- •Оглавление
- •Подготовка к работе
- •2 Работа в программной среде ewb 5.0с
- •1 Цель работы
- •2 Подготовка к работе
- •3 Литература
- •4 Задание для работы в лаборатории.
- •5 Указания к составлению отчета
- •Приложение а
- •Цель работы
- •2 Подготовка к работе
- •3 Литература
- •4 Задание для работы в лаборатории
- •Приложение а
- •Все транзисторы имеют мощность рассеивания на коллекторе 150 мВт Лабораторная работа № 3.
- •1 Цель работы
- •2 Подготовка к работе
- •3 Литература
- •4 Задание для работы в лаборатории
- •5 Указания к составлению отчета
- •Приложение а
- •1. Цель работы
- •2. Подготовка к работе
- •3 Литература
- •4 Задание к работе в лаборатории
- •Величину резистора r4 выбираем по заданному варианту из таблицы 5.
- •5 Указания к составлению отчета
- •1 Цель работы
- •2 Подготовка к работе
- •3 Литература
- •4 Задание к работе в лаборатории
- •На входы одного из логических элементов имс подать сигналы от генератора слова в соответствии с вариантом задания 1.
- •5 Указания к составлению отчета
- •1 Цель работы
- •2 Подготовка к работе
- •3 Литература
- •4 Задание к работе в лаборатории
- •На входы одного из логических элементов имс подать сигналы от генератора слова в соответствии с вариантом задания 1.
- •5 Указания к составлению отчета
- •Валерий Леонидович Савиных Александр Иосифович Брикман Эльвира Николаевна Шилай
2 Работа в программной среде ewb 5.0с
Перед проведением работ следует ознакомиться с Методическими указаниями по работе с программой Electronic WorkBench, версия 5.0с.
Лабораторная работа №1.
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
И ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
1 Цель работы
Изучить устройство полупроводниковых диодов различных типов, физические процессы, происходящие в них, характеристики и параметры.
2 Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход (p-n переход), его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики (ВАХ) и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.
2.2 Ответить на следующие контрольные вопросы:
2.2.1 Что такое собственная и примесная проводимость полупроводника?
2.2.2 Как создается p-n переход в полупроводниках?
2.2.3 Что такое контактная разность потенциалов? Как она образуется?
2.2.4 Чем определяется толщина p-n перехода?
2.2.5 Как выглядят потенциальные диаграммы p-n перехода при отсутствии внешнего напряжения, и при включении его в прямом и обратном направлениях?
2.2.6 Как происходит движение носителей зарядов через p-n переход:
a) при отсутствии внешнего напряжения,
b) при прямом включении,
c) при обратном включении.
2.2.7 Каковы различия между теоретической и реальной ВАХ p-n перехода и чем они объясняются?
2.2.8 Чем отличаются ВАХ p-n переходов, изготовленных из Ge, Si и Ga As?
2.2.9 Что такое барьерной и диффузионной емкости p-n перехода?
2.2.10 Как влияет изменение температуры полупроводника на положение ВАХ p-n перехода? (Привести графики для двух различных значений температуры.)
2.2.11 Какие основные параметры полупроводниковых диодов называются номинальными и какие – предельными?
2.2.12 Каков физический смысл дифференциальных параметров диодов?
.
2.2.13 Каковы особенности устройства и применения полупроводниковых диодов различных типов (выпрямительных, высокочастотных, импульсных, стабилитронов, варикапов) и каковы их основные параметры?
2.2.14 Каковы условные графические обозначения выпрямительных диодов, стабилитронов, варикапов?
2.2.15 Каковы способы увеличения допустимой мощности, рассеиваемой диодом?
3 Литература
1 Игнатов А.Н. и др. Классическая электроника и наноэлектроника: Учебное пособие / М.: Флинта : Наука. 2009. Стр. 56-69.
2 Игнатов А.Н. и др. Основы электроники: Учебное пособие /СибГУТИ.-Новосибирск, 2005. Стр. 33-48.
3 Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. /Под редакцией Федорова Н.Д. -М: Радио и связь, 1998. Стр. 11-66.
4 Электронные приборы. /Под редакцией Шишкина Г.Г. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр. 12-43, 54-88, 97-129.
5 Справочники по полупроводниковым диодам.
6 Савиных В.Л. Конспект лекций по ФОЭ. 2010. Электронная версия.