Предельные эксплуатационные данные

Обратное напряжение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15 В

Прямой ток . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 мА

Рис. П.1 – Зависимость прямого тока от напряжения

Приложение 2. Характеристики конденсатора к10-17-1-п33

Конденсатор К10-17-1-П33, емкость 680 пФ, 2,7 нФ, 910 нФ, 560 пФ.

Характеристики:

Номинальное напряжение . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 В.

Размеры: В=4,6…8,6

L=6,8…12,0

A=2,5…7,5

Допустимое отклонение емкости . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ± 5%

Тангенс угла потерь . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,0015

Сопротивление изоляции . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 000 МОм

Постоянная времени . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250 МОм*мкФ

Диапазон рабочих температур . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -60…+125°С

Срок сохраняемости . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 лет

Допустимая реактивная мощность . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1…40 ВАР

Приложение 3. Характеристики биполярного транзистора кт315а

Общие сведения. Кремниевый планарно-эпитаксиальный n-p-n транзистор, предназначен для работы в схемах усиления и генерирования колебаний высокой частоты, а также в различных импульсных схемах. Корпус пластмассовый герметичный с жесткими выводами.

Масса транзистора не более 0,18 г.

Электрические параметры. Классификационные параметры:

Iкэr; uкэОгр; uкЭнас; uбЭнас; h21э; τК

Обратный ток коллектора IКБО при UК=10 В	0,5 мкА
Обратный ток эмиттера IЭБО при UЭ=5 В	30 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер IКЭR при UК=25 В	0,6 мА
Граничное напряжение транзистора UКЭОгр	15 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер UКЭнас при IК=20 мА и IБ=2 мА	от 0,3 до 0,4 В
Напряжение насыщения база-эмиттер UБЭнас при IК=20 мА и IБ=2 мА	от 0,63 до 1,0 В
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте | h21Э | при UК=10 В, IЭ=5 мА и f=100 МГц	2,7
Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ h21Э при UК=10 В, IЭ=1 мА	от 30 до 120
Входное сопротивление транзистора в режиме малого сигнала h11Б при UК=10 В, IК=1 мА и f=10^-3 МГц	40 Ом
Выходная проводимость в режиме малого сигнала при холостом ходе h22Б при UК=10 В, IЭ=1 мА и f=10^-3 МГц	См
Емкость коллекторного перехода СК при UК=10 В и f=5 МГц	7,0 пФ
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τК при UК=10 В, IЭ=5 мА и f=5 МГц	от 70 до 300 нс

Максимальные допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды T_С= - 60 … + 100° С

Постоянный ток коллектора IКmax	100 мА
Постоянное напряжение коллектор-база UКБmax	25 В
Постоянное напряжение база-эмиттер UБЭmax	6 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер UКЭmax	25 В
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора РКmax	150 мВт

19