4. Выбор элементной базы
В качестве диода для амплитудного детектора выберем диод МД3. Его характеристики приведены в Приложении 1.
В детекторе и каскаде будем использовать конденсаторы К10-17-1-П33 емкостью 680 пФ, 2,7 нФ, 910 нФ, 560 пФ. Характеристики конденсатора приведены в Приложении 2.
Для усилительного элемента выберем транзистор КТ315А. Его характеристики в Приложении 3.
Будем использовать следующие стандартные (согласно ряду Е24 ГОСТ 9663-71) сопротивления:
1. сопротивление коллектора RK =130 Ом
2. сопротивления эмиттера RЭ1=10 Ом и RЭ2=360 Ом
3. сопротивления базового делителя R1 =4,3 кОм и R2 =4,3 кОм.
Заключение
В данном курсовом проекте был проведен расчет резистивного тракта усиления промежуточной частоты и линейного детектора тонального АМ модулированного сигнала с условием, что входной сигнал тракта промежуточной частоты был предварительно отфильтрован полосовым фильтром. По заданным требованиям к характеристикам сигнала и тракта были рассчитаны все элементы схем и выбрана элементная база, на основе которой можно сконструировать данный тракт.
Список использованных источников
1. Курсовое и дипломное проектирование: методические указания для студентов специальности 201200 / Женатов Б.Д., Левченко В.И., Майстренко В.А., Никонов И.В. – Омск, 2000. – 28 с.
2. Нефедов В.И. Основы радиоэлектроники: учебник для вызов. – М.: Высшая школа, 2000. – 399 с.
3. Алексеев А.Г., Войшвилло Г.В., Трискало И.А. Усилительные устройства.
/Сборник задач и упражнений/,под ред. Войшвилло Г.В.,-М.: Радио и связь, 1986. – 160 с, ил.
4. Шкритек П. Справочное руководство по звуковой схемотехнике./ перевод с немецкого И.Д.Гурвица под ред. А.С.Городникова/-М.: Мир, 1991. – 445 с, ил.
5. Цыкина А.В. Проектирование транзисторных усилителей низкой частоты. – М.: связь, 1968. – 184 с.
6. Остапенко Г.С. Усилительные устройства: учебное пособие для высших учебных заведений. – М.: Радио и связь, 1989. – 400 с., ил.
7. Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы: справочник / А.В. Баюков, А.Б. Гитцевич, А.А. Зайцев и др. Под ред. Н.Н. Горюнова. – 2-е изд., перераб. – М.: Энергоатомиздат, 1985. – 744 с., ил.
8. Транзисторы для аппаратуры широкого применения: справочник / К.М. Брежнева, Е.И. Гантман, Т.И. Давыдова и др. Под ред. Б.Л. Перельмана. – М.: Радио и связь, 1981. – 656 с, ил.
9. ГОСТ 9663-75. Резисторы. Ряд номинальных мощностей рассеивания.-М.: Издательство стандартов.-1992.
Приложение 1. Характеристики диода мд3
Диод МД3 германиевый, точечный.
Выпускается в стеклянном малогабаритном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на упаковке диодов.
Масса диода не более 0,035 г.
Электрические параметры
Постоянное прямое напряжение, не более:
при 298 и 343 К
при Iпр=5 мА . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1,0 В
при Iпр=2,5 мА . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,7 В
Импульсное прямое напряжение при Iпр.и.=20 мА, не более . . . . . . . . . . . . . . 3,5 В
Постоянный обратный ток при Uобр=15 В, не более:
от 213 да 298 К . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 мкА