- •9.Характеристики измерительных преобразователей в динамическом режиме.
- •11. Классификация погрешностей. Систематическая, случайная и прогрессирующая погрешности.
- •17. Методы компенсации систематических погрешностей
- •18. Чувствительность датчика.
- •19. Передаточная характеристика датчика.
- •20. Эксплуатационные характеристики датчиков.
- •22. Структурно-функциональные схемы современных измерительно-информационных и измерительно-управляющих систем.
- •23. Сопряжение измерительных преобразователей с измерительной электронной аппаратурой.
- •24. Трехпроводная схема включения датчика ее преимущества.
- •25-26 Определение и принцип работы тензорезистивных преобразователей.
- •27. Проволочные тензорезисторы
- •28. Полупроводниковые тензорезисторы
- •29. Фольговые тензорезисторы
- •30. Схема включения тензометрического измерительного преобразователя
- •31.Тепловые преобразователи
- •32. Термоэлектрические преобразователи. Принцип работы
- •34) Терморезисторы.
- •35) Термисторы
- •36)Полупроводниковые датчики температуры использующие Up-n(t)
- •37)Интегральные полупроводниковые термодатчики
- •38) Фотоэлектрические датчики. Общие принципы работы и характерные параметры. Особенности применения
- •39) Конструкции и области использования оптических измерительных преобразователей. Кривая спектральной чувствительности.
- •40) Фоторезисторы. Фотодиоды. Фототранзисторы. Особенности применения. Характеристики.
- •41.Оптоволоконные датчики
- •42.Пьезоэффект.
- •43.Пьезоэлектрические измерительные преобразователи. Области применения
- •45.Пьезоэлектрические измерительные преобразователи. Включение в измерительную цепь
- •47. Датчики состава среды и материалов на поверхностных акустических волнах (пав)
- •49.Преобразователи Холла. Возникновение эдс Холла.
- •51. Датчики тока и напряжения на Холле
- •55. Ёмкостные преобразователи
- •56.Схемы включения еп.
- •57. Использование емкостного датчика для измерения механических величин
- •58.Емкостной датчик уровня
- •59.Индуктивные датчики измерения механических величин.
- •60.Короткоходовые индуктивные преобразователи. Схемы включения индуктивных преобразователей.
- •61.Длинноходовые индуктивные преобразователи. Схемы включения индуктивных преобразователей.
- •64 Трансформаторные датчики. Принципы. Область применения.
- •65) Короткоходовые трансформаторные датчики
- •66) Длинноходовые трансформаторные датчики
- •67) Датчики влажности
- •68) Оптические датчики газового состава
- •69) Электрохимические датчики газового состава
- •70) Детекторы движения
- •71).Пирометры (оптические)
- •72) Датчики радиации
- •74. Тактильные датчики
- •75.Датчики магнитного поля(сквид)
- •76.Энкодеры
- •78. Gps-навигация
- •80. Магнитострикционные датчики
35) Термисторы
Термистор — полупроводниковый резистор,электрическое сопротивлениекоторого существенно зависит от температуры.
Для термистора характерны большой температурный коэффициент сопротивления (ТКС)(в десятки раз превышающий этот коэффициент уметаллов), простота устройства, способность работать в различных климатических условиях при значительных механических нагрузках, стабильность характеристик во времени.
Терморезисторы с отрицательным ТКС изготовляют из смеси поликристаллических оксидов переходных металлов(например,MnO, NiO,CuO), легированныхGeиSi, полупроводников типа AIII BV, стеклообразных полупроводников и других материалов.
36)Полупроводниковые датчики температуры использующие Up-n(t)
Кристаллические полупроводниковые термодатчики на основе полупроводниковых диодов и транзисторов используют изменение напряжения на переходе в прямом направлении,(Up-n) которое достаточно постоянно для каждого типа прибора и мало зависит от величины протекающего тока. Оно составляет 1,84 мВ/К для германиевых и 2,12 мВ/К для кремниевых диодов. У германиевых диодов статическая характеристика линейна в интервале от -150 С до +30 °С, у кремниевых - от -270°С до +100 °С. При прямом токе в 1 мА напряжение на германиевом диоде около 210 мВ, на кремниевом - 2б0=б00 мВ, т. е. крутизна преобразования 0,8%/К. При измерении температуры с помощью транзисторов используется зависимость от температуры напряжения эмиттер -база в прямом направлении. В качестве примера приведем технические характеристики термотранзистора типа ТГ001 Ж:
- диапазон рабочих температур от -70 °С до 100 °С;
- термочувствительный параметр - напряжение эмиттер-база;
- крутизна преобразования при Uэб= 200 мВ - 10мВ/К;
- разброс начального номинального напряжения не более 0,5°/о;
- разброс крутизны преобразования в партии не более 0,5%;
- стабильность за год не хуже 0,05°/о;
- нелинейность статической характеристики не более 1 °/о;
- постоянная времени на воздухе не более 10с.
Полупроводники широко используются для измерений в области сверхнизких температур. Так, термометры сопротивления из германия легированного гелием можно использовать для измерения температур в диапазоне от 1 до 5 К. Такие термометры характеризуются высокой точностью и чувствительностью (до 0,001 К). Если германий легирован мышьяком, то чувствительность снижается, а диапазон измерения расширяется до l+8UK. Пример измерительной схемы на транзисторе приведен ниже.
37)Интегральные полупроводниковые термодатчики
Интегральные датчики температуры выполняются в виде интегральных схем, которые генерируют на выходе электрической ток, пропорциональный абсолютной температуре. Они обладают хорошей линейностью и имеют чувствительность – 1 мкА на градус Кельвина. Они эффективны в дистанционных измерениях, так как выходной ток зависит только от температуры и можно пренебречь сопротивлением линии связи
Физическая основа работы ИПТ заложена в температурной зависимости падения напряжения на прямо смещенном кремниевом p-n переходе, которая выражается хорошо известной формулой
U = (kT/q)*ln(I/Is)
Где U – напряжение на переходе, k – постоянная больцмана, I – ток через переход, Is – обратный ток насыщения
Это устройства, основой которых является материал с проводимостью больше, чем у диэлектриков, и меньшей чем у металлов. Их можно подразделить на три группы:
Кристаллические, где используются зависимость сопротивления материала от температуры
Кристаллические гермнаниевые и кремнивые p-n - переходы, где выходным, информативным параметром является один из параметров p-n – перехода
Керамические, когда информативный является температурная зависимость сопротивления материала.