- •Лабораторная работа №і измерение диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь некоторых диэлектриков
- •Методика проведения эксперимента
- •Ход работы
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические сведения.
- •1. Диэлектрические материалы
- •2.Поляризация диэлектриков
- •3. Виды поляризации диэлектриков
- •4. Классификация диэлектриков по видам поляризации
- •5. Диэлектрические потери
- •6. Расчет мощности потерь и тангенса угла диэлектрических потерь в диэлектрике
- •7. Распределение диэлектриков по видам диэлектрических потерь
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические сведения
- •1. Полупроводниковые материалы
- •2. Параметры собственных полупроводников
- •3. Параметры примесных полупроводников
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические сведения
- •1. Проводниковые материалы
- •2. Влияние температуры на удельное сопротивление металлов
- •3. Влияние примеси на удельное сопротивление проводников
- •4. Классификация проводниковых материалов
- •Задание к лабораторной работе
- •Теоретические сведения
- •1. Магнитные материалы
- •2. Классификация веществ по магнитным свойствам
- •3. Намагничивание ферромагнетиков
- •4. Потери в магнитных материалах
- •5. Магнитная проницаемость
- •6. Классификация магнитных материалов
- •Контрольные вопросы
- •Литература
3. Параметры примесных полупроводников
Кроме перечисленных параметров примесные полупроводники имеют следующие параметры.
1. Тип проводимости р или п (см. рис. 2.4).
2. Концентрация доноров NД или акцепторов NА - число примесных атомов в единице объема вещества.
3. Энергия ионизации примеси EД, EА - энергия, отсчитываемая от потолка валентной зоны для акцепторного полупроводника или от дна зоны проводимости для донорного полупроводника (см. рис. 2.4), т.е. это энергия, необходимая для отрыва примесного электрона от донорно-акпепторной связи.
4. Концентрация свободных электронов п или дырок р - количество свободных электронов или дырок в единице объема вещества. Температурная зависимость концентрации свободных носителей заряда в примесном полупроводнике более сложная, чем в собственном (рис. 2.6).
Это связанно с механизмом переноса носителей заряда. При 0 К все примесные электроны находятся на примесном уровне с энергией EД, а собственные электроны - в валентной зоне.
При приложении электрического поля ток в таком полупроводнике не протекает, так как отсутствуют носители заряда. При повышении температуры первыми отрываются и переходят в зону проводимости примесные электроны, дырок при этом не образуется. На этом этапе электрическая проводимость обусловлена только примесными электронами (рис. 2.6, участок 1):
(2.18)
При дальнейшем повышении температуры все примесные электроны оказываются свободными и примесь "истощается" (рис. 2.6, участок 2). В этом случае концентрация свободных электронов приблизительно равняется концентрации доноров:
n ND, (2.19)
Если температура высокая, возбуждаются собственные электроны, при этом образуются и электроны, и дырки, т.е. полупроводник становится собственным (рис. 2.6, участок 3). В этом случае концентрация свободных носителей заряда определяется (2.13).
5. Удельная электрическая проводимость в донорном полупроводнике на участке примесной проводимости обусловлена только электронами (см. рис.2.6, участок І):
σп = епμп,
или с учетом (2.11) и (2.18)
(2.20)
Поэтому на первом участке наклон прямой пропорционален ED/2k.
Н а участке 2 согласно (2.19) концентрация носителей заряда не зависит от температуры, поэтому электрическая проводимость будет определяться только зависимостью подвижности от температуры. При высоких температурах носители заряда рассеиваются на тепловых колебаниях кристаллической решетки и справедливо соотношение (2.11), т.е.
(2.21)
Другими словами, электрическая проводимость с повышением температуры уменьшается (рис. 2.7, участок 2б).
При низких температурах рассеяние носителей заряда происходит на ионизированных примесях. При этом
. (2.22)
С учетом этого
(2.23)
т.е. электрическая проводимость полупроводника с повышением температуры возрастает (рис. 2.7, участок 2а). При высоких температурах наблюдается собственная электрическая проводимость и справедливо соотношение (2.17) (рис. 2.7, участок 3).
Контрольные вопросы
Какие материалы относятся к классу полупроводников?
Основные характеристики полупроводниковых материалов?
Какие факторы определяют электрическую проводимость полупроводников?
Что такое собственная и примесная проводимость?
Какие параметры полупроводников можно определить из температурной зависимости их сопротивления?
Чем отличается температурная зависимость удельного сопротивления собственного полупроводника от примесного?
Что такое собственный, донорный и акцепторный полупроводник?
Что такое примесь замещения и внедрения?
Как зависит подвижность носителей заряда в собственном полупроводнике от температуры?
Чем обусловленная температурная зависимость электропроводности полупроводника?
Какие параметры характеризуют примесные полупроводники?
Как изменяется подвижность носителей заряда в примесных полупроводниках с температурой?
Как влияет температура на электропроводность примесных полупроводников?
Лабораторная работа № 3
ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ
МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПРОВОДНИКОВ
Цель работы - изучить влияние температуры и содержания примеси на сопротивление металлических проводников.
([1], с. 186-229; [2], с. 27-89)
Методика проведения эксперимента
Исследуются металлические сплавы на основе меди и никеля (типа константана), а также никеля и хрома (типа нихрома). Их основные параметры приведены в табл. 3.1.
Удельное сопротивление проводника можно определить так:
, (3.1)
где R - сопротивление проводника; l - длина; S - площадь поперечного сечения.
Таблица 3.1
№ п/п |
Состав |
Длина, м |
Диаметр, мм |
Т, °С |
R, Ом |
ρ, мкОм·м |
αρ, К-1 |
1 2 3 4 5 |
Сu 85% + Nі 15% Сu 60% + Nі 40% Сu 20% + Nі 80% Сu 100% Nі 80% + Cr 20% |
8,7 6,2 7,7 30,0 6,5 |
0,17 0,18 0,12 0,08 0,40 |
|
|
|
|
Температурный коэффициент удельного сопротивления определяется по температурной зависимости удельного сопротивления проводника:
(3.2)
где ρ - удельное сопротивление при комнатной температуре; dρ/dT - наклон прямой в координатах ρ = f(T).
Для снятия температурной зависимости сопротивления металлических проводников используется следующая схема измерения (рис. 3.1).