- •Лабораторная работа №1 исследование зависимомти активного,индуктивного и емкостного сопротивления от частоты переменного тока.Проверка закона ома для пени переменного тока.
- •Краткая теория
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №2 изучение транзистора
- •Краткая теория
- •Физические процессы в биполярном транзисторе:
- •Выполнение работы
- •Лабораторная работа №3 определение полной и горизонтальной составляющей напряженности магнитного поля земли при помощи тангенс-гальвонометра
- •Краткая теория
- •Экспериментальная часть
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №4 исследование температурной зависимости сопротивления проводника и полупроводника (термистора)
- •Кратрая теория
- •Экспериментальная часть
- •Порядок выполнения работы и обработка результатов:
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №5
- •2. Закон Ома для участка цепи.
- •3. Правило Кирхгофа. Параллельное и последовательное соединение проводников.
- •Последовательное и параллельное соеденение проводников
- •4. Электродвижущая сила (эдс). Закон Ома для полной цепи.
- •5. Закон Джоуля-Ленца
- •Измерение емкости
- •Экспериментальная часть
- •Контрольные вопросы
- •Список литературы
Экспериментальная часть
Приборы и принадлежности: МОСТ постоянного тока типа МО - 47, образец металлического сопротивления, образец полупроводникового сопротивления, термостат, два резистора, панель с переключателем, провода.
Порядок выполнения работы и обработка результатов:
Упражнение 1. Ознакомится с измерительным мостом постоянного тока по заводскому описанию. Подготовить мост к работе и измерить для тренировки сопротивления двух резисторов.
Упражнение 2. Подключить к измерительному мосту через панель с переключателем образцы металлического и полупроводникового сопротивления, которые установлены внутри термостата. При повороте переключателя на П измеряется сопротивление полупроводника, а при повороте на М- металла.
Упражнение 3. При отключенном термисторе зафиксировать исходную температуру в нем - Измерить при этой температуре сопротивление металла и полупроводника, данные записать в таблицы 1 и 2.
Упражнение 4. Включить термостат. Перевести переключатель в положение М. Следить за изменением температуры и подстраивать мост под изменяющееся сопротивление металла. t=25°C. Найти сопротивление проводника и записать в таблицу 1. (Помните: при увеличении температуры сопротивление металла увеличивается).
Упражнение 5. Перевести переключатель в положение П. Следите за изменением температуры и подстраивайте мост под изменяющееся сопротивление и записать в таблицу 2 (Помните: при повышении температуры сопротивление полупроводника уменьшается).
Упражнение 6. Последовательно включая то металл, то полупроводник измерить из сопротивления при температурах, указанных в таблицах 1 и 2.
Упражнение 7. Вычислить в записать в таблицы отношения 100%, характеризующие зависимость изменения сопротивления металла и полупроводника от температуры.
Упражнение 8. Построить на одном графике кривые, характеризующие зависимость сопротивления металла и полупроводника от температуры - (R/)100% =f(t°). Масштаб для построения можно взять такой: 1% -1 мм, 1°С - 1 мм.
Упражнение 9. Вычислить температурные коэффициенты сопротивления, результаты внести в таблицы:
Упражнение 10. Проанализировать все результаты и дать им объяснения.
Контрольные вопросы
1. Чем отличаются проводники, полупроводники и диэлектрики с точки зрения зонной теории?
2. Как объяснить с точки зрения классической электронной теории температурную зависимость сопротивления металлов? Какие затруднения в объяснении экспериментальных данных встретила классическая теория?
3. Каковы основные положения современной теории проводимости? Как объяснить в рамках зонной теории температурную зависимость сопротивления проводников и полупроводников? Каков вид зависимости R проводника от Т (при не слишком высоких температурах)?
4. Что такое сверхпроводимость?
5. Объяснить с точки зрения зонной теории собственную и примесную электропроводность полупроводников (донорные и акцепторные примеси).
6. Справедлив ли закон Ома для полупроводников? Записать его.