4.3. Структуры адресных зу

Совокупность определенным образом соединенных запоминающих элементов (ЗЭ) образует запоминающую матрицу или запоминающий массив (ЗМ), где каждый ЗЭ хранит бит информации. Запоминающий элемент должен реализовать следующие режимы работы: хра­нение состояния, выдача сигнала состояния (считывание), за­пись 0 или запись 1. К ЗЭ должны поступать управляющие сиг­налы для задания режима работы, а также информационный сигнал при записи. А при считывании ЗЭ должен выдавать сигнал о его состоянии.

Запоминающий массив имеет систему адресных и раз­рядных линий (проводников). Адресные линии используются для выделения по адресу совокупности ЗЭ, которым устанавли­вается режим считывания или записи. Выделение отдельной разрядов осуществляется разрядными линиями, по которым передается записываемая в ЗЭ информация или информация о состоянии ЗЭ.

Запоминающие устройства строятся из специфичных ЗЭ, для которых характерно использование троичных сигналов и совмещение линий входных и выходных сигналов.

Адресные и разрядные линии носят общее название линий выборки. В зависимости от числа таких линий, соединенных с одним ЗЭ, различают двух-, трехкоординатные ЗУ и т. д., называемые ЗУ типа 2D, 3D и т.д.. (от английского dimention — размерность). Наибольшее распространение получили ЗУ типов 2D, 3D, 2,5D и их модификации.

Запоминающие устройства типа 2D. Организация ЗУ типа 2D обеспечивает двухкоординатную выборку каждого ЗЭ ячей­ки памяти. Основу ЗУ составляет плоская матрица из ЗЭ, сгруппированных в 2^kячеек по п разрядов. Обращение к ячейке задаетсяk-разрядным адресом, выделение разрядов произво­дится разрядными линиями записи и считывания. Структура ЗУ типа 2D приведена на рис. 4.5.

Рис.4.5.

Адрес (k-разрядный) выбираемой ячейки i поступает на схе­му адресного формирователя (АдрФ), управляемого сигналами чтения Чт и записи Зап. Основу АдрФ составляет дешифратор с 2^k выходами, который при поступлении на его входы адреса формирует сигнал для выборки линии i, при этом под воздей­ствием сигналов Чт и Зап из АдрФ выдается сигнал либо на­страивающий ЗЭ i-й линии на считывание (выдачу сигнала со­стояния), либо на запись. Выделение разряда j в i-м слове производится второй координатной линией. При записи по ли­нии j от усилителя записи УсЗап поступает сигнал, устанавли­вающий выбранный для записи ЗЭij в состояние 0 или 1. При считывании на усилитель считывания УсСч по линии j посту­пает сигнал о состоянии ЗЭij.

Используемые здесь ЗЭ должны допускать объединение вы­ходов для работы на общую линию с передачей сигналов толь­ко от выбранного ЗЭ. Такое свойство типично для совре­менных ЗЭ и в дальнейшем всякий раз подразумевается.

Таким образом, каждая адресная линия выборки ячейки передает три значения сигнала: выборка при записи, выборка при считывании и отсутствие выборки. Каждая разрядная ли­ния записи передает в ЗЭ записываемый бит информации, а разрядная линия считывания — считываемый из ЗЭ бит ин­формации. Линии записи и считывания могут быть объединены в одну при использовании ЗЭ, допускающих соединение выхода со входом записи. Совмещение функций записи и считывания на разрядной линии широко используется в современных полу­проводниковых ЗУ.

Запоминающие устройства типа 2D являются быстродей­ствующими и достаточно удобными для реализации. Однако ЗУ типа 2D неэкономичны по объему оборудования из-за нали­чия в них дешифратора с 2^kвыходами. В настоящее время структура типа 2D используется в основном в ЗУ небольшой емкости.

Запоминающие устройства типа ЗD. Некоторые ЗЭ имеют не один, а два конъюнктивных входа выборки. В этом случае адресная выборка осуществляется только при одновременном появлении двух сигналов. Использование таких ЗЭ позволяет строить ЗУ с трехкоординатным выделением ЗЭ.

Запоминающий массив ЗУ типа 3D представляет собой про­странственную матрицу, составленную из п плоских матриц, представляющих собой ЗМ для отдельных разрядов ячеек па­мяти. Запоминающие элементы для разряда сгруппированы в квадратную матрицу из рядов поЗЭ в каждом. Структура матрицы j-го разряда в ЗУ типа 3D представлена на рис. 4.6. Для адресной выборки ЗЭ задаются две его коор­динаты в 3Мj. Код адреса i-й ячейки памяти разделяется на старшую и младшую части i' и i", каждая из которых поступает на свой адресный формирователь. Адресный формирователь АдрФ1 выдает сигнал выборки на линию i", а АдрФ2 — на ли­нию i". В результате в 3Mj оказывается выбранным ЗЭ, находя­щийся на пересечении этих линий (двух координат), т. е. адре­суемый кодом i = i'/i". Адресные формирователи управляются сигналами Чm и Зап и в зависимости от них выдают сигналы выборки для считывания или для записи. При считывании сиг­нал о состоянии выбранного ЗЭ поступает по j-й линии считы­вания к УсСч (третья координата ЗЭ). При записи в выбранный ЗЭ будет занесен 0 или 1 в зависимости от сигнала записи в j-u разряд, поступающего по j-я линии от УсЗап (третья координа таЗЭ при записи). Для полупроводниковых ЗУ, как отмечалось выше, характерно объединение в одну линию разрядных линий записи и считывания.

Для построения n-разрядной памяти используется п матриц рассмотренного вида. Адресные формирователи при этом мо­гут быть общими для всех разрядных ЗМ.

Запоминающие устройства типа 3D более экономичны, чем ЗУ типа 3D. Действительно, сложность адресного формирова­теля с m входами пропорциональна 2^m. Поэтому сложность двух адресных формирователей ЗУ типа 3D, пропорциональная2*2 ^k/2, значительно меньше сложности адресного формирователя ЗУ типа 2D, пропорциональной 2^k.

Рис. 4.6. Структура j-го разряда ЗУ типа 3D)

. Поэтому структура типа 3D позволяет строить ЗУ большего объема, чем структура 2D. Однако ЗЭ с тремя входами, используемыми при записи, не всегда удается реализовать.

Для построения современных полупроводниковых ЗУ из ЗЭ с неразрушающим считыванием используется структура ЗУ с двухкоординатным выделением ЗЭ и мультиплексированием выходных сигналов при считывании, называемые как ЗУ типа 2D-M.

Запоминающие устройства типа 2D-M. Запоминающие эле­менты таких ЗУ имеют два входа и один выход (рис. 4.8а). При наличии хотя бы одного пустого Сигнала ~ на входах ЗЭ при записи находится в режиме хранения (как в ЗУ 3D). Сигнал чтения Чт опрашивает состояние ЗЭ (так же как в ЗУ типа 2D). Сигналы записи Зап и Зап 0 устанавливают ЗЭ в со­стояние 0, а Зап и 3ап1 — в состояние 1 (так же, как в ЗУ типов 2D и 2,5D).

Обычно у запоминающих элементов ЗУ типа 2D-M выход объединяется со входом записи, как это показано для ЗЭ на рис. 4.8, б. Структура одноразрядного ЗУ типа 2D-M представле­на на рис. 4.8, в. Как и в ЗУ типа 2,5D, код адреса 1-й ячейки разделяется на две части: i' и i", одна из которых поступает на АдрФ, а другая - на разрядно-адресный коммутатор РАдрК. Если на АдрФ и РАдрК не приходит сигнал обращения к памяти Обр, то на их выходных линиях не возникают действующие на ЗЭ сигналы и все ЗЭ находятся в режиме хранения. При на­личии сигнала Обр выполняется считывание или запись в зави­симости от значения сигнала Чт/Зап. При считывании АдрФ выдается по линии i' сигнал выборки для считывания, по кото­рому со всех ЗЭ линий i' сигналы их состояний поступают на РАдрК. Коммутатор РАдрК мультиплексирует эти сигналы и передает на выход ИнфВх сигнал с линии i". При записи АдрФ выдает по линии i" сигнал выборки для записи. Коммута­тор РАдрК в зависимости от значения ИнфВх выдает сигнал записи 0 или 1 на линию i" и сигналы, не воздействующие на ЗЭ в остальные линии. В результате запись производится толь­ко в ЗЭ, лежащий на пересечении координатных линий i' и i", причем i'/i" = i.

Построив схему, аналогичную схеме на рис. 4.7,6, получим ЗУ для 2^k n-разрядных ячеек. Наиболее экономна такая схема при r=(k-r)log₂n. Структура типа 2D-M наиболее удобна для построения по­лупроводниковых ЗУ и широко используется в настоящее вре­мя как в оперативных, так и в постоянных ЗУ.