18 Классификация п/п зу. Разновидности и особенности работы статистических озу.
. В статических - ЗЭ являются триггеры, сохраняющие свое состояние, пока схема находится под питанием и нет новой записи данных
Асинхронные ОЗУ, в которых сигналы управления могут задаваться как импульсами, так и уровнями. Например, сигнал разрешения работы может оставаться неизменным и разрешающим на протяжении многих циклов обращения к памяти.
В тактируемых ОЗУ некоторые сигналы обязательно должны быть импульсными (например, сигнал разрешения работы в цикле обращения к памяти должен переходить из пассивного состояния в активное (должен формироваться фронт этого сигнала в каждом цикле)).
Конвейерные ОЗУ, в которых организован конвейерный тракт передачи данных, синхронизируемый от тактовой системы процессора, что дает повышение темпа передач данных в несколько раз.
Статические ЗУ в 4...5 раз дороже динамических и приблизительно во столько же раз меньше по емкости. Их достоинство - высокое быстродействие, а типичная область использования — схемы кэш-памяти.
19 Классификация п/п зу. Разновидности и особенности работы динамических озу.
В динамических - данные хранятся в виде зарядов конденсаторов, образуемых элементами МОП-структур. Саморазряд конденсаторов ведет к разрушению данных, поэтому они должны периодически регенерироваться
Динамические ЗУ характеризуются наибольшей емкостью и невысокой стоимостью, поэтому используются как основная память ЭВМ. Бывают:
стандартные;
квазистатические - ЗУ, имеющие внутреннюю встроенную систему регенерации, у которых внешнее поведение относительно управляющих сигналов аналогично поведению статических ЗУ.
повышенного быстродействия.
20 классификация п/п ЗУ. Разновидности и особенности работы постоянных ЗУ. Флэш память.
Память типа ROM (М) (ПЗУМ (ПЗУ масочные)) программируется при изготовлении методами интегральной технологии с помощью одной из используемых при этом масок. Для потребителя это в полном смысле слова постоянная память, т. к. изменить ее содержимое он не может.
РROM – однократно программируемая пользователем память (ППЗУ, программируемые ПЗУ). ПЗУ этого типа все ЗЭ содержат плавкие перемычки, которые можно избирательно разрушить с помощью внешнего источника тока. Программирование ПЗУ осуществляется в определенных режимах с помощью специальных программаторов. Поэтому ППЗУ обычно используются на этапах изготовления опытных образцов изделий, а также в условиях мелкосерийного производства.
В EPROM (Electrically Programmable ROM, РПЗУ-УФ (репрограммируемое ПЗУ с УФ-стиранием)) допускается многократная перезапись. Стирание информации выполняется с помощью облучения кристалла УФ-лучами.
В EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM, РПЗУ-ЭС (репрограммируемое ПЗУ с электрическим стиранием)) стирание производится электрическими сигналами.
Флэш-память (Flash Memory). В таких схемах нет стирания отдельных слов, стирание информации осуществляется либо для всей памяти одновременно, либо для достаточно больших блоков.
Флэш-память. Области применения флэш-памяти
Направления эффективного использования флэш-памяти:
хранение не часто изменяемых данных . Здесь параметры циклов стирания/записи не столь существенны как емкость и скорость считывания информации. Стирание может быть как одновременным для всей памяти, так и блочным. Среди устройств с блочным стиранием выделяют схемы со специализированными блоками (несимметричные блочные структуры). По имени так называемых Boot-блоков, в которых информация надежно защищена аппаратными средствами от случайного стирания, эти ЗУ называют Boot Block Flash Memory. Boot-блоки хранят программы инициализации системы, позволяющие ввести ее в рабочее состояние после включения питания.
замена памяти на магнитных дисках. Микросхемы для замены жестких магнитных дисков (Flash-file Memory) содержат более развитые средства перезаписи информации и имеют идентичные блоки (симметричные блочные структуры).
Недостатки флэш-памяти:
1) Проблема постоянной перезаписи информации: замена даже одного слова в ЗУ требует стирания и новой записи для всего ЗУ в целом. Поэтому наряду со схемами с одновременным стиранием имеются схемы с блочной структурой, в которых весь массив памяти делится на блоки, стираемые независимо друг от друга. Объем таких блоков сильно разнится: от 256 байт до 128 Кбайт.
2) Ограниченное число циклов перепрограммирования, т. к. ячейки при перезаписи "изнашиваются". Чтобы увеличить долговечность памяти, в ее работе используются специальные алгоритмы, способствующие "разравниванию" числа перезаписей по всем блокам микросхемы.