- •Александр Давидович Бялик
- •Введение
- •Полупроводниковые диоды
- •1. Цель и содержание работы
- •2. Сравнение характеристик реальных диодов с характеристикой идеализированного p–n-перехода
- •3. Сравнение вах диодов из различных материалов
- •Параметры вах диодов для разных материалов при 300 к
- •4. Описание лабораторной установки
- •5. Порядок выполнения работы
- •6. Вопросы и задания для подготовки и защиты работы
- •Стабилитроны
- •1. Цель и содержание работы
- •2. Характеристики и параметры стабилитронов
- •Uобр uст iст мин iст Iст макс Рабочая точка I
- •3. Механизмы пробоя
- •4. Описание лабораторной установки
- •5. Порядок выполнения работы
- •7. Вопросы и задания для подготовки к работе
- •Биполярный транзистор в схеме с об
- •1. Цель и содержание работы
- •2. Характеристики и параметры биполярных транзисторов
- •2.1. Коэффициент передачи тока
- •2.2. Вольт-амперные характеристики транзистора
- •3. Описание лабораторной установки
- •4. Порядок выполнения работы
- •5. Вопросы и задания для подготовки к работе и защиты
- •Тиристор
- •1. Цель и содержание работы
- •2. Основные параметры тиристора
- •3. Описание лабораторной установки
- •4. Порядок выполнения работы
- •5. Вопросы и задания для подготовки к работе
- •Литература
- •Задачи для подготовки и защиты лабораторных работ
3. Сравнение вах диодов из различных материалов
Исследуемые в работе диоды выполнены из различных полупроводниковых материалов, но имеют примерно одинаковые физико-конструктивные параметры. Отличие их характеристик обусловлено различием ряда параметров полупроводниковых материалов: ширины запрещенной зоны, подвижности и времени жизни носителей заряда и др., из которых наиболее существенный вклад вносит разница в ширине запрещенной зоны . Она определяет собственную концентрацию носителей заряда
,
которая входит в выражения для параметров ВАХ – тока насыщения и тока термогенерации в p–n-переходе.
В таблице приводятся значения иисследуемых полупроводниковых материалов при 300 К, а также рассчитанные по форму-лам (1.2) и (1.4) значения токов насыщения и токов термогенерации вp–n-переходе при= 1013см–3,= 300 мкм,= 10–3см2. Так как некоторые данные для расчета могут быть взяты только приблизительно, в таблице приводятся только порядки величин.
Параметры вах диодов для разных материалов при 300 к
Тип материала |
Параметры | ||||
Eg, эВ |
ni, см–3 |
Ig, мкА |
IS, мкА |
U*, В | |
Ge |
0.66 |
2.41013 |
10–1 |
10–1 |
0.3 |
Si |
1.12 |
1.251010 |
10–4 |
10–7 |
0.69 |
GaAs |
1.42 |
1.79106 |
10–5 |
10–14 |
1.08 |
GaP |
2.25 |
9.3910-2 |
10–14 |
10–31 |
2.0 |
Токи насыщения, пропорциональные , уменьшаются в ряду Ge, Si, GaAs,GaP. Токи термогенерации вp–n-переходе, пропорциональные, также уменьшаются по абсолютной величине сверху вниз в ряду материалов таблицы, а их относительные величины (по сравнению с токами насыщения)– возрастают.
Данные таблицы проиллюстрированы на рис. 1.3. На нем представлены зависимости иот ширины запрещенной зоны полупроводникового материала. По оси токов использован логарифмический масштаб. Токи насыщения и термогенерации всех диодов, кроме германиевого, очень малы (IнА и менее). Поэтому основным компонентом обратного тока этих диодов является ток утечки.
IS
IG
Eg
I
IS
Ge
Рис. 1.3. Зависимость составляющих обратного тока p–n-перехода
от ширины запрещенной зоны
Основное отличие прямых ветвей ВАХ диодов из различных материалов определяется разным значением тока насыщения. В таблице приведены значения при= 10 мА, вычисленные по формуле (1.1б) для германиевого, кремниевого, арсенид-галлиевого диодов. У реальных диодов эта величина может быть несколько большей, в основном из-за падения напряжения на объемном сопротивлении базы.
4. Описание лабораторной установки
Вольт-амперные характеристики диодов измеряются с помощью модульного учебного комплекса МУК-ОЭ1. Комплекс для диодов включает в себя ампервольтметр АВ1, генератор напряжений ГН3 и стенд с диодами СЗТТ02. Лабораторная установка позволяет реализовать две схемы измерения ВАХ: для прямой ветви (рис. 1.4, а) и для обратной (рис. 1.4,б). При снятии прямой ветви через исследуемый диод ИД генератором тока ГТ задается ток, величина которого контролируется миллиамперметром. Вольтметр, измеряющий прямое напряжение на диоде, подключен непосредственно к нему. При снятии обратной ветви генератором напряжения задается обратное напряжение, а измеряется обратный ток. Измеряющий его миллиамперметр включается последовательно с ИД до вольтметра.
IПР |
IОБР |
а б Рис. 1.4. Схемы измерения ВАХ диода: а – прямой ветви; б – обратной ветви |
Схема собирается соединительными проводами и включается только после проверки преподавателем. Включение терморегулятора производится нажатием кнопки «Сеть» на приборе. Индикатор температуры показывает температуру в градусах Кельвина. Установка температуры осуществляется регулятором температуры (ручка с риской). Индикатор нагрева показывает, что идет нагрев. Если погаснет индикатор, то нагреватель отключается. Для ускорения остывания элементов в стенде расположен вентилятор, который включается тумблером.