3. Описание лабораторного стенда

1. Запустите программу Electronics Workbench.

2. Собрать схему исследования, изображенную на рисунке 2.6.

3. Проверить правильность ее работы.

Рисунок 2.6 - Схема исследования

4. Рабочее задание

Задание 1. Определение коэффициента передачи биполярного транзистора по постоянному току

1.1. Установите с помощью ползунковых регуляторов, R₁ и R₂, напряжения источников питания Е_Б и Е_к примерно равными указанным в табл. 1, и измерьте соответствующие значения тока коллектора I_К тока базы I_Б и напряжения коллектор-эмиттер U_КЭ. Полученные результаты запишите в табл. 1. Принять равным R_б =10 кОм, а R_к=300 Ом.

1.2. Вычислите по формуле (2.5) и запишите в табл. 1.1 значения статического коэффициента усиления транзистора β_DC. Сделайте вывод о влиянии напряжения коллектор-эмиттер U_KЭ на коэффициент усиления транзистора.

Таблица 2.1 – Результаты измерения

ЕБ, В	Ек, В	IК, мА	IБ, мкА	UКЭ, В	βDC

Задание 2. Получение входной характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

2.1. Установить значение напряжения питания коллектора Е_к в соответствии с указанным вариантом задания.

2.2. Изменяя напряжение источника ЭДС базы Е_Б с помощью ползункового регулятора R₁, установите значение тока базы сначала примерно равным 10 мкА, а затем примерно равным 40 мкА. Запишите в отчет значения тока базы I_б и напряжения база-эмиттер U_БЭ для этих точек входной характеристики.

2.3. Вычислите дифференциальное входное сопротивление транзистора при изменении базового тока от 10 мкА до 40 мкА по формуле . Полученное значение запишите в отчет.

Задание 3. Получение семейства выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с, общим эмиттером

3.1. Получить зависимость I_K=f(U_КЭ), меняя U_бэ, путем перемещения движка R₁. Меняя U_бэ запишите в таблицу 2.2 полученные значения I_К и U_кэ и постройте график.

3.2. Определите коэффициент передачи тока β_АC при изменении тока базы I_Б в диапазоне в соответствии с вариантом по формуле . Полученное значение запишите в таблицу.

Таблица 2.2

№	R1 Setting, %	IБ, μА	IК, μА	Uкэ, mV
1
2
3
4
5
6