- •Основные параметры колебаний. Импульсные колебания.
- •Основные параметры волн.
- •Упругие свойства некоторых сред
- •Типы волн.
- •Головные волны.
- •Релеевские волны.
- •Волны Лэмба.
- •Волны Похгаммера.
- •Крутильные волны.
- •Типы волн по виду волнового фронта.
- •Явления на границах раздела сред.
- •Нормальное падение уз волны на границу раздела сред.
- •Ослабление узк волн
- •Влияние затухания на результаты контроля.
- •Акустическое поле уз преобразователя.
- •Акустическое поле и диаграмма направленности наклонного преобразователя.
- •Классификация акустических преобразователей.
- •Конструкции акустических преобразователей.
- •Пьезопластина.
- •Демпфер.
- •Протектор
- •Катушка индуктивности
- •Система проводников
- •Металлический корпус
- •Наклонный преобразователь.
- •Раздельно – совмещенный преобразователь.
- •Акустический тракт дефектоскопа (эхо – импульсного)
- •Формулы акустического тракта.
- •Ард диаграмма (амплитуда-расстояние-диаметр).
- •Классификация акустических методов нк.
- •Методы отражения.
- •Дельта – метод
- •Реверберационный метод
- •Методы прохождения
- •Теневой метод
- •Временно – теневой
- •Велосиметрический метод
- •Комбинированный метод
- •Зеркально – теневой
- •Импедансный метод
- •Методы колебаний (свободные, вынужденные)
- •Метод свободных колебаний
- •Основные измеряемые параметры аэ
- •Рассмотрим одиночный импульс:
- •Рассмотрим поток импульсов
- •Классификация источников аэ
- •Критерии браковки
- •Локализация источников аэ
- •Преобразователи аэ
- •Измеряемые характеристики выявляемых дефектов по узк (эхо – метод)
- •Условные размеры дефектов.
- •Расстояние между дефектами.
- •Форма дефекта.
- •Основные параметры контроля.
Конструкции акустических преобразователей.
Прямой преобразователь (Рис.9.1)
Рис.9.1 Прямой преобразователь
1 – пьезопластина (ПП)
2 – демпфер
3 – протектор
4 – катушка индуктивности
5 – система проводников
6 – металлический корпус
7 – кабель
Пьезопластина.
Пьезопластину обычно изготовляют из ЦТС. В настоящее время часто используют керамику ПКР и метаниобат свинца. Толщину ПП делают равной половине длины волны. Для ЦТС на частотах 1... 10 МГц она равна 0,16... 1,6 мм.
-
dпп = λпп /2
(9.1)
На поверхности пьезопластины методами вжигания, осаждения или напыления в вакууме наносят серебряные или медные электроды, которые системой проводников соединяют с кабелем, а через него—с дефектоскопом.
Демпфер.
Пьезопластину приклеивают к демпферу, который повышает ее механическую прочность и расширяет полосу пропускания. Для того чтобы ультразвуковые колебания, отраженные от задней поверхности демпфера, не вызывали помех, демпфер изготовляют из звукогасящего материала, например из эпоксидной смолы с порошкообразным наполнителем из тяжелого металла (вольфрама) в весовой пропорции 1/6... 1/12. Это приближает волновое сопротивление демпфера к ρ·с ПП и увеличивает широкополосность преобразователя. При контроле изделий большей толщины, когда разрешающая способность не имеет существенного значения, а повышение чувствительности весьма желательно, применяют демпфер с малым акустическим сопротивлением.
Итак, демпфер необходим для гашения свободных колебаний пьезопластины. Чтобы волна уходила в демпфер необходимо 3 условия:
1 условие
Коэффициент отражения R должен стремится к 0, а следовательно коэффициент прозрачности Д должен быть максимален.
Zдемп = ZПП
2 условие
Высокий коэффициент затухания δ. Для этого ПП заливают эпоксидной смолой, добавляя свинец (PbO, Pb2O3, Pb4O5 - порошок) для утяжеления. Степень демпфирования можно менять. Порошок позволяет рассеивать волны, следовательно, увеличивает затухание.
3 условие
Используют наклонный демпфер, чтобы волна в нем гуляла.
Демпфирование позволяет уменьшить мертвую зону. Мертвая зона – это основной параметр контроля. Проблема заключается в том, что дефект в зондирующем импульсе может не обнаружиться.
Мертвая зона – это толщина зоны вблизи поверхности объекта контроля, в пределах которой дефект невозможно обнаружить.
-
Lм.з =
(9.2)
τимп – длительность импульса
-
τимп = τзи + τршх
(9.3)
τршх – реверберационная шумовая характеристика преобразователя
Пример: τимп = 5T
f = 2,5 Мгц
Lм.з = = ( )/2 = 6мм
Для СО-2 Lм.з = 3мм
Демпфирование влияет на лучевую разрешающую способность.
ЛРС - минимальное расстояние в лучевом направлении, при котором сигналы от дефектов видны на экране как два раздельных импульса (Рис.9.2)
Рис.9.2 Лучевая разрешающая способность
На экране должны разрешиться 2 импульса от дефектов.