Образец вырезали в форме прямоугольных пластин ~11х7х0,7 мм3 из оптически однородной части монокристалла K0,7(NH4)0,3H2PO4. Электроды на поверхностях, перпендикулярные оси а, создавались путем термического распыления серебра в вакууме.
В ходе эксперимента образец помещали в криостат, где температура изменялась от 80 до 300 К и контролировалась с погрешностью не более 0,5 К. Измерения диэлектрической проницаемости проводили с применением емкостного моста на частоте 5 кГц при амплитуде измерительного поля ~ 0,5 В/см в условиях нагрева со скорость ~1 К/мин. Измерения электромеханических свойств проводили, используя метод «резонанса - антирезонанса».
П олученные в ходе эксперимента температурные зависимости пьезоэлектрического модуля d14 и упругой податливости SE11 изображены на рисунке.
Можно увидеть, что модуль d14 имеет значение близкое к известному значению соответствующего пьезоэлектрического модуля дигидрофосфата аммония. При этом наблюдается монотонный рост d14 с понижением температуры во всем интервале температур, доступном в условиях эксперимента. Податливость SE11, наоборот, понижается в ходе охлаждения образца.
С
Температурные
зависимости пьезоэлектрического модуля
d14
и упругой податливости SE11.
УДК 537.228
Амплитудные зависимости тангенса угла диэлектрических потерь для монокристаллического дигидрофосфата калия
Р.С. Алькхазаали, П.В. Кулаков, А.А. Порядский, Д.А. Лисицкий, аспирант
Кафедра физики твердого тела
Диэлектрическая нелинейность является свойством, присущим сегнетоэлектрическим кристаллам. Наиболее существенный вклад в нее дает доменный механизм. При этом характер нелинейного отклика существенно зависит от степени взаимодействия доменных границ с дефектами кристаллической решетки. Определенную информацию о данном взаимодействии можно получить из анализа амплитудных зависимостей тангенса угла диэлектрических потерь tg.
Д ля исследований использовали емкостной мост, на который подавали от внешнего генератора регулируемое синусоидальное напряжение частотой 1 кГц и амплитудой E~ = 0,3 – 15 В. Образец был помещен в криостат, где температура изменялась от 74 до 300 K и контролировалась с погрешностью не более 0,1 К. В ходе эксперимента амплитудные зависимости диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь измеряли в изотермическом режиме.
Установлено, что полученные кривые tg(E~) могут удоблетворительно описаны соотношением tg=AE~-1exp(-g2/E~2), что проиллюстрировано на рис. 1. Здесь A– некоторый параметр, а и g – поле активации.
А
Рис. 1. Зависимости
ln(tg)
от 1/E2 для температур
92 (1), 98 (2), 104 (3), 108 (4), 112 (5) и 116 К (6).
Н а этой зависимости можно выделить, по меньшей мере, 3 участка. При температурах ниже 105 К (область I) зависимость g2(T) убывает с повышением температуры по закону близкому к линейному. В окрестностях 105 К (область II) скорость ее убывания уменьшается. Однако, при дальнейшем повышении температуры, по мере приближения к ТС, темп спада кривой g2(T) вновь увеличивается (область III) и при ТТС величина поля активации принимает нулевое значение.
В
Рис.
2. Температурная зависимость квадрата
поля активации
УДК 537.621.2: 537.622