3. Объект изучения.

Объектом изучения является ПК

4. Порядок выполнения работы

1.Уяснить меры безопасности на рабочем месте и расписаться в журнале инструктажа по технике безопасности.

2. Изучить состав и конструкцию современного ПК, используя данные методические указания.

3. Ответить на тесты, которые оцениваются преподавателем по 5 – балльной системе.

4. Навести порядок на рабочем месте и далее действовать по указанию преподавателя.

Лабораторная работа № 3.Запоминающие устройства персонального компьютера

1. Цель и задачи работы.

В результате выполнения данной работы студенты должны

знать принципы построения, состав, назначение запоминающих устройств ЭВМ и особенности их функционирования.

2. Основы теории

2.1 Запоминающие устройства

1. Общая характеристика ЗУ

Персональные компьютеры имеют четыре уровня памяти:

• микропроцессорная память;

• регистровая кэш-память;

• основная память;

• внешняя память.

Две важнейших характеристики (емкость памяти и ее быстродействие) указанных типов памяти приведены в табл. 1.

Таблица 1. Сравнительные характеристики запоминающих устройств

Тип памяти	Емкость	Быстродействие
Микропроцессорная память	Десятки байтов	tо6р = 0,001-0,002 мкс
Кэш-память	Сотни Kбайтов	tо6р = 0,002-0,01 мкс
ОП, в том числе:
ОЗУ	Десятки-сотни Mбайтов	tо6р = 0,005-0,02 мкс
ПЗУ	Сотни Kбайтов	tо6р = 0,035-0,1 мкс
ВЗУ, в том числе:
НМД	Десятки-сотни Гбайтов	tдост = 5-30 мс Vсчит = 500-3000 Кбайт/с
НГМД	Единицы Мбайтов	tдост = 65-100 мс Vсчит = 40-150 Кбайт/с
CD-ROM	Сотни-тысячи Мбайтов	tдост = 50-300 мс Vсчит = 150-5000 Кбайт/с

Быстродействие первых трех типов запоминающих устройств измеряется временем обращения (t_о6р) к ним, а быстродействие внешних запоминающих устройств – двумя параметрами: временем доступа (t_дост) и скоростью считывания (V_счит):

t_о6р – сумма времени поиска, считывания и записи информации;

t_дост –время поиска информации на носителе;

V_счит – скорость последовательного считывания смежных байтов информации.

Напомним общепринятые сокращения: с – секунда, мс – миллисекунда, мкс – микросекунда, нc – наносекунда; 1с = 10³ мс = 10⁶ мкс = 10⁹ нс.

2. Основная память Статическая и динамическая память

Оперативная память может составляться из микросхем динамического (Dynamic Random Access Memory – DRAM) или статического (Static Random Access Memory – SRAM) типа.

Память статического типа обладает существенно более высоким быстродействием, но значительно дороже DRAM. После записи бита в такую ячейку она может пребывать в этом состоянии сколь угодно долго – необходимо только наличие питания. Ячейки SRAM имеют малое время срабатывания (единицы наносекунд), однако микросхемы на их основе отличаются низкой удельной емкостью (единицы Мбит на корпус) и высоким энергопотреблением. Поэтому статическая память используется в основном в качестве микропроцессорной и буферной (кэш-память).

Ячейки динамической памяти занимают гораздо меньшую площадь и практически не потребляющих энергии при хранении. Поскольку конденсаторы, из которых состоит ДП, постепенно разряжаются (заряд сохраняется в ячейке в течение нескольких миллисекунд), во избежание потери хранимой информации заряд в них необходимо постоянно регенерировать, отсюда и название памяти – динамическая. На подзаряд тратится и энергия, и время, и это снижает производительность системы.

Ячейки динамической памяти по сравнению со статической имеют большее время срабатывания (десятки наносекунд), но большую удельную плотность (порядка десятков Мбит на корпус) и меньшее энергопотребление. Динамическая память используется для построения оперативных запоминающих устройств основной памяти ПК.