3. Описание лабораторной установки

Лабораторная установка позволяет измерять входные, выходные и передаточные характеристики по схеме, указанной на рис. 3.6.

I_Э

I_К

I_Э

U_ЭБ

U_КБ

E_К

mA₁

mA₂

ГТ

ГН

V₁

V₂

Рис. 3.6. Схема измерения ВАХ биполярного транзистора

в схеме с ОБ

Схема собирается с помощью соединительных проводов на базе учебного комплекса МУК ФОЭ1 с использованием двух ампервольтметров АВ1 и двух генераторов напряжений соответственно для входной, эмиттерной и выходной коллекторной цепи. Стенд с транзисторами СЗЭЛ01 содержит набор биполярных и полевых транзисторов. Переключение разных типов транзисторов и схем включения проводится с помощью соединительных проводов при выключенном напряжении питания на генераторах ГН3 и измерительных приборах.

Входной эмиттерный ток задается генератором тока и контролируется миллиамперметром. Выходное напряжениезадается генератороми контролируется вольтметром. Входное напряжениеизмеряется вольтметром, а выходной ток –миллиамперметром.

На переднюю панель установки выведены регулировки эмиттерного тока и коллекторного напряжения и приборы для измерения токов и напряжений в эмиттерной и коллекторной цепях.

4. Порядок выполнения работы

1. Снять семейства входных и выходных характеристик транзисторов в схеме с ОБ, обращая особое внимание на начальный участок выходной характеристики. Выходные характеристики снять для= 4, 6 и 8 мА, входныепри= 0 и –5 В.

2. Снять передаточную характеристику транзистора при= –5 В.

3. Снять характеристику обратной связипри= 6 мА.

4. По снятым характеристикам определить h-параметры транзистора в рабочей точке= 6mА,= –5 В.

5. Вопросы и задания для подготовки к работе и защиты

1. Объяснить принцип действия биполярного транзистора.

2. От каких факторов зависит коэффициент передачи тока ?

3. Как выглядит распределение неосновных носителей в базе транзистора в различных режимах?

4. Объяснить ход статических ВАХ транзистора в схеме с ОБ.

5. Объяснить физическую природу токов и.

6. Объяснить физический смысл и порядок определения -пара-метров в схеме с ОБ.

7. Что называется нормальным и инверсным коэффициентами передачи тока в транзисторной структуре?

8. Чем отличаются y- и-параметры транзисторов?

9. Пояснить структуру базового тока в транзисторе.

10. Почему базовый ток уменьшается при увеличении ?

11. Привести и объяснить передаточную характеристику транзистора .

12. Как изменяется ток коллектора при увеличении тока базы на 10 мкА, если = 0.95?

13. Рассчитать избыточный заряд дырок в базе при = 1 мкА,= 0.98, время жизни дырок в базе= 10^–6с.

14. Рассчитать коэффициент передачи тока кремниевойn–p–n- транзисторной структуры с параметрами:

= 110¹⁹см^–3,= 210¹⁶см^–3 ,

= 1.2 мкм, =2 мкм, =10 мк.

Эмиттер считать однородно легированным, эффективность коллектора принять равной единице.

15. Рассчитать параметры Т-образной эквивалентной схемы по заданным-параметрам в схеме ОБ.

= 40 Ом;= 510^–4;

= –0.98;= 210^–6.

Лабораторная работа № 4