2.7. Схема коллекторной стабилизации

В этой схеме (рис. 2.11) стабилизация осуществляется за счет параллельной ООС по напряжению. Пусть под действием дестабилизирующего фактора возрос ток коллектора, а, значит, и ток эмиттера и уменьшилось напряжение , что привело к снижению тока базы . Уменьшение же тока базы вызывает снижение тока коллектора . Иными словами, изменение тока коллектора встречает противодействие со стороны ООС.

Так как через резистор протекает ток , т.е. фактически эмиттерный ток, то для расчета нестабильности коллекторного тока можно использовать выражение для эмиттерной стабилизации, заменяя в них на .

Однако, данная схема обеспечивает меньшую стабильность, чем эмиттерная. Это обусловлено большим сопротивлением .Кроме того, из-за наличия в схеме параллельной ООС по переменному току, каскад обладает низким входным сопротивлением.

В силу перечисленных причин этот способ стабилизации используется сравнительно редко.

Наиболее эффективной является эмиттерно-коллекторная стабилизация, которая из-за сложности (большое число элементов, сравнительно высокое напряжение питания) находит ограниченное применение.

2.8 Цепи питания полевых транзисторов

2.8.1. Цепи питания с фиксацией напряжения на затворе

Для получения требуемого (фиксированного) напряжения на затворе применяют делитель напряжения и (рис. 2.12).

Так как ПТ с управляющим р-n-переходом имеет разную полярность напряже-ний и , то питание необходимо осуществлять от двух источников питания (рис. 2.12, а). У МДП-транзисторов с индуцированным каналом (рис. 2.12, б) полярность этих напряжений совпадает, поэтому требуется один источник питания (рис. 2.12, б). ПТ со встроенным каналом могут работать с напряжением , полярность которого может совпадать или не совпадать с полярностью напряжения . Они могут работать и при =0.

С равнивая схемы на рис 2.12 с обобщенной схемой на рис. 2.8, б и, воспользовавшись выражениями (2.24)…(2.27), получим:

С_р

, (2.29)

, (2.30)

, (2.31)

где

Значит, для ПТ с управляющим р-n переходом

,(2.32)

а для МДП – транзистора

. (2.33)

Таким образом, для повышения стабильности необходимо уменьшать результирующее сопротивление постоянному току в цепи затвора и при =const выбрать ПТ с меньшей крутизной.

2.8.2. Схемы истоковой стабилизации

Э ти схемы (рис.2.13) обладают лучшей стабильностью, чем цепи на рис. 2.12, так как за счет резистора имеет место последовательная ООС по току (как в схеме с эмиттерной стабилизацией). Для схемы на рис. 2.13, а

, (2.34)

а для схемы на рис. 2.13, б

. (2.35)

С

Рис.2.13. Схемы истоковой стабилизации

равнивая схемы истоковой стабилизации с обобщенной схемой на рис. 2.8, б, получим

(2.36)

(2.37)

где - глубина ОС на постоянном токе; - для схемы на рис. 2.13, б.

Для повышения стабильности надо увеличивать ,т.е. увеличивать глубину ООС и уменьшать .