Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Электроника 6 лаб. работ для ИВТ.doc
Скачиваний:
15
Добавлен:
02.05.2019
Размер:
5.44 Mб
Скачать

4 Задание для работы в лаборатории

4.1 Для исследования характеристик n-p-n транзистора при включении с ОБ собрать схему, приведенную на рисунке 1.

Рисунок 1. Схема для исследования транзистора при включении с ОБ.

Тип БТ установить в соответствии с вариантом (Приложение А.1). Этот же тип остается во всех последующих схемах.

4.2 Изменяя ток эмиттера 0,1, 1, 5 мА и т.д. снять две входные характеристики транзистора IЭ= f(UЭБ) при UКБ=0 и UКБ=10 В. Результаты измерений занести в таблицу 1.

Таблица 1 - Транзистор (указать по варианту)

UКБ, В

IЭ, мА

0

0,1

1

2

5

10

15

20

40

0

UЭБ

10

UЭБ

4.3 Снять выходные характеристики транзистора IК=f(UКБ) для трех значений тока эмиттера IЭ: 1) IЭ=0, 2) IЭ=10 мА, 3) IЭ=20 мА.

Результаты измерений занести в таблицу 2.

Таблица 2 - Транзистор (указать по варианту)

IЭ, мА

UКБ, В

0

0,5

1

2

5

10

15

0

IК, мкА

10

IК, мА

20

4.4 Для исследования характеристик n-p-n транзистора при включении с ОЭ собрать схему, приведенную на рисунке 2.

Рисунок 2. Схема для исследования транзистора при включении с ОЭ.

4.5 Снять две входные характеристики IБ=f(UБЭ) при двух значениях UКЭ: 1) UКЭ=0, 2) UКЭ=10 В. Результаты измерений занести в таблицу 3.

Таблица 3 - Транзистор (указать по варианту)

UКЭ, В

IБ, мкА

0

10

20

50

100

150

200

0

UБЭ, В

10

UБЭ, В

4.6 Снять семейство из шести выходных характеристик IК=f(UКЭ) при токах базы, указанных в таблицу 4, включая IБ=0. Особое внимание обратить на участок характеристик в режиме насыщения, т.е. в диапазоне значений UКЭ от 0В до ~ 1В. Результаты измерений занести в таблицу 4.

Таблица 4 - Транзистор (указать по варианту)

IБ, мкА

UКЭ, В

0

0,1

0,2

0,5

1

2

5

10

15

0

IК, мкА

50

IК, мА

100

150

200

250

4.7 Для исследования схемы усилителя на БТ, включенного с ОЭ, собрать схему, приведенную на рисунке 3. На базу транзистора подаются постоянное напряжение смещения ЕБЭ и переменное напряжение UВХ = UБЭ~. Выходным напряжением усилителя является переменная составляющая UБЭ~ = UВЫХ

Рисунок 3. Схема усилителя, включенного с ОЭ.

4.8 Перед включением схемы установить следующие параметры:

ЕКЭ = 15 В, UБЭ ~ = 10 мВ, f = 1 кГц, RH = 1.5 k.

Для вольтметра установить режим постоянного напряжения – DC.

4.9 Подобрать напряжение источника смещения ЕБЭ такой величины, чтобы постоянное напряжение на коллекторе (показания вольтметра в режиме DC) составляло 7-8 В.

4.10 Переключить вольтметр в режим измерения переменного напряжения – АС и снова включить схему.

Определить коэффициент усиления КU = UВЫХ/UBX. Зарисовать в отчет осциллограммы на входе и выходе усилителя.

4.11 Рассчитать параметры h11Э, h21Э и h22Э по соответствующим графикам.

Расчет произвести в рабочей точке UКЭ = 10 В и IБ=200 мкА ,

5 Содержание отчета

Отчет должен содержать:

5.1 Схемы исследований транзистора.

5.2 Таблицы с результатами измерений

5.3 Графики входных и выходных характеристик для схем включения БТ с ОБ и ОЭ. Примеры графиков даны на рисунках 4.4-4.6.

5.4 Расчет значений h11Э, h21Э и h22Э по соответствующим графикам:

5.5 Значение KU и осциллограммы напряжений на входе и выходе усилителя.

5.6 Выводы по работе.

а) схема с ОБ б) схема с ОЭ

Рисунок 4. Входные характеристики БТ

Рисунок 5. Выходные характеристики БТ – схема включения с ОБ

Рисунок 6 – Выходные характеристики БТ – схема включения с ОЭ