13 Пзу (запись). Eprom. Eeprom.

Запись информации в эти ПЗУ производится на одном из последних этапов изготовления БИС с помощью сменного шаблона металлизации различными способами. Масочные ПЗУ обладают высокой надежностью работы, самой низкой стоимостью при массовом производстве, минимальным объемом при заданной информационной емкости, устойчивы к внешним электромагнитным полям. Также выпускаются МК с E(E)PROM памятью для разработки приложений. То есть существует возможность непосредственного программирования МК при разработке приложения.

Микросхемы многократно перепрограммируемых ПЗУ EPROM (РПЗУ) способны к многократному (примерно 100 раз) перепрограммированию самим пользователем. В микросхемах РПЗУ запись информации осуществляется электрическими сигналами, а стирание – либо ультрафиолетовым излучением (в отечественной литературе их сокращенно называют УФ РПЗУ), либо рентгеновским излучением (значительно менее распространены). Микросхемы репрограммируемых ПЗУ с электрическим стиранием EEPROM – в них и запись и стирание информации осуществляется электрическим способом (многократное перепрограммирование). Второй отличительной особенностью микросхем EEPROM от микросхем EPROM является значительное число перепрограммирования (до 106 циклов). В них используется МНОП–транзистор: отличается от обычного МОП–транзистора двухслойным подзатворным диэлектриком. На границе диэлектрических слоев возникают центры захвата заряда. Благодаря туннельному эффекту носители заряда могут проходить через тонкую пленку окисла и скапливаться на границе раздела слоев (5–8 нм). Этот заряд и является носителем информации, хранимой МНОП-транзистором. Преред перепрограммированием в них информация стирается во всех ЗЭ. Интерфейс традиционных микросхем EEPROM имеет временную диаграмму режима программирования с большой длительностью импульса, что не позволяет непосредственно использовать сигнал записи системной шины. Более современные микросхемы имеют более сложную внутреннюю структуру, в которую входит управляющий автомат. Это позволяет упростить внешний интерфейс, делая возможным непосредственное подключение к микропроцессорной шине, и скрыть специфические вспомогательные операции стирания и верификации после программирования.

14) MCS-51. Структура.

Структура микроконтроллера MCS-51 приведена на рисунке

15) Методы адресации (прямая, непосредственная, индексная, косвенная

Прямая адресация: операнд определяется 8-битовым адресом в инструк-

ции. Прямая адресация используется только для младшей половины внутренней памяти данных и регистров SFR. Косвенная адресация: инструкция адресует регистр,содержащий адрес операнда. Данный вид адресации используется для внешнего и внутреннего ОЗУ. Для указания 8-битовых адресов могут использоваться регистры R0 и R1 выбранного регистрового банка или указатель стека SP. Для 16-битовой адресации используется только регистр указателя данных DPTR.Непосредственные константы: константа может находиться прямо в команде за кодом операции.Индексная адресация: индексная адресация может использоваться только для доступа к программной памяти и только в режиме чтения. В этом режиме осуществляется просмотр таблиц в памяти программ. 16-битовый регистр (DPTR или программный счетчик) указывает базовый адрес требуемой таблицы, а аккумулятор указывает на точку входа в нее.