41.Запоминающие устр-ва(зу):Блочная структура

прим.в ЗУ больш.емкости.Матрица ЗЭ разби.на неск.матриц,управляемых||,адрес разбив.на 3 поля: А1-адр.строки, А2-адр.столбца, А3-адр.блока.

Такая архитект-ра дает преимущ.в быстрод-ии и экономии мощности. –сложность схем.реализации.

42.Классификация пзу.Зэ неперепрограммируемых пзу:

ПЗУ дел.на:1.Неперепрограмм.(инфа зан-ся при изгот-нии); 2.Программ.(1кратно)-позв.1кр.занести инфу.При изг-нии во все ячейки запис.0 или 1.Занес-е инфы происх. за счет пережигания перемычек импульсами токов; 3)Стираемые программ:СППЗУ(EPROM)-позв.многокр. стир/запис.новую инфу.По способу стирания дел-ся на СППЗУ с УФ стир.и СППЗУ с электрическим стиранием.

Программируемы ПЗУ(ППЗУ):

В них в исх.сост.во всех узлах матрицы посл-но ЗЭ вып-ся легкоплавкие перемычки (нихромовые), кот.пережигаются в процессе программирования

Каждое 8разрядное слово хранится в св. 8эмитторном транз-ре. И в каждый момент времени вых.инвертором подключается только 1 транзистор(благодаря DC). DC им.уникал.вых.код.При выборе DC треб.слова и при наличии перемычки в Э цепи соотв.транзистор VT2 открыт и на выходе форм-ся 0.Если перемычка отсут, то VT2 – закрыт, и на выходе формируется 1 от ист. пит.2.

Эл-тыVT1 и VD1 орг-т схему записи. Для пережигания перемычки (т.е. записи 1)1временно с выборкой слова на соотв.выходах подаётся Un=8В. Это жостаточно для включения стабилитрона VD1. VD1 открывается и вх.в режим стабилизации,формируя при этом напр-е достат. для открытия транзистора VT1.Перемычка оказывается соединена с землёй, при этом Un доводится до величины 12 В и тока,кот.протек.ч-з перемычку,стан-ся достаточно для её расплавления. Так происходит прогр-е ЗУ.

После программирования ЗУ подвергается электро-термо тренировке. ЭТТ – для устранения возм-сти самовосста-новления перемычек.После осущ-ся контроль запис.инфы.

44.Классификация ПЗУ.Запоминающие элементы стираемых программируемых ПЗУ (СППЗУ). Типы СППЗУ.ПЗУ дел.на:1.Неперепрограмм.(инфа зан-ся при изгот-нии); 2.Программ.(1кратно)-позв.1кр.занести инфу.При изг-нии во все ячейки запис.0 или 1.Занес-е инфы происх. за счет пережигания перемычек импульсами токов; 3)Стираемые программ:СППЗУ(EPROM)-позв.многокр. стир/запис.новую инфу.По способу стир-я дел-ся на СППЗУ с УФ стир-м и СППЗУ с эл.стир-м. Матрицы ЗЭ СППЗУ аналогичны непере-программ.ЗУ(предст.собой набор строк и столбцов,в пере-сечении кот.устанавл.ЗЭ ).Отличие в типе тр-ров. Наиб. распр.ЗУ с исп-м 2 типов тр-ров:1)МНОП тр-ры–отли-чие в наличии двухслойного подзатворного диэлектрика Si3N4; на пов-сти кристалла тонкий слой SiO2,далее >толстый слой Si3N4;2)тр-р с плав.затвором-принцип раб.похож на МНОП. На так.тр-рах реализ-ся СППЗУ с эл.прогрев-м и УФ стир-ем.

43. Классификация пзу.Зэ программируемых пзу

ПЗУ дел.на:1.Неперепрограмм.(инфа зан-ся при изгот-нии); 2.Программ.(1кратно)-позв.1кр.занести инфу.При изг-нии во все ячейки запис.0 или 1.Занес-е инфы происх. за счет пережигания перемычек импульсами токов; 3)Стираемые программ:СППЗУ(EPROM)-позв.многокр. стир/запис.новую инфу.По способу стирания дел-ся на СППЗУ с УФ стир.и СППЗУ с электрическим стиранием.

Непрограммируемые ПЗУ:

Основные требования сохранения информации при снятии напр-я пит. Матрица предст.собой набор строк и столбцов в пересечении кот.устан.ЗЭ.

С троки – адресные типы, столбцы – типы данных.

запоминающий элемент – диод. Обращение к 0 ячейке осущ-ся подачей единицы сигнала на соотв.линию матрицы. – диодного ЗЭ– низкое быстродействие.

Транзисторный ЗЭ

П ЗУ на основе транзисторн. ЗЭ представляют собой полную матрицу,т.е. тр-рыприсутств.во всех узлах матрицы.Запись 1 в ЗУ осущ-ся подключением тр-ра к адресной шине.При зап.0 к адр.шине база не подкл.