Справочник по МЭТу

Таблица А.7 – Типичные магнитные свойства композиционных магнитопроводов ГАММАМЕТ (тип ДС)

	Тип	B		,Тл	μ	0,08		max	А		Вт	TК, C	кг
магнито-		800							Hc , м	P0,2/20,	кг		, м3
провода
ГМ 11ДС			0,32		50000		150000		0,4	40		150	5400
ГМ 14ДС			0,80		20000		50000		2,5	90		600	5200
ГМ 33ДС			0,40		3000		600000		0,5	100		260	400
ГМ 32ДС			0,80		7000		200000		2,5	180		610	5200
ГМ 35ДС			0,70		200		150000		2,0	560		500	5200
ГМ 43ДС			0,40		35000		40000		0,5	75		260	5400
ГМ 42ДС			0,80		15000		25000		3,0	110		610	5200
ГМ 40ВДС			1,00		3000		7000		8,0	150		420	5100
ГМ 45ДС			0,70		1200		1300		2,0	220		500	5500
ГМ 54ДС-1000			0,80		1000		1100		3,0	100		600	5200
ГМ 54ДС-500			0,80		500		540		3,0	130		600	5200
ГМ 54ДС-250			0,80		250		260		3,0	180		600	5200
ГМ 54ДС-140			0,80		140		150		3,0	210		600	5200
ГМ 54ДС-90			0,80		90		96		4,0	270		600	5200
ГМ 40ДС-2000			1,00		2000		9000		10,0	240		420	5100
ГМ 40ДС-1500			1,00		1500		2200		14,0	260		420	5100
ГМ 40ДС-1000			1,00		1000		1300		16,0	280		420	5100
ГМ 40ДС-700			1,00		700		850		20,0	300		420	5100
В таблице использованы следующие обозначения:
B	– магнитная индукция при напряженности магнитного поля 800 А ;
800													м
0,08
	– относительная магнитная проницаемость при напряженности маг-
нитного поля 0,08			А ;
max			м
	– относительная максимальная магнитная проницаемость;

Hc – коэрцитивная сила;

P0,2/20 – удельные магнитные потери при максимальной магнитной индук-

ции 0,2 Тл и частоте 20 кГц; TК – температура Кюри;

– плотность.

231

Таблица А.8 – Удельные потери мощности p0 и коэффициенты, для расчета удельной мощности потерь в магнитных материалах

	Марка	Частота,	Магнит-	Толщина	Удельные
			ная	ленты,	потери р0,
	материала	кГц	индук-
			ция, Тл	мм	Вт/кг
	34НКМП	1,0	1,00	0,10	8,8	1,65	1,65
		1,0	1,00	0,05	6,3	1,40	1,65
	40НКМП	1,0	1,00	0,10	16	1,40	1,25
		1,0	1,00	0,05	8,2	1,40	1,40
	50НП	1,0	1,00	0,05	14,7	1,30	1,30
		1,0	1,00	0,02	7,1	1,30	1,35
	68НМП	1,0	1,00	0,05	7,1	1,55	1,55
	79НМ	1,0	1,00	0,10	5,0	1,80	2,00
		1,0	1,00	0,05	4,2	1,60	2,00
		1,0	1,00	0,02	3,5	1,40	2,00
	80НХС	1,0	0,50	0,10	1,25	1,70	2,00
		1,0	0,50	0,05	1,0	1,50	2,00
		40	0,12	–	18,28	1,20	2,20
	1500НМ3	40	0,15	–	29,80	1,20	2,20
		40	0,18	–	44,60	1,20	2,20
		40	0,20	–	56,20	1,20	2,20
		1,0	1,00	–	23,2	1,20	2,20
		1,0 – 30,0	0,05 – 0,2	–	68,0	1,20	2,80
		0,4 – 100	0,37	–	63,0	1,20	2,85
	2000НМ1-17	40	0,12	–	15,02	1,20	2,80
		40	0,15	–	28,05	1,20	2,80
		40	0,18	–	47,70	1,20	2,80
		40	0,20	–	62,00	1,20	2,80
		20	0,20	–	23,0	1,10	2,40
		1,0	1,00	–	44,6	1,30	2,70
	2000НМ3	40	0,12	–	17,61	1,30	2,70
		40	0,15	–	32,10	1,30	2,70
		40	0,18	–	52,60	1.30	2,70
		40	0,20	–	69,95	1,30	2,70
		20	0,20	–	24,0	1,05	1,45
	2500НМС1	40	0,12	–	22,70	1,40	1,90
		40	0,15	–	34,70	1,40	1,90
		40	0,18	–	49,10	1,40	1,90
		40	0,20	–	60,00	1,40	1,90

232

Окончание таблицы А.8

Марка	Частота,	Магнит-		Удельные
		ная ин-	Толщина
материала	кГц	дукция,	ленты, мм	потери р0,
		Тл		Вт/кг
2500НМС2	40	0,12	–	26,20	1,20	1,70
	40	0,15	–	38,20	1,20	1,70
	40	0,18	–	52,10	1,20	1,70
2500НМС2	40	0,20	–	62,30	1,20	1,70
3000НМ-А	1,0	1,0	–	52,0	1,20	2,80
ГМ412А	20	0,20	–	10,0	–	–
ГМ412В	20	0,20	–	3,0	–	–
ГМ414	20	0,20	–	4,5	–	–
ГМ440А	20	0,20	–	30,0	–	–
ГМ440В	20	0,20	–	8,0	–	–
ГМ501	20	0,20	–	3,6	–	–
ГМ503А	20	0,20	–	8,5	–	–
ГМ503В	20	0,20	–	2,6	–	–
ГМ515А	20	0,20	–	60,0	–	–
ГМ515В	20	0,20	–	12,0	–	–
МП-60	1,0 – 30,0	0,05 – 0,2	–	1140	1,10	2,90
МП-140	1,0 – 30,0	0,05 – 0,2	–	453	1,30	2,90
ТЧ-60	1,0 – 30,0	0,05 – 0,2	–	7090	1,00	3,00

Таблица А.9 – Параметры силовых ферритов зарубежных марок

	Фирма				Epcos	Ferroxcube	ACME	Cosmo
Марка феррита					N87	3C90	P4	CF138
Начальная магнитная					2200	2300 25 %	2500	2100
проницаемость нач					25 %	430	25 %	25 %
Индукция		H 1200	А	,	490		480	480
насыщения			м
Bs , мТл		T 298 К
		H 1200	А	,	390	340	380	380
		T 373 К	м
						–
Коэрцитив-		f 100 кГц,			21		10	15
А		T 298 К
ная сила, м						–
		f 100 кГц,			13		6	–
		T 373 К

233

Окончание таблицы А.9
	Фирма			Epcos	Ferroxcube	ACME		Cosmo
Марка феррита				N87	3C90	P4		CF138
Начальная магнитная				2200	2300 25%	2500	2100
проницаемость, нач				25%		25%		25%
Удельные		f	25 кГц,	57	80	55	60
потери		B 200 мТл,
мощности		T	373 К
		f	100 кГц,	385	450	450	450
		B 200 мТл,
		T 373 К
		f	300 кГц,	390	–	430	390
		B 200 мТл,
		T 373 К
Температура		Кюри, К		> 210	> 220	> 220	> 220
Удельное электрическое				10	–	5,5	4,0
сопротивление, Ом м
Плотность, г/см3				4,85	4,8	4,8		4,8

Таблица А.10 – Аналоги ферритовых материалов

Epcos	Россия	Ferroxcube	Samwha	Cosmo
–	М2500НМС1	–	–	–
N27	М2500НМС2	3C80	–	CF196
N87	–	3C90	PL9	CF139
N97	–	3C94	PL11	–
N92	–	3C92	–	CF122
N49	–	3F3	–	–

234

Таблица А.11 – Физические параметры полупроводников (300 К)

		м	Температурныйкоэффилинейногоциент расшиαрения		Подвиж-		Низкочастотнаядиэлекпроницаетрическаяεмость
	решеткиПериод, нм	3		запрещеннойШирина эВ,Езоны	электроновμ м	μдырок м
		Плотностьγ 10
		/ кг			ность
		,	–1
Полупро-		3	К		,
			6		n
			,
водник			10			,
						p
			ℓ		В·с)	В·с)
					/(	/(
					2	2
Германий (Ge)	0,565	5,43	5,8	0,66	0,39	0,19	16,0
Кремний (Si)	0,542	2,33	2,3	1.12	0,14	0,05	12,5
Нитрид галлия	a=0,319	6,11	5,7	3,40	0,03	–	12,2
(GaN)	c=0,518
Фосфид	0,546	2,37	4,2	2,45	0,008	0,003	9,8
алюминия (AlP)
Фосфид галлия	0,545	4,07	4,7	2,26	0,019	0,012	11,1
(GaP)
Фосфид индия	0,587	4,78	4,6	1,35	0,46	0,015	12,4
(InP)
Арсенид	0,566	3,60	3,5	2,16	0,028	–	10,1
алюминия AlAs)
Арсенид галлия	0,565	5,32	5,4	1,43	0,95	0,045	13,1
(GaAs)
Арсенид индия	0,606	5,67	4,7	0,36	3,3	0,046	14,6
(InAs)
Антимонид	0,614	4,28	4,2	1,58	0,02	0,055	14,4
алюминия
(AlSb)
Антимонид	0,610	5,65	6,1	0,72	0,4	0,14	15,7
галлия (GaSb)
Антимонид	0,648	5,78	4,9	0,18	7,8	0,075	17,7
индия (InSb)
Сульфид	0,541	4,09	–	3,67	–	–	5,2
цинка (ZnS)
Сульфид	а = 0,413	4,82	5,7	2,53	0,034	0,011	5,4
кадмия (CdS)	c = 0,675
Селенид	0,566	5,42	1,9	2,73	0,026	0,0015	9,2
цинка (ZnSe)
Селенид	a = 0,430	5,81	–	1,85	0,072	0,0075	10,0
кадмия (CdSe)	c = 0,701
Теллурид	0,610	6,34	8,3	2,23	0,053	0,003	10,4
цинка (ZnTe)
Теллурид	0,648	5,86	4,0	1,51	0,12	0,006	10,2
кадмия (CdTe)

235

Окончание таблицы А.11

		м	Температурныйкоэффилинейногоциент расширαения			Подвиж-		Низкочастотнаядиэлекпроницаетрическаяεмость
	решеткиПериод, нм	3			запрещеннойШирина эВ,Езоны	электроновμ м	μдырок м
		Плотностьγ 10
		/ кг				ность
		,		–1
		3		К		,
				,		n
				6
Полупроводник				10			,
				ℓ			p
						В·с)	В·с)
						/(	/(
						2	2
Теллурид	0,646	8,09	4,8		0,08	2,5	0,02	–
ртути (HgTe)
Сульфид	0,594	7,61	–		0,39	0,06	0,07	17,0
свинца (PbS)
Селенид	0,612	8,15	–		0,27	0,12	0,10	–
свинца (PbSe)
Теллурид	0,646	8,16	–		0,32	0,08	0,09	30,0
свинца (PbTe)

Таблица А.12 – Физические параметры важнейших полупроводников

					Обоз-
	Параметр				начение	Полупроводник
					пара-
					метра	Si	Ge	GaAs
Ширина		300 К			Eg	1,12	0,66	1,43
запрещенной
зоны, эВ			0 К			1,21	0,80	1,56
Подвижность		элек-		T =300 К	n	1500	3900	8500
при темпера-		тронов
туре Т,	см2	дырок		T 300 К	p	600	1900	400
	В с
Эффективная		электронов			mn*	1,08	0,56	0,068
масса m*
		дырок			*	0,56	0,35	0,45
me					mp

236

Продолжение таблицы А.12

										Обозна-	Полупроводник
			Параметр							чение
										пара-	Si		Ge		GaAs
										метра
Эффективная								T 300 К		2 Nc	2,8 1019		1,04 1019		4,7 1017
плотность состоя-
ний
								T 77 К			3,6 1018		1,4 1018		5,8 1016
в зоне проводимо-
сти,см 3
Эффективная								T 300 К		2 N	1,02 1019		6,11 1017		7,0 1018
плотность состоя-
ний
								T 77 К			1,4 1018		6,9 1018		9,8 1017
в валентной
зоне, см 3
Диэлектрическая						постоянная					11,8	16,0		13,2
Электронное сродство											4,05	4,0		4,07
Собственная кон-								T 300 К		ni	1,6 1010		2,5 1013		1,1 107
центрация носите-
								T	77 К		3,0 10 20		1,4 10 7		2,8 10 3
лей, см		3
Время жизни носителей, с										t	2,5 10 3		1,0 10 3		1,0 10 4
Постоянная решетки										a, b, c	5,43	5,65		5,65
										Обозна-		Полупроводник
			Параметр							чение
										пара-	InSb		4H-SiC		GaN
										метра
Ширина								300 К		Eg	0,18		3,0		3,44
запрещенной								0 К			0,23		3,1		3,50
зоны, эВ
Подвижность					элек-				T =30	n	78000		650		8500
при температу-					тронов				0 К
см2					дырок				T 30	p	1700		300		400
ре T , В с									0 К
					электронов					m*	0,013		0,60		0,19
Эффективная										n
								дырок		*	0,6		1,0		0,60
	m*
масса,										mp
											5,1 1015		1,5 1018		2,7 1017
	me				T 77 К

237

Окончание таблицы А.12

			Обозна-	Полупроводник
			чение
Параметр
			пара-	InSb	4H-SiC		GaN
			метра
Эффективная		T 300 К	2 Nc	3,7 1016	1,2 1019		2,2 1018
плотность состо-
		T 77 К		5,1 1015	1,5 1018		2,7 1017
яний в зоне про-
водимости, см 3
Эффективная		T 300 К	2 N	1,16 1019	2,5 1019		1,2 1019
плотность cосто-
яний в валентной
				1,5 1018	3,3 1018		1,5 1018
зоне, см 3		T 77 К
Диэлектрическая	постоянная			17,7	10,2		12,2
Электронное сродство				4,60	4,1		4,2
Собственная кон-		T 300 К	ni	2,0 1016	1,1 10 4		9,2 10 10
центрация носи-
телей, см 3
				10	9,7 10	84	2,1 10	95
		T 77 К		1,2 10
Время жизни носителей, с			t	1,0 10 8
Постоянная решетки			a, b, c	6,48	0,308		0,318

238

Учебное издание Легостаев Николай Степанович

МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ

Учебное пособие

Корректор Л.И. Кирпиченко Компьютерная верстка Г.В. Черновой

Подписано в печать 04.07.2014. Формат 60 84/16. Усл.-печ. л. 13,95. Тираж 100 экз. Заказ 439.

Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники.

634050, г. Томск, пр. Ленина, 40. Тел. [phone].

239